高耐力フルオロカーボン絶縁被覆のプラズマプロセスによる形成と損傷修復に関する研究

等离子工艺高强度氟碳绝缘涂层的形成及损伤修复研究

基本信息

  • 批准号:
    12750233
  • 负责人:
  • 金额:
    $ 1.34万
  • 依托单位:
  • 依托单位国家:
    日本
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
  • 财政年份:
    2000
  • 资助国家:
    日本
  • 起止时间:
    2000 至 2001
  • 项目状态:
    已结题

项目摘要

C_7F_<16>を材料としたプラズマCVD法でアモルファスフルオロカーボン(CF)膜を堆積した。XPSでF/C組成比を、静電容量測定とエリプソメータによる膜厚測定から比誘電率ε_rを、正極性針対平板電極系絶縁破壊試験で絶縁耐力をそれぞれ測定し、熱処理(100〜300℃)後の膜厚減少分から耐熱性を評価した。これらの結果から(1)材料のガス圧依存性(30〜80Pa)、(2)He混合(0〜30Pa)の影響、(3)酸素混合(2〜4Pa)の影響を検討した。(1)では低圧ほどF/C比が上昇しε_rは2.1程度まで下がったが、同時に堆積率も低下し耐熱性試験時の膜厚減少幅も大きくなった。絶縁耐力は2MV/cm以上であった。材料ガス圧による膜質制御では耐熱性向上と誘電率低減の両立は難しかった。類似の巨大分子材料C_8F_<18>を用いて堆積したCF膜でも比誘電率は2.5以下、絶縁耐力は1MV/cm以上であった。(2)ではHe増加に伴いε_rが低下し(1)同様の傾向が見られた。加えて、堆積中のプラズマ状態が安定して膜質のばらつきが減り再現性が向上した。(3)ではCF膜からのC原子引き抜きによるF/C比増加即ちε_r低下を期待したが、酸素活性種のエッチング効果が強く数Paの混合で堆積率が著しく低下し、6Pa以上では膜堆積できなくなった。2〜4Paにおける堆積膜の膜質はばらつきが大きいものの、中には低いε_rが得られた例もあり、多孔質構造のような空疎なCF膜が得られた可能性が示唆される。続いて、絶縁破壊部再生を模擬し、CF膜で被覆済みの面と基板が露出した面が接する個所へのCF膜再堆積を試みた。膜厚の時間変化から、再堆積開始時は露出面への堆積の方が速やかに進む傾向が見られたが、再堆積が進行した後は、被覆面と露出面に堆積したCF膜の厚さは同程度になった。
Cation7Functionltbot 16gt; material, CVD method, CVD method, film stack (CF). XPS Fachet C component ratio, static capacity measurement, thermal conductivity test, thermal endurance test, thermal stability test, thermal stability test, static capacity test, thermal capacitance test, thermal endurance test, thermal treatment (100 ℃, 300 ℃). The results were as follows: (1) material dependence (30~80Pa), (2) He mixing (0~30Pa), and (3) acid mixing (2~4Pa). The main results are as follows: (1) the film thickness is lower than that of ε _ r = 2.1, and the film thickness is lower than that of ε _ r = 2.1. At the same time, the reactor activity is low and the endurance is low. The endurance is higher than 2MV/cm. The material is used to control the thermal endurance of the film. The electrical efficiency is low. The type is similar to that of the giant molecular material CCl8 FLTX 18gt; the temperature of the CF film is lower than 2.5, and the endurance is above 1MV/cm. (2) adding "He" with "ε _ r" low "(1) the same as the other words." In the stack, you need to make sure that the membrane is stable, and then the sex is up. (3) the concentration of carbon atoms in the CF film is lower than that in ε _ r, and the positive rate of Pa is lower than that of ε _ r. (3) the positive rate of carbon dioxide in CF film is lower than that in ε _ r. 2-4 Paws, the positive membrane, the membrane, the The surface of the regenerative model and the covered surface of the CF film are exposed to the surface of the CF film to which the CF film is connected. The thickness of the film is changed over time, and when the stack is fully opened, it is shown that the thickness of the CF film is the same as the thickness of the film.

项目成果

期刊论文数量(16)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
K.Hokoi: "C_7F_<16>/He rf plasma CVD of a-C : F films"53rd Ann. Gaseous Electronics Conf. (Am.Phys.Soc.). JWP.70- (2000)
K.Hokoi:“a-C : F 薄膜的 C_7F_<16>/He rf 等离子体 CVD”53rd Ann。
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    0
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鉾井耕司: "C_7F_<16>プラズマCVDにより堆積したフロロカーボン膜の電気的特性"第37回応用物理学会北海道支部・第7回レーザー学会東北・北海道支部合同学術講演会. A-24. (2002)
Koji Hokoi:“C_7F_<16>通过等离子体CVD沉积的氟碳膜的电特性”第37届日本应用物理学会北海道分会/第7届激光学会东北/北海道分会联合学术会议(2002年)。
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    0
  • 作者:
  • 通讯作者:
鉾井耕司: "C_7F_<16>を用いたC:F膜の堆積とその評価-ガス圧依存性および気体混合による効果-"平成13年電気学会放電研究会資料. ED-01-113. (2001)
Koji Hokoi:“使用 C_7F_<16> 沉积 C:F 薄膜及其评估 - 气体压力依赖性和气体混合的影响 -”2001 IEEJ 放电研究组材料 (2001)。
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    0
  • 作者:
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鉾井耕司: "C_7F_<16>/Heを用いたa-C : F膜のRFプラスマCVD"平成12年第61回応用物理学会学術講演会. 5a-F-11 (2000)
Koji Hokoi:“使用 C_7F_<16>/He 的 a-C:F 薄膜的 RF 等离子体 CVD”第 61 届日本应用物理学会年会,2000 年。5a-F-11 (2000)
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    0
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C.Biloiu: "Electrical Proprieties of Fluorocarbon Polymer Films Obtained by Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition"平成14年電気学会全国大会講演論文集. 1. No.142 (2002)
C. Biloiu:“通过等离子体增强化学气相沉积获得的氟碳聚合物薄膜的电气特性”日本电气工程师协会 2002 年全国会议记录 1. No. 142 (2002)。
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