侵害刺激による脊髄後角のFos発現に対するNMDAとその拮抗薬APVの効果

NMDA及其拮抗剂APV对伤害性刺激诱导的脊髓背角Fos表达的影响

• 批准号: 08771210
• 负责人: 小金丸 美桂子
• 金额: $ 0.7万
• 依托单位: 宮崎医科大学
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
• 财政年份: 1996
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 1996 至 无数据
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-08771210/
• 关键词: Fos; NMDA受容体; APV; 脊髄後角

雄のSDラットに、pentobarbital麻酔下で、くも膜下留置カテーテルより、NMDA受容体拮抗薬であるAPVを種々の濃度で投与し、その10分後もしくは30分後に、一側の足底に5%ホルマリンを皮下注射することによって侵害刺激を与え、刺激後2時間目の脊髄後角I・II層とV・VI層におけるFosの発現を免疫組織学的手法によって観察した。APVを侵害刺激の10分前もしくは30分前に投与した両群で、侵害刺激による脊髄後角I・II層、V・VI層におけるFosの発現は、いずれも有意に減少した。減少の程度は、I・II層においても、V・VI層においても、APVを10分前に投与した群より、30分前に投与した群の方が大きかった。また、30分前に投与した群では、投与APVの濃度が高いほど、各層におけるFos陽性細胞数の減少は大きかった。次に、上記カテーテルより、NMDAをくも膜下に種々の濃度で投与し、同様に脊髄後角I・II層とV・VI層におけるFos陽性細胞数を測定した。NMDAの単回投与では、濃度が高くなるにつれて、疼痛行動は増加したが、Fos陽性細胞数の有意な増加を認めなかった。しかし、5分間の持続投与では、I・II層におけるFos陽性細胞数は、有意に増加した。V・VI層における増加は有意ではなかった。以上の結果より、侵害刺激によるFosの発現に、glutamateとNMDA受容体が深く関与していることが示唆された。

Male SD, pentobarbital anesthesia, submembranous retention, NMDA receptor antagonist, APV seed concentration, 10 minutes later, 30 minutes later, 5% APV on one sole of the foot, subcutaneous injection, stimulation, 2 hours after stimulation, spinal dorsal horn, I, II, V, VI layer Fos development was observed by immunohistochemical technique. APV stimulation 10 minutes ago, 30 minutes ago, 10 minutes ago, 30 minutes ago, 30 minutes ago, 30 The degree of reduction is: I·II layer, V·VI layer, APV layer, 10 minutes ago, 30 minutes ago. The concentration of APV in each layer decreased significantly, and the number of Fos positive cells decreased significantly. The number of Fos positive cells in the posterior horn of the spine was measured. NMDA levels increased, pain activity increased, and Fos positive cells increased intentionally. The number of Fos positive cells in layer I and layer II increased intentionally. V·VI layer As a result, the expression of Fos, glutamate and NMDA receptors are closely related to each other.