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熱触媒反応を用いた高品質絶縁膜の低温形成

利用热催化反应低温形成高质量绝缘膜

基本信息

批准号：
62550229
负责人：
松村英樹
金额：
$ 1.22万
依托单位：
Hiroshima University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)
财政年份：
1987
资助国家：
日本
起止时间：
1987 至无数据
项目状态：
已结题

来源：
https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-62550229/
关键词：
低温CVD法触媒反応触媒CVD法シリコンナイトライド絶縁膜

项目摘要

集積貝やの層間絶縁膜や表面保護膜として, グロー放電法により300°C程度の低温で形成されるシリコン・ナイトライドなどの絶縁膜が用いられるが, グロー放電にともなうプラズマ損傷の影響が危惧されている. そこで本研究では, 原料ガスをあらかじめ熱触媒反応により中間状態の種に分解しておくことにより, プラズマを全く用いず薄膜を低温熱CVD堆積するという, 本研究者が「触媒CVO法」と名付けた新しい方法により絶縁薄膜を低温で堆積する技術の開発を目的とした.まず, ステンレス性の「触媒CBO堆積チェンバー」を試作し, これにより最も単純な系であるアモルファス・シリコンが作られることを確認した. 次に, シリコンと最も安定に結合を作れる同じ4族のゲルマニウムを混入し, グロー放電法による物以上に高品質なアモルファス・シリコン・ゲルマニウなど化合物薄膜がこの触媒CVD法により製作可能なことを明らかにした. そして, 最後にシランとアンモニア, シランと三フッ化窒素ガスを原料としてシリコン・ナイトライド膜の成膜を試みた.これらの結果, 1)シランとアンモニアを原料ガスとして用いた場合にはシリコンの多いシリコン・ナイトライド膜ができ易すいこと, 2)シランと三フッ化窒素を用いると容易にシリコン・ナイトライド膜の作れること, 3)その場合, 堆積速度は1000A/S以上と高速でプラズマCVD, ECRCVO法より大きくとれること, 4)まだ, 抵抗率も10^<16>Ωcm以上と高温熱CVO法による極めて高品質な膜の値に近いこと, などを明らかにし, 本触媒CVD法の絶縁薄膜形成手段としての有用性を示した. なお, 本研究成果のうち, シリコン・ナイトライドに関するものの公表は次年度になる予定である.

The interlayer insulating film and the surface protective film of the aggregate are formed at a low temperature of 300°C. The insulating film is used in the middle of the film, and the damage of the film is dangerous. In this study, the catalyst CVO method is a new method for the development of low temperature CVD deposition technology. The "catalyst CBO deposit" of the catalyst type is tested and confirmed. In the second place, the most stable combination of compounds is the same as the four groups of compounds, which are mixed with each other. The chemical compound films with high quality are prepared by CVD method. Finally, the film forming process of the film forming process is carried out. The results are as follows: 1) In the case of raw material growth and use, it is easy to form multi-layer films; 2) In the case of chemical reaction, it is easy to form multi-layer films; 3) In the case of deposition speed above 1000A/S, high speed CVD, ECRCVO method, it is easy to form multi-layer films. 4) The resistivity is more than 10 Ω <16>cm and the high temperature CVD method is very useful for high quality films. The results of this study are set for the next year.