光電融合LSIへ向けた絶縁膜上におけるGe系光学材料の結晶成長と光電デバイス応用

用于光电集成LSI和光电器件应用的绝缘膜上Ge基光学材料的晶体生长

基本信息

  • 批准号:
    23K13370
  • 负责人:
  • 金额:
    $ 3万
  • 依托单位:
  • 依托单位国家:
    日本
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Early-Career Scientists
  • 财政年份:
    2023
  • 资助国家:
    日本
  • 起止时间:
    2023-04-01 至 2026-03-31
  • 项目状态:
    未结题

项目摘要

项目成果

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Sb添加Ge縦型pnダイオードの電気特性に及ぼす基板加熱堆積の効果. 第26回電子デバイス界面テクノロジー研究会 ―材料・プロセス・デバイス特性の物理
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  • 通讯作者:
    深田 直樹

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