反射型X線リソグラフィ-法によるパタ-ン縮小転写のためのX線光学系
反射型X線リソグラフィ-法によるパタ-ン縮小転写のためのX線光学系
批准号:
01651504
负责人:
松村 英樹
金额:
$2.88万
依托单位:
依托单位国家:
日本
项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
财政年份:
1989
资助国家:
日本
项目状态:
已结题
起止时间:
1989 至 --
中文摘要
将来の微細加工技術としてX線を用いたパタ-ン転写法、すなわちX線リソグラフィ-法が注目されている。しかし、従来は、パタ-ンの描かれた厚み2,3ミクロンの薄膜マスクを試料に近接して置き、これにX線を透過させることにより原寸でパタ-ンの転写を行なっていたため、1)薄膜マスクの製作とその安定な維持が容易でない、2)パタ-ンが微細化するに従いマスクの位置合わせが困難となる、などの問題も指摘されていた。本研究は、パタ-ンの描かれた厚板パタ-ン反射板からの反射X線をミラ-により収束し、試料面上に2次元に縮小されたパタ-ンを投影転写するという、反射型X線リソグラフィ-法と名付けた新しい方法を開発し、従来法の持つ問題点を克服することを目標としたもので、当面は、反射縮小光学系に関する基礎的知見を得ることを目的としている。反射縮小光学系としてはシュワルツシルド型など2枚のミラ-を用いる系が知られていたが、試料面に到達するX線強度を減衰させないため、特に1枚のミラ-による2次元縮小光学系の開発を目指した。その結果、1)楕円の長軸、短軸から離し、かつ傾けた線を回転軸とする変則的な回転楕円体ミラ-を用いることにより、わずか1枚のミラ-によっても、250ミクロン×20ミクロンの狭い領域にではあるが、ボケ巾0.03ミクロン以内でパタ-ンの2次元縮小転写が可能なこと、2)同種のミラ-の並列配置により縮小転写領域を等価的に拡大できる可能性のあることをまず理論的に明らかにした。また、短波長レ-ザ-を光源として、この系によるパタ-ンの2次元縮小転写の実験的検証も試みている。
英文摘要
将来の微細加工技術としてX線を用いたパタ-ン転写法、すなわちX線リソグラフィ-法が注目されている。しかし、従来は、パタ-ンの描かれた厚み2,3ミクロンの薄膜マスクを試料に近接して置き、これにX線を透過させることにより原寸でパタ-ンの転写を行なっていたため、1)薄膜マスクの製作とその安定な維持が容易でない、2)パタ-ンが微細化するに従いマスクの位置合わせが困難となる、などの問題も指摘されていた。本研究は、パタ-ンの描かれた厚板パタ-ン反射板からの反射X線をミラ-により収束し、試料面上に2次元に縮小されたパタ-ンを投影転写するという、反射型X線リソグラフィ-法と名付けた新しい方法を開発し、従来法の持つ問題点を克服することを目標としたもので、当面は、反射縮小光学系に関する基礎的知見を得ることを目的としている。反射縮小光学系としてはシュワルツシルド型など2枚のミラ-を用いる系が知られていたが、試料面に到達するX線強度を減衰させないため、特に1枚のミラ-による2次元縮小光学系の開発を目指した。その結果、1)楕円の長軸、短軸から離し、かつ傾けた線を回転軸とする変則的な回転楕円体ミラ-を用いることにより、わずか1枚のミラ-によっても、250ミクロン×20ミクロンの狭い領域にではあるが、ボケ巾0.03ミクロン以内でパタ-ンの2次元縮小転写が可能なこと、2)同種のミラ-の並列配置により縮小転写領域を等価的に拡大できる可能性のあることをまず理論的に明らかにした。また、短波長レ-ザ-を光源として、この系によるパタ-ンの2次元縮小転写の実験的検証も試みている。
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Hideki Matsumura,Yoshihide Watanabe: "Two-dimensional Demagnified Projection System Using a Single Focusing mirror.(tentative)" Appl.Optics.
Hideki Matsumura、Yoshihide Watanabe:“使用单聚焦镜的二维缩小投影系统。(暂定)”Appl.Optics。
DOI:
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发表时间:
期刊:
影响因子:
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作者:
[]
通讯作者:
Hideki Matsumura: "Theoretical Consideration on Demagnified X-Ray Lithography Using No Thin Film Pattern Masks." Proc.of 3rd Micro-Process Conf.(Jpn.J.Appl.Phys.).
Hideki Matsumura:“不使用薄膜图案掩模的缩小 X 射线光刻的理论思考。”
DOI:
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发表时间:
期刊:
影响因子:
--
作者:
[]
通讯作者:
Hideki Matsumura: "Silicon Nitride produced by catalytic chemical vapor deposition method." J.Appl.Phys.66. 3612-3617 (1989)
Hideki Matsumura:“通过催化化学气相沉积法生产氮化硅。”
DOI:
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发表时间:
期刊:
影响因子:
--
作者:
[]
通讯作者:
Yoshihide Watanabe: "A Hamilton Formalism for Evplution Equations with Odd Variables." Annali de Mat.pure ed appl.154. 127-146 (1989)
Yoshihide Watanabe:“带有奇变量的演化方程的汉密尔顿形式主义。”
DOI:
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发表时间:
期刊:
影响因子:
--
作者:
[]
通讯作者:
Hideki Matsumura: "Study on catalytic chemical vapor deposition method to prepare hydrogenated amorphous silicon." J.Appl.Phys.65. 4396-4402 (1989)
Hideki Matsumura:“催化化学气相沉积法制备氢化非晶硅的研究”。
DOI:
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发表时间:
期刊:
影响因子:
--
作者:
[]
通讯作者:
共 6 条
代数曲線の有理点問題の有理矩形求積公式及び有理三角形への応用
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批准号:24KJ0183
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项目类别:Grant-in-Aid for JSPS Fellows
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资助金额:$2.41万
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财政年份:2024
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负责人:松村 英樹
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依托单位:
触媒化学気相成長法によるシリコン系薄膜の成長プロセス
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批准号:11895001
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
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资助金额:$2.11万
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财政年份:1999
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负责人:松村 英樹
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依托单位:
常圧触媒CVD(Cat-CVD)法
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批准号:10875069
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项目类别:Grant-in-Aid for Exploratory Research
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资助金额:$1.34万
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财政年份:1998
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负责人:松村 英樹
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依托单位:
酸化銅を用いた高移動度薄膜トランジスタの低温形成
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批准号:07455148
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项目类别:Grant-in-Aid for General Scientific Research (B)
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资助金额:$3.58万
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财政年份:1995
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负责人:松村 英樹
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依托单位:
触媒CVD法による高移動度ポリ・シリコン膜の低温形成
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批准号:04650268
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项目类别:Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)
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资助金额:$1.28万
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财政年份:1992
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负责人:松村 英樹
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依托单位:
異方性フォト・レジストによるパタ-ン転写精度の向上
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批准号:03650327
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项目类别:Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)
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资助金额:$1.15万
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财政年份:1991
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负责人:松村 英樹
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依托单位:
触媒反応を用いた新しいドライ・エッチング・クリ-ニング法の開発
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批准号:02650226
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项目类别:Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)
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资助金额:$1.41万
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财政年份:1990
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负责人:松村 英樹
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依托单位:
触媒CVD法により作られるアモルファス半導体膜特性の触媒体依存性.
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批准号:63550236
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项目类别:Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)
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资助金额:$0.0万
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财政年份:1988
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负责人:松村 英樹
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依托单位:
熱触媒反応を用いた高品質絶縁膜の低温形成
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批准号:62550229
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项目类别:Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)
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资助金额:$1.22万
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财政年份:1987
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负责人:松村 英樹
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依托单位:
触媒CVD法による高品質アモルファス半導体の光学バンドギャップの制御
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批准号:61550230
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项目类别:Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)
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资助金额:$1.22万
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财政年份:1986
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负责人:松村 英樹
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依托单位:
中間状態種を用いた高性能熱 CVD アモルファス・シリコンの製作
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批准号:60550234
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项目类别:Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)
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资助金额:$1.28万
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财政年份:1985
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负责人:松村 英樹
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依托单位:
パターン縮小可能な新しいX線露光法に関する基礎研究
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批准号:59550264
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项目类别:Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)
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资助金额:$1.41万
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财政年份:1984
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负责人:松村 英樹
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依托单位:
活性SiF_2ガス・グロー放電分解による高光導電性アモルファス-シリコンの製作
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批准号:57750245
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项目类别:Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
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资助金额:$0.58万
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财政年份:1982
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负责人:松村 英樹
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依托单位:
BF_3, PF_5ガス導入による高耐熱アモルファスーシリコンのp-n制御
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批准号:X00210----575183
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项目类别:Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
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资助金额:$0.51万
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财政年份:1980
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负责人:松村 英樹
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依托单位:
フッ素導入によるアモルファス-シリコンの高耐熱化
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批准号:X00210----475214
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项目类别:Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
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资助金额:$0.58万
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财政年份:1979
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负责人:松村 英樹
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依托单位:
イオン注入法によるアモルファス-シリコンの抵抗率およびp-n型の制御
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批准号:X00210----375153
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项目类别:Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
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资助金额:$0.24万
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财政年份:1978
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负责人:松村 英樹
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依托单位: