コヒーレント領域における電子・光子相互作用
コヒーレント領域における電子・光子相互作用
批准号:
06238206
负责人:
荒川 泰彦
金额:
$61.31万
依托单位:
依托单位国家:
日本
项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
财政年份:
1996
资助国家:
日本
项目状态:
已结题
起止时间:
1996 至 --
中文摘要
本研究では、ナノ構造における光子と電子の相互作用を明らかにすることを目的として、ナノ構造の作製技術の開拓、電子と光子の相互作用の微小空間分解評価、および微小共振器効果について研究を進めている。本年度は、量子ドットの新しい作製法として、選択成長を用い2次元V溝構造を形成しその中に量子ドットを成長させる手法およびSpinodal相分離による量子ドットの自己成形法を開拓した。特に、前者においては垂直量子細線も形成可能である。また、量子ドットの局所的評価手法として、近接場光学顕微鏡による量子ドットからの発光の観測を行うとともに量子細線における量子閉じこめシュタルク効果を実験的に明らかにした。さらに、微小共振器型量子ドットレーザの発振に成功する一方、量子井戸における磁気励起子効果の観測や2次元フォトニック結晶における新欠陥構造の提案など、共振器効果についても重要な知見を得ることができた。さらに微小共振器面発光レーザの基礎設計と形成技術のテーマで微小共振器中の光波の挙動を実験的に解明して、高性能面発光半導体レーザを実現することを目的として研究を進めた。96年度は、微小共振器による極低しきい値レーザを実現するために、AlAsの選択酸化膜構造を用いて光と電子を同時に閉じ込める微小光共振器構造のモデリングを行い、極低しきい値動作の可能性を示すとともに、長波長帯面発光レーザへ適用しうる酸化膜強窄構造を提案し、その製作プロセスを確立した。さらに、高指数面方位歪み量子井戸構造を用いた面発光レーザの低しきい値動作と安定な偏波面動作を初めて実現した。また、相互作用するメゾスコピック系の電子の輸送について、メソスコピック伝導体の理論で、久保公式を用いた理論と、ランダウア-流の方法を多体相互作用のある系に拡張した理論とを、比較して議論した。
英文摘要
本研究では、ナノ構造における光子と電子の相互作用を明らかにすることを目的として、ナノ構造の作製技術の開拓、電子と光子の相互作用の微小空間分解評価、および微小共振器効果について研究を進めている。本年度は、量子ドットの新しい作製法として、選択成長を用い2次元V溝構造を形成しその中に量子ドットを成長させる手法およびSpinodal相分離による量子ドットの自己成形法を開拓した。特に、前者においては垂直量子細線も形成可能である。また、量子ドットの局所的評価手法として、近接場光学顕微鏡による量子ドットからの発光の観測を行うとともに量子細線における量子閉じこめシュタルク効果を実験的に明らかにした。さらに、微小共振器型量子ドットレーザの発振に成功する一方、量子井戸における磁気励起子効果の観測や2次元フォトニック結晶における新欠陥構造の提案など、共振器効果についても重要な知見を得ることができた。さらに微小共振器面発光レーザの基礎設計と形成技術のテーマで微小共振器中の光波の挙動を実験的に解明して、高性能面発光半導体レーザを実現することを目的として研究を進めた。96年度は、微小共振器による極低しきい値レーザを実現するために、AlAsの選択酸化膜構造を用いて光と電子を同時に閉じ込める微小光共振器構造のモデリングを行い、極低しきい値動作の可能性を示すとともに、長波長帯面発光レーザへ適用しうる酸化膜強窄構造を提案し、その製作プロセスを確立した。さらに、高指数面方位歪み量子井戸構造を用いた面発光レーザの低しきい値動作と安定な偏波面動作を初めて実現した。また、相互作用するメゾスコピック系の電子の輸送について、メソスコピック伝導体の理論で、久保公式を用いた理論と、ランダウア-流の方法を多体相互作用のある系に拡張した理論とを、比較して議論した。
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T.Tanaka: "〃Magneto-exciton in quantum wires confined with an anistropic parabolic potential〃" Physical Review B. Vol 50. 7719-7723 (1994)
T.Tanaka:“有各向异性抛物线势限制的量子线中的磁激子”《物理评论 B》第 50 卷 7719-7723 (1994)
DOI:
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发表时间:
期刊:
影响因子:
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作者:
[]
通讯作者:
J.Oshinowo: "〃Area Density Control of Quantum-Size InGaAs/Ga(Al)As Dots by Metalorganic Chemical Vapor Deposition〃" Jpn.Journal of Applied Physics. Vol.33. L1634-L1637 (1994)
J.Oshinowo:“通过金属有机化学气相沉积实现量子尺寸 InGaAs/Ga(Al)As 点的面积密度控制”Jpn.应用物理学杂志第 33 卷 (1994)。
DOI:
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发表时间:
期刊:
影响因子:
--
作者:
[]
通讯作者:
荒川泰彦(分担): "〃メゾスコピック現象の基礎(難波進編)〃" オーム社, 13 (1994)
荒川泰彦(撰稿人):“介观现象的基础(南波进编辑)”Ohmsha,13(1994)
DOI:
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发表时间:
期刊:
影响因子:
--
作者:
[]
通讯作者:
E.Katoh,K.Hoshino,N.Tanaka,M.Nishioka,Y.Arakawa: "Saturation of photoluminescence quenching under below-gap excitation in a GaAs/AlGaAs quantum well" Journal of Luminescence. Vol.63. 235-240 (1995)
E.Katoh、K.Hoshino、N.Tanaka、M.Nishioka、Y.Arakawa:“GaAs/AlGaAs 量子阱中间隙激发下光致发光猝灭的饱和”发光杂志。
DOI:
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发表时间:
期刊:
影响因子:
--
作者:
[]
通讯作者:
N.Hatori,T.Mukaihara,Y.Hayashi,N.Ohnoki,A.Mizutani,F.Kayama and K.Iga: "Design and fabrication of InGaAs/GaAs quantum wires for vertical-cavity sarface-emitting lasers" Jpn.J.Appl.Physics. 35.3. 1777-1778 (1996)
N.Hatori、T.Mukaihara、Y.Hayashi、N.Ohnoki、A.Mizutani、F.Kayama 和 K.Iga:“用于垂直腔表面发射激光器的 InGaAs/GaAs 量子线的设计和制造” Jpn.J
DOI:
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发表时间:
期刊:
影响因子:
--
作者:
[]
通讯作者:
共 37 条
電気光学的手法による量子ドットにおける電子スピン制御に関する研究
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批准号:11F01356
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项目类别:Grant-in-Aid for JSPS Fellows
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资助金额:$1.41万
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财政年份:2011
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负责人:荒川 泰彦
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依托单位:
半導体量子ドットやシリコンをベースにした次世代光デバイスの開発
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批准号:08F08741
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项目类别:Grant-in-Aid for JSPS Fellows
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资助金额:$1.02万
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财政年份:2008
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负责人:荒川 泰彦
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依托单位:
窒素ガリウム半導体量子ドットの形成技術と次世代ナノフォトニック素子に関する研究
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批准号:06F06110
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项目类别:Grant-in-Aid for JSPS Fellows
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资助金额:$1.66万
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财政年份:2006
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负责人:荒川 泰彦
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依托单位:
半導体量子ドット・フォトニック結晶とMEMSの融合による新素子開発
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批准号:04F04791
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项目类别:Grant-in-Aid for JSPS Fellows
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资助金额:$1.54万
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财政年份:2004
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负责人:荒川 泰彦
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依托单位:
DNA分子の電気特性
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批准号:04F04655
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项目类别:Grant-in-Aid for JSPS Fellows
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资助金额:$0.77万
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财政年份:2004
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负责人:荒川 泰彦
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依托单位:
半導体量子ドットレーザの研究
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批准号:02F00657
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项目类别:Grant-in-Aid for JSPS Fellows
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资助金额:$1.09万
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财政年份:2002
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负责人:荒川 泰彦
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依托单位:
マイクロメカニカル波長可変光デバイスの研究
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批准号:00F00758
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项目类别:Grant-in-Aid for JSPS Fellows
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资助金额:$0.64万
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财政年份:2001
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负责人:荒川 泰彦
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依托单位:
半導体ナノ構造の物理的基礎とその応用
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批准号:11212101
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$10.75万
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财政年份:1999
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负责人:荒川 泰彦
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依托单位:
半導体ナノ構造の量子光物性とその応用
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批准号:11212201
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$37.89万
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财政年份:1999
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负责人:荒川 泰彦
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依托单位:
シリコンメカニカル構造を有する光デバイスの研究
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批准号:96F00370
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项目类别:Grant-in-Aid for JSPS Fellows
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资助金额:$0.77万
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财政年份:1998
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负责人:荒川 泰彦
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依托单位:
近接物光学用アクティブレーザナノーブの実現
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批准号:97F00490
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项目类别:Grant-in-Aid for JSPS Fellows
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资助金额:$1.41万
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财政年份:1998
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负责人:荒川 泰彦
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依托单位:
半導体ナノ構造およびスコピック構造の極微小領域光物性の研究
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批准号:97F00511
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项目类别:Grant-in-Aid for JSPS Fellows
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资助金额:$1.41万
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财政年份:1998
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负责人:荒川 泰彦
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依托单位:
多次元量子井戸構造の導入による半導体レーザの超高速化の基礎研究
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批准号:05212205
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$1.6万
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财政年份:1993
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负责人:荒川 泰彦
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依托单位:
多次元量子井戸構造の導入による半導体レーザの超高速化の基礎研究
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批准号:04228203
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$1.47万
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财政年份:1992
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负责人:荒川 泰彦
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依托单位:
多次元量子井戸構造の導入による半導体レ-ザの超高速化
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批准号:03244202
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$1.28万
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财政年份:1991
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负责人:荒川 泰彦
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依托单位:
3次元マイクロ共振器を有する量子井戸レ-ザの基礎研究
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批准号:02650283
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项目类别:Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)
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资助金额:$1.47万
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财政年份:1990
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负责人:荒川 泰彦
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依托单位:
半導体量子マイクロ構造を有する次世代超高性能レ-ザ-に関する研究
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批准号:01550302
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项目类别:Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)
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资助金额:$1.28万
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财政年份:1989
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负责人:荒川 泰彦
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依托单位:
量子井戸レーザにおけるサブピコ秒光パルスの発生技術に関する研究
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批准号:63550287
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项目类别:Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)
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资助金额:$1.47万
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财政年份:1988
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负责人:荒川 泰彦
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依托单位:
変調ド-プ超格子構造を有する新しい光導伝デバイスと光サンプリングへの応用
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批准号:63850075
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项目类别:Grant-in-Aid for Developmental Scientific Research
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资助金额:$5.06万
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财政年份:1988
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负责人:荒川 泰彦
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依托单位:
半導体量子井戸構造における非線形光学過程と位相共役波発生技術への応用に関する研究
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批准号:62550279
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项目类别:Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)
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资助金额:$1.22万
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财政年份:1987
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负责人:荒川 泰彦
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依托单位:
国内基金
海外基金
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面向高性能集成电路的晶圆级单晶二维半导体的MOCVD精准生长及智能优化
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批准号:
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项目类别:省市级项目
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资助金额:--
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批准年份:2025
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负责人:王震宇
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依托单位:
MOCVD法制备用于微光夜视技术的GaSb红外光阴极及其激活技术研究
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批准号:--
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项目类别:面上项目
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资助金额:55万元
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批准年份:2022
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负责人:王连锴
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依托单位:
宽带宽InAs量子点MOCVD生长调控机理研究
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批准号:
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项目类别:省市级项目
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资助金额:--
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批准年份:2021
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负责人:王海珠
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依托单位:
高品质硅基立式InAs/GaSb异质结纳米线阵列MOCVD自催化生长研究
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批准号:61904074
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项目类别:青年科学基金项目
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资助金额:26.0万元
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批准年份:2019
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负责人:王小耶
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依托单位:
高效率MOCVD制备高温超导膜研究
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批准号:51872040
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项目类别:面上项目
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资助金额:60.0万元
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批准年份:2018
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负责人:陶伯万
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依托单位:
InAsP/InAsSb超晶格红外探测材料的MOCVD生长与特性研究
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批准号:61804161
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项目类别:青年科学基金项目
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资助金额:24.0万元
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批准年份:2018
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负责人:赵宇
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依托单位:
氮化镓基分布反馈激光器光栅MOCVD二次外延研究
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批准号:61804140
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项目类别:青年科学基金项目
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资助金额:23.0万元
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批准年份:2018
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负责人:李俊泽
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依托单位:
MOCVD生长晶圆尺寸二维材料范德华异质结及其光电性能研究
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批准号:51772145
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项目类别:面上项目
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资助金额:60.0万元
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批准年份:2017
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负责人:郝玉峰
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依托单位:
高迁移率MOCVD微晶氧化铟薄膜晶体管及可靠性研究
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批准号:61774172
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项目类别:面上项目
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资助金额:63.0万元
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批准年份:2017
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负责人:裴艳丽
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依托单位:
图形化衬底上AlGaInAs量子点的MOCVD生长研究
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批准号:61604171
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项目类别:青年科学基金项目
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资助金额:20.0万元
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批准年份:2016
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负责人:赵勇明
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依托单位: