侵害刺激による脊髄後角のFos発現に対するNMDAとその拮抗薬APVの効果

雄のSDラットに、pentobarbital麻酔下で、くも膜下留置カテーテルより、NMDA受容体拮抗薬であるAPVを種々の濃度で投与し、その10分後もしくは30分後に、一側の足底に5%ホルマリンを皮下注射することによって侵害刺激を与え、刺激後2時間目の脊髄後角I・II層とV・VI層におけるFosの発現を免疫組織学的手法によって観察した。APVを侵害刺激の10分前もしくは30分前に投与した両群で、侵害刺激による脊髄後角I・II層、V・VI層におけるFosの発現は、いずれも有意に減少した。減少の程度は、I・II層においても、V・VI層においても、APVを10分前に投与した群より、30分前に投与した群の方が大きかった。また、30分前に投与した群では、投与APVの濃度が高いほど、各層におけるFos陽性細胞数の減少は大きかった。次に、上記カテーテルより、NMDAをくも膜下に種々の濃度で投与し、同様に脊髄後角I・II層とV・VI層におけるFos陽性細胞数を測定した。NMDAの単回投与では、濃度が高くなるにつれて、疼痛行動は増加したが、Fos陽性細胞数の有意な増加を認めなかった。しかし、5分間の持続投与では、I・II層におけるFos陽性細胞数は、有意に増加した。V・VI層における増加は有意ではなかった。以上の結果より、侵害刺激によるFosの発現に、glutamateとNMDA受容体が深く関与していることが示唆された。

雄のSDラットに、pentobarbital麻酔下で、くも膜下留置カテーテルより、NMDA受容体拮抗薬であるAPVを種々の濃度で投与し、その10分後もしくは30分後に、一側の足底に5%ホルマリンを皮下注射することによって侵害刺激を与え、刺激後2時間目の脊髄後角I・II層とV・VI層におけるFosの発現を免疫組織学的手法によって観察した。APVを侵害刺激の10分前もしくは30分前に投与した両群で、侵害刺激による脊髄後角I・II層、V・VI層におけるFosの発現は、いずれも有意に減少した。減少の程度は、I・II層においても、V・VI層においても、APVを10分前に投与した群より、30分前に投与した群の方が大きかった。また、30分前に投与した群では、投与APVの濃度が高いほど、各層におけるFos陽性細胞数の減少は大きかった。次に、上記カテーテルより、NMDAをくも膜下に種々の濃度で投与し、同様に脊髄後角I・II層とV・VI層におけるFos陽性細胞数を測定した。NMDAの単回投与では、濃度が高くなるにつれて、疼痛行動は増加したが、Fos陽性細胞数の有意な増加を認めなかった。しかし、5分間の持続投与では、I・II層におけるFos陽性細胞数は、有意に増加した。V・VI層における増加は有意ではなかった。以上の結果より、侵害刺激によるFosの発現に、glutamateとNMDA受容体が深く関与していることが示唆された。