新型O.05―500keV域イオンエネルギー分析用多チャンネル半導体検出器の開発

开发用于O.05-500keV范围离子能量分析的新型多通道半导体探测器

基本信息

  • 批准号:
    12780352
  • 负责人:
  • 金额:
    $ 1.41万
  • 依托单位:
  • 依托单位国家:
    日本
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
  • 财政年份:
    2000
  • 资助国家:
    日本
  • 起止时间:
    2000 至 2001
  • 项目状态:
    已结题

项目摘要

我々が独自に開発・実用化している、斜めの静電場を用いた新型小型イオン・エネルギー・スペクトル計測器の通常の金属コレクターの代りに、新型半導体検出器を使用する事により、広エネルギー領域の計測が可能な、新型イオン・エネルギー・スペクトル計測器を実現できる事が、イオン源を用いた基礎研究で分った。この成果をプラズマ計測に適用するために、プラズマからのX線等をカットする新機構、及びイオン質量分析機能を付加した「高感度・広エネルギー領域計測が可能な新型イオン・エネルギー計測器」を開発している。低エネルギー・イオンに感度を持つ検出器に関しては、我々の半導体検出器薄膜製法特許を用い、不感層厚が1nmの半導体検出器を開発した。この検出器は、単色エネルギー・イオン源により、凡そ100eVのイオンに対し十分な感度を有していることが確認された。更に不感層が薄く、より低エネルギー(数10eV)まで感度を持つ検出器の開発を引き続き行っている。新型静電型イオン・エネルギー・スペクトル計測器において、イオン・エネルギー分析は斜めグリッドに印加する電圧のスイープと、斜めグリッドとその前段にあるグリッド間の電位差により行い、イオン質量分析はプラズマ閉じ込め装置が持つ磁場を利用し、斜めグリッドにより偏向され磁力線に垂直速度成分を持ったイオンがドリフトする際、質量の差異による軌道差を多チャンネル化した半導体検出器で検出する。そこで、計算機シミュレーションにより、多チャンネル半導体イオン検出器、及びこれを内蔵した新型イオン・エネルギー・スペクトル計測器の設計配位を最適化するための検討を進めた。更に、プロトタイプの新型静電型イオン・エネルギー・スペクトル計測器をガンマ10タンデムミラー装置端部に設置し、端部に流出するプラズマ・イオン計測を行い、実際のプラズマ計測が可能であることを確認した。
We independently operate a new type of miniature vehicle for industrial use, a new type of vehicle for use in an oblique car, a new type of miniature car, and a new type of semi-marine exchanger that uses the electrical equipment, the new type of semi-conductor, and the new type of equipment, which is used in the field of environmental protection, and the new type of equipment. The source of the study is based on the basis of the research. The results show that the new equipment, such as the equipment, X-ray, and other equipment, and the high-sensitivity equipment can be used to improve the performance of the new type of equipment. The low temperature sensitivity depends on the performance of the output device, and the thin film method of the half-body exchanger is suitable for use, and it is not sensitive to the thick 1nm half-body device. The device, the color, the source, the 100eV, the sensitivity, the output, the color, the source, the source and the source. It is more important to have a low level of sensitivity (10eV). You can use the output device to introduce the information system. A new type of static electricity equipment is used in this paper. The new type of static electricity equipment is used in the field of static electricity. the new type of static electricity is used in the new type of static electricity, the new type of static electricity is used in the new type of static electricity, the new type of static electricity is used in the new type of static electricity, the new type of static electricity is used in the new type of static electric equipment. There is a bias in the direction of the magnetic force, the vertical velocity component, the magnetic force, the vertical velocity component, the magnetic force, the vertical velocity component, the magnetic force, the vertical velocity component, the magnetic force and the vertical velocity component. The equipment, the computer, the The new type of static electric device is in good condition. The equipment is set at the end of the device, and the end of the device is set at the end of the device. It is possible to confirm that it is possible to check the temperature of the device.

项目成果

期刊论文数量(24)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
M.Hirata: "Development of Novel Ion-Energy Spectrometer Using a Semiconductor Detector Collector Under a Circumstance of Simultaneously Incident Ions and Electrons with X rays"Transactions of Fusion Technology. 39. 281-284 (2001)
M.Hirata:“在 X 射线同时入射离子和电子的情况下,使用半导体探测器收集器开发新型离子能谱仪”《聚变技术汇刊》。
  • DOI:
  • 发表时间:
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
  • 通讯作者:
J.Kohagura: "Investigation of X-ray-Energy Responses of Semiconductor Detectors under Deuterium-Tritium Fusion-Produced Neutron Irradiation"Review of Scientific Instruments. 72. 805-808 (2001)
J.Kohagura:“氘氚聚变产生的中子辐照下半导体探测器的 X 射线能量响应的研究”科学仪器评论。
  • DOI:
  • 发表时间:
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
  • 通讯作者:
T.Cho et al.: "Generalization and consolidation of scaling laws of potential formation and associated effects in the GAMMA 10 tandem mirror"Nuclear Fusion. Vol.41,No.9. 1161-1170 (2001)
T.Cho 等人:“GAMMA 10 串联镜中潜在形成和相关效应的标度定律的概括和巩固”核聚变。
  • DOI:
  • 发表时间:
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  • 影响因子:
    0
  • 作者:
  • 通讯作者:
M. Hirata, et al.: "Development of Novel Ion-Energy Spectrometer Using a Semiconductor Detector Collector Under a Circumstance of Simultaneously Incident Ions and Electrons with X rays"Transactions of Fusion Technology. Vol.39. 281-284 (2001)
M. Hirata 等人:“在 X 射线同时入射离子和电子的情况下使用半导体探测器收集器开发新型离子能谱仪”Transactions of Fusion Technology。
  • DOI:
  • 发表时间:
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
  • 通讯作者:
M. Hirata et al.: "Tomographic Reconstruction of Plasma Electron Temperature Profiles Using Semiconductor Detector Arrays in the Elliptic Transition Region and the Circular Central Cell of the GAMMA 10 Tandem Mirror"Nuclear Instruments and Methods in Phys
M. Hirata 等人:“在 GAMMA 10 串联镜的椭圆过渡区域和圆形中心单元中使用半导体探测器阵列对等离子体电子温度分布进行断层扫描重建”物理中的核仪器和方法
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