课题基金 / 基金详情

変調ド-プ超格子構造を有する新しい光導伝デバイスと光サンプリングへの応用

変調ド-プ超格子構造を有する新しい光導伝デバイスと光サンプリングへの応用
新型调制掺杂超晶格结构光电导器件及其在光学采样中的应用
批准号：
63850075
负责人：
荒川 泰彦
金额：
$5.06万
依托单位：
The University of Tokyo
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Developmental Scientific Research
财政年份：
1988
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
1988 至 1989
来源：
https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-63850075/
关键词：
超格子光導伝デバイス光サンプリング変調ド-プ高速光情報処理p型変調ドープ超格子超高速光導電型スイッチ量子井戸構造MOCVD結晶成長

项目摘要

项目成果

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中文摘要
翻译
本研究ではp型不純物を選択的にド-プした超格子構造(変調ド-プ超格子)を有する新しい超高速光導電デバイスを試作し、超高速光サンプリングシステムのサンプラとしての可能性を立証することを目的としている。このデバイスでは、電子が少数キャリアであり、かつ不純物散乱を避けることができるため本質的に速い応答特性(10ピコ秒以下)を期待することができる。また、このデバイスは、サンプリングオシロスコ-プやスペクトラムアナライザの限界を乗り越えるものとして最近注目を集めている高速光サンプリングシステムのサンプリングヘッドとして用いることができるという特徴も有している。本年度は、(1)p変調ド-プ超格子光導電デバイスの応答速度の測定うために、モ-ド同期YAGレ-ザによって励起された色素レ-ザシステムを立ち上げ、昨年度試作したp変調ド-プ超格子光導電デバイスの応答速度の測定をし、光導電デバイスとしての性能を明らかにした。(2)2次元電子の走行速度の究明をするために、クライオスタットの中にサンプルを入れ、温度を変えながら応答速度をはかり、それに基づき2次元電子の飽和走行速度などを見つもり、少数キャリアである電子のダイナミックスを明らかにした。(3)さらに、p変調ト-プ超格子構造を有する光導電デバイスをサンプラとして持つ新しい超高速光サンプリングシステムの作製を試みた。このように本研究では、高性能光導伝デバイスを実現する上での基礎技術、およびその物理的理解を確立し、デバイス動作の確認・性能評価をすすめた。さらに、高速光サンプリングシステムへの応用の可能性を示すことに成功した。これより、本デバイスが、次世代の実用的高速光信号処理システムにおいてキ-・デバイスになることを示すことができた。
英文摘要
本研究ではp型不純物を選択的にド-プした超格子構造(変調ド-プ超格子)を有する新しい超高速光導電デバイスを試作し、超高速光サンプリングシステムのサンプラとしての可能性を立証することを目的としている。このデバイスでは、電子が少数キャリアであり、かつ不純物散乱を避けることができるため本質的に速い応答特性(10ピコ秒以下)を期待することができる。また、このデバイスは、サンプリングオシロスコ-プやスペクトラムアナライザの限界を乗り越えるものとして最近注目を集めている高速光サンプリングシステムのサンプリングヘッドとして用いることができるという特徴も有している。本年度は、(1)p変調ド-プ超格子光導電デバイスの応答速度の測定うために、モ-ド同期YAGレ-ザによって励起された色素レ-ザシステムを立ち上げ、昨年度試作したp変調ド-プ超格子光導電デバイスの応答速度の測定をし、光導電デバイスとしての性能を明らかにした。(2)2次元電子の走行速度の究明をするために、クライオスタットの中にサンプルを入れ、温度を変えながら応答速度をはかり、それに基づき2次元電子の飽和走行速度などを見つもり、少数キャリアである電子のダイナミックスを明らかにした。(3)さらに、p変調ト-プ超格子構造を有する光導電デバイスをサンプラとして持つ新しい超高速光サンプリングシステムの作製を試みた。このように本研究では、高性能光導伝デバイスを実現する上での基礎技術、およびその物理的理解を確立し、デバイス動作の確認・性能評価をすすめた。さらに、高速光サンプリングシステムへの応用の可能性を示すことに成功した。これより、本デバイスが、次世代の実用的高速光信号処理システムにおいてキ-・デバイスになることを示すことができた。
期刊论文(28)
专著(0)
科研奖励(0)
会议论文
H.Shoji;Y.Arakawa;Y.Fujii: Trans.of IEICE,Japan. E71,7. 643-645 (1988)
H.Shoji；Y.Arakawa；Y.Fujii：IEICE Trans.，日本。
DOI： --
发表时间：
期刊：
影响因子： --
作者： []
通讯作者：
H.Shoji;Y.Arakawa;Y.Fujii: Electronics Letters. 24,14. 888-889 (1988)
H.Shoji；Y.Arakawa；Y.Fujii：电子通讯。
DOI： --
发表时间：
期刊：
影响因子： --
作者： []
通讯作者：
Y.Arakawa: "Picosecond Dynamics in Quantum Well Lasers" SPIE Conference. 1216-1217 (1990)
Y.Arakawa：“量子阱激光器中的皮秒动力学”SPIE 会议。
DOI： --
发表时间：
期刊：
影响因子： --
作者： []
通讯作者：
H.Shoji,Y.Arakawa,and Y.Fujii: "Fast Bistable Wavelength Switching Device UsingTwo-Electrode Distributed Feedback Lesers" Tech.Dig.of Optical Fiber Communication Conference. WM17. 116-117 (1990)
H.Shoji、Y.Arakawa 和 Y.Fujii：“使用双电极分布式反馈激光器的快速双稳态波长切换装置”光纤通信会议技术数字。
DOI： --
发表时间：
期刊：
影响因子： --
作者： []
通讯作者：
共 14 条
    電気光学的手法による量子ドットにおける電子スピン制御に関する研究
    • 批准号：
      11F01356
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for JSPS Fellows
    • 资助金额：
      $1.41万
    • 财政年份：
      2011
    • 负责人：
      荒川 泰彦
    • 依托单位：
      The University of Tokyo
    半導体量子ドットやシリコンをベースにした次世代光デバイスの開発
    • 批准号：
      08F08741
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for JSPS Fellows
    • 资助金额：
      $1.02万
    • 财政年份：
      2008
    • 负责人：
      荒川 泰彦
    • 依托单位：
      The University of Tokyo
    窒素ガリウム半導体量子ドットの形成技術と次世代ナノフォトニック素子に関する研究
    • 批准号：
      06F06110
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for JSPS Fellows
    • 资助金额：
      $1.66万
    • 财政年份：
      2006
    • 负责人：
      荒川 泰彦
    • 依托单位：
      The University of Tokyo
    半導体量子ドット・フォトニック結晶とMEMSの融合による新素子開発
    • 批准号：
      04F04791
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for JSPS Fellows
    • 资助金额：
      $1.54万
    • 财政年份：
      2004
    • 负责人：
      荒川 泰彦
    • 依托单位：
      The University of Tokyo