低エネルギー中性粒子エッチングの研究
低能中性粒子刻蚀研究
基本信息
- 批准号:12750022
- 负责人:
- 金额:$ 1.6万
- 依托单位:
- 依托单位国家:日本
- 项目类别:Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
- 财政年份:2000
- 资助国家:日本
- 起止时间:2000 至 2001
- 项目状态:已结题
- 来源:
- 关键词:
项目摘要
半導体デバイスの小型化にともない、より一層の精密な加工技術が必要とされている。この加工技術に必要とされる条件は、高い異方性、高選択性、低ダメージなどである。イオンを用いたエッチングではその電荷がエッチング中に表面に蓄積するため、この電荷により入射イオンが曲げられ垂直な加工を困難としている。この効果は、酸化膜などの絶縁物の加工において特に顕著となる。このため、中性のエッチングガスを用いた異方性のエッチング技術の開発が求められている。一方、高選択性を満たすためにはエッチングに用いるガス種に反応活性種(ラジカル)を大量に用いることおよび低エネルギーのエネルギーでエッチングすることが必要とされる。本研究では前述した高精度の半導体加工に応用する目的で、低エネルギー中性粒子線源の開発を行った。本装置は、高周波プラズマ生成室と高速原子線セルとから構成される。プラズマ生成室において高密度のプラズマを発生させたイオン・電子を、原子線生成室に供給する。高速原子線生成室では、中央のリングの陽極と周りの陰極間に低電圧を加えプラズマを発生させる。この際電子は、高速原子線源の両端で振動するため高密度のプラズマが発生できる。高速原子線生成室の出口に形成した微小な孔の中で電荷交換が起こりイオンは中性粒子として放出される。本年度は昨年度作製した装置を利用し、高感度センサーの作成を行った。この高感度センサーは、シリコンを極限の薄さまで薄くして高感度に質量変化を測定できる。カーボンナノチューブなどの水素吸蔵などの特性を評価した。
The miniaturization of semiconductor devices is necessary for one-layer precision processing technology. The necessary conditions for this processing technology include high heterogeneity, high selectivity and low cost. The charge in the surface is accumulated, and the charge in the vertical processing is difficult. The effect of this is that the acid film and the insulating material are processed in a special way. The development of technology in the field of computer science and technology A party, high selectivity, high This study aims to achieve the aforementioned goal of high precision semiconductor processing applications, and to develop low cost neutral particle sources. The device is composed of a high-frequency atomic line generator. High density electron generation chamber High speed atomic ray generation chamber, center, anode, cathode, low voltage, high voltage generation. The high density of electrons and high speed atomic line sources are generated by vibration at the end of the spectrum. The exit of the high-speed atomic ray generation chamber is formed in tiny holes in which charge exchange occurs and neutral particles are emitted. This year's production of high-sensitivity devices The sensitivity of the film is measured by measuring the quality of the film. The water absorption characteristics of the water absorption system were evaluated.
项目成果
期刊论文数量(26)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
Jinling Yang,Takahito Ono and Masayoshi Esashi: "Mechanical Behavior of Ultrathin Microcantilever"Sensors and Actuators. 82. 102-107 (2000)
Jinling Yang、Takahito Ono 和 Masayoshi Esashi:“超薄微悬臂梁的机械行为”传感器和执行器。
- DOI:
- 发表时间:
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:
- 通讯作者:
Phan Ngoc Minh,Takahito Ono and Masayoshi Esashi: "High throughput aperture near-field scanning optical microscopy"Review of Scientific Instruments. 71. 3111-3117 (2001)
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- DOI:
- 发表时间:
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:
- 通讯作者:
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- DOI:
- 发表时间:
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:
- 通讯作者:
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- DOI:
- 发表时间:
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:
- 通讯作者:
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- 作者:
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