触媒反応を用いた新しいドライ・エッチング・クリ-ニング法の開発

利用催化反应开发新型干蚀刻清洗方法

• 批准号: 02650226
• 负责人: 松村 英樹
• 金额: $ 1.41万
• 依托单位: Hiroshima University
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)
• 财政年份: 1990
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 1990 至 无数据
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-02650226/
• 关键词: ドライ・エッチング; ドライ・クリ-ニング; 触媒反応; 触媒ドライ・エッチング

プラズマを用いたドライ・エッチング法は、集積回路製作などに広く用いられているが、プラズマ損傷の影響が危惧されることもある。また、液晶ディスプレイ用FET製作時に、下地半導体薄膜を大面積に渡ってエッチングまたは表面クリ-ニングする技術の開発も求められている。このため、プラズマを用いず、かつ大面積にしても安定に固体表面をエッチングまたはクリ-ニングする技術の開発には大きな意義がある。本研究では、熱触媒体に原料ガスを吹き付けるだけでエッチング種を発生させることにより、プラズマも光励起も用いることなく、固体表面を大面積にわたってエッチングする新しい方法を提案し、その方法の可能性について基礎的検討を行なった。その結果、まずエッチングガスとしてNF_3とH_2混合ガスを用い、触媒体としてタングステンを用いた場合、シリコン表面が300℃以下の低温で微小にエッチングされることがあること、しかしそれはシリコン自身の表面洗浄に依存するなど再現性に乏しいこと、さらにNF_3混合比がH_2の10分1を越えると触媒体材料による基板汚染が見られること、などを見い出した。また、H_2ガスのみをエッチングガスとして用いると、触媒体による基板汚染は見られなくなるが、エッチング自体の低温での再現性良い確認ができなくなること、などを見い出した。以上のように、今のところは、初期に目指したような実用レベルの再現性良いエッチング、表面クリ-ニングを実現するには至っていないが、研究は現在も継続中であり、少なくともNF_3とH_2混合ガスの使用により300℃以下の低温でシリコンがエッチングされることがあることを示した点で、知見を進めることができた。

プ ラ ズ マ を with い た ド ラ イ · エ ッ チ ン は グ method, collection of integrated circuit production な ど に hiroo く with い ら れ て い る が, プ ラ ズ マ damage の が of it さ れ る こ と も あ る. ま た, LCD デ ィ ス プ レ イ made に above or semiconductor film FET を large に crossing っ て エ ッ チ ン グ ま た は surface ク リ - ニ ン グ す る technology の open 発 も o め ら れ て い る. こ の た め, プ ラ ズ マ を with い ず, か つ large に し て も settle に solid surface を エ ッ チ ン グ ま た は ク リ - ニ ン グ す る technology の open 発 に は big き な meaning が あ る. This study で は に raw materials, thermal contact media ガ ス を blow き pay け る だ け で エ ッ チ ン グ kind を 発 raw さ せ る こ と に よ り, プ ラ ズ マ も excitation light up も with い る こ と な く, solid surface を large に わ た っ て エ ッ チ ン グ す る new し い method proposed を し, そ の way の possibility に つ い て basic line beg を 検 な っ た. そ の results, ま ず エ ッ チ ン グ ガ ス と し て NF_3 と H_2 mixed ガ ス を い, touch media と し て タ ン グ ス テ ン を with い た occasions, シ リ コ ン surface が の under 300 ℃ low temperature で tiny に エ ッ チ ン グ さ れ る こ と が あ る こ と, し か し そ れ は シ リ コ ン incorporated their own の surface に dependent す る な ど reproducibility に spent し い こ と, さ ら に NF_3 mixing ratio が H_2 の 10 points 1 を more え る と touch media material に よ る substrate pollution が see ら れ る こ と, な ど を see い out し た. ま た, H_2 ガ ス の み を エ ッ チ ン グ ガ ス と し て in い る と, touch media に よ る substrate pollution は see ら れ な く な る が, エ ッ チ ン グ autologous の cryogenic で の reproducibility good い confirm が で き な く な る こ と, な ど を see い out し た. Above の よ う に, today の と こ ろ は, initial に refers し た よ う な be used レ ベ ル の reproducibility good い エ ッ チ ン グ, surface ク リ - ニ ン グ を be presently す る に は to っ て い な い が, research now は も 継 続 in で あ り, less な く と も NF_3 と H_2 mixed ガ ス の use に よ り の under 300 ℃ low temperature で シ リ コ ン が エ ッ チ ン グ さ れ る こ と が あ る こ と を shown し た で, knowledge を into め る こ と が で き た.

项目成果

Hideki MATSUMURA: "Properties of CatalyticーCVD Amorphous Silicon Germanium (aーSi H)" Mat.Res.Soc.Symp.Proc.192. 499-503 (1990)

Hideki MATSUMURA​​：“催化 CVD 非晶硅锗 (a-Si H) 的特性”Mat.Res.Soc.Symp.Proc.192 (1990)。

Masaaki YAMAGUCHI: "Photoluminescence of aーSi:H Films Prepared by Catalytic Chemical Vapor Deposition Method" Jpn.J.Appl.Phys.29. L1366-L1368 (1990)

Masaaki YAMAGUCHI：“催化化学气相沉积法制备的 a-Si:H 薄膜的光致发光”Jpn.J.Appl.Phys.29 (1990)。

Hideki MATSUMURA: "A New Low Temperature CVD Utilizing Catalytic Reaction" Proc.of 11th Int.Conf.on CVD,at Seattle,Oct.,1990. 173-179 (1990)

Hideki MATSUMURA​​：“利用催化反应的新型低温 CVD”Proc.of 11th Int.Conf.on CVD，西雅图，1990 年 10 月。