酸化銅を用いた高移動度薄膜トランジスタの低温形成

使用氧化铜低温形成高迁移率薄膜晶体管

• 批准号: 07455148
• 负责人: 松村 英樹
• 金额: $ 3.58万
• 依托单位: Japan Advanced Institute of Science and Technology
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for General Scientific Research (B)
• 财政年份: 1995
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 1995 至 无数据
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-07455148/
• 关键词: 酸化銅; 薄膜トランジスター; TFT; スパッタ膜; 熱酸化

本研究は、銅の薄膜を単純に熱酸化することにより得られる酸化銅を用い、液晶ディスプレイの画面制御にも使用できるような、高移動度の薄膜トランジスタ(TFT)の実現を目指し、それに必要な基礎特性を明らかにすることを目的としたものである。まず、本研究では、スパッタ法により堆積された銅薄膜を出発原料として用いることにより、300℃以下の純粋な酸化銅が形成できることを見い出し、この低温での酸化銅形成における酸化温度、酸化時間および酸化膜厚の関係を表現できる実験式を導出することに成功した。次に、この酸化銅を用いて、結晶シリコンをゲート電極、シリコン酸化膜をゲート絶縁膜とするTFTの製作を目指し、そのために必要となる。作られた酸化銅の熱処理特性、銅とゲート絶縁膜との反応の有無、について検討を加えた。その結果、この酸化銅全体としては800℃までの耐熱性があること、しかし、酸化銅とゲート絶縁膜との界面が400℃程度の熱処理で反応を開始するので、TFT製作時の熱処理温度を400℃以下とする必要のあることなどを明らかにした。すでに、低温形成された酸化銅を用いてTFTを試作しているが、今のところは、安定な動作の確認までは至っておらず、研究自体は継続中であるが、本研究により、上述のように、酸化銅の低温形成に関する全く新しい知見を得ることができた。

This study は, copper の film を 単 pure に hot acidification す る こ と に よ り have ら れ る acidification in copper を い, LCD デ ィ ス プ レ イ の picture suppression に も use で き る よ う な, high degree of mobile の film ト ラ ン ジ ス タ (TFT) の be presently を refers し, そ れ に な necessary basic features を Ming ら か に す る こ と を purpose と し た も の で あ る. ま ず, this study で は, ス パ ッ タ method に よ り accumulation さ れ た copper film を out 発 materials と し て in い る こ と に よ り, below 300 ℃ の pure 粋 な acidic copper が form で き る こ と を see い し, こ の cryogenic で の acidic copper form に お け る acidification temperature, acidification time お よ び acidification film thickness の を masato department performance で き る be 験 type を export す る こ と に Success: た. に, こ の acidification in copper を い て, crystallization シ リ コ ン を ゲ ー ト electrode, シ リ コ ン acidification membrane を ゲ ー ト never try membrane と す る TFT の making を refers し, そ の た め に necessary と な る. As ら れ た acidification copper heat の 処 principle features, copper と ゲ ー ト never try membrane と の anti 応 の, に つ い て を 検 please add え た. そ の results, こ の acidic copper all と し て は 800 ℃ ま で の heat-resistant が あ る こ と, し か し, acidic copper と ゲ ー ト never try membrane と の interface が degree of 400 ℃ heat の 処 で decommissioning 応 を began す る の で, TFT の when producing hot 処 を temperature below 400 ℃ と す る necessary の あ る こ と な ど を Ming ら か に し た. す で に, low temperature formation さ れ た acidification in copper を い て TFT を attempt し て い る が, today の と こ ろ は, stable な action の confirm ま で は to っ て お ら ず, research of autologous は 継 続 in で あ る が, this study に よ り, the above の よ う に, acidic copper の low temperature formation に masato す る く all new し い knowledge を have る こ と が で き た.

项目成果

Kouji Fujimaru et al.: "Theoretical Consideration of a New Nanometer Transistor Using Metal/Insulator Tunnel Junction." Jpn. J. Appl. Phys.35(印刷中). (1996)

Kouji Fujimaru 等人：“使用金属/绝缘体隧道结的新型纳米晶体管的理论考虑”，J. Appl.35（出版中）。

Hideki Matsumura et al.: "Low Temperature Formation of High‐Mobility Polysilicon TFT by cat‐CVD Method." Tech. Paper of AM‐LCD 95. 89-92 (1995)

Hideki Matsumura 等人：“采用 cat-CVD 方法低温形成高迁移率多晶硅 TFT”，AM-LCD 技术论文 95. 89-92 (1995)

Hideki Matsumura et al.: "Properties of High‐Mobility Cu_2O Films Prepared by Thermal Oxidation of Cu at Low Temperatures." Jpn. J. Appl. Phys.35(受理決定済み). (1996)

Hideki Matsumura 等人：“低温热氧化 Cu 制备的高迁移率 Cu_2O 薄膜的特性”，J. Appl.35（已决定接受）。

Haruhisa Makino et al.: "High Mobility Polysilicon TFT Produced by cat‐CVD Method at Low Temperatures." Proc.of 15th Int. Display Research Conf.325-328 (1995)

Haruhisa Makino 等人：“低温 Cat-CVD 方法生产的高迁移率多晶硅 TFT”，第 15 届国际显示研究会议 (1995)。

Hideki Matsumura et al.: "Theoretical Study for Drastic Improvement of Solar Cell EFFiciemcy." Jpn. J. Appl. Phys.34. 2252-2259 (1995)

Hideki Matsumura 等人：“大幅提高太阳能电池效率的理论研究”。