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半導体および絶縁体におけるショック・ルミネッセンスの発現機構の解明

阐明半导体和绝缘体中的冲击发光机制

基本信息

批准号：
07640441
负责人：
伊藤稔
金额：
$ 1.41万
依托单位：
Shinshu University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)
财政年份：
1995
资助国家：
日本
起止时间：
1995 至无数据
项目状态：
已结题

项目摘要

次の項目を実施した。(1)衝撃力発生装置の製作(平成7年6-10月期)梃子の原理を応用したメカニカルなハンマーを自作した。撃力の大きさを正確に測定することはきなかったが、最大の撃力をNaClのようなイオン結晶に印加するとサンプルを粉砕することができた。(2)試料の育成(平成7年6月-平成8年3月期)当研究室で既に所有しているサンプル(GaAs,AgBr,KClなど)以外に、NaCl,KI等の結晶をカイロポーラス法を用いて育成した。また、これらのイオン結晶を水溶液から蒸発法により育成した。(3)オプティカル・マルチチャンネル・ディテクション(OMD)システムの構築(平成7年11月-平成8年2月期)浜松ホトニクス社からFFT-CCDマルチチャンネル検出器ヘッドを購入し、それを既存の分光器に接続してOMDシステムとした。システムは同時に購入したPMAコントローラC5967-02型で制御し、得られた発光スペクトルを解析するためのソフトウエアーを開発した。(4)ショック・ルミネッセンス(SL)の観測(平成7年12月-平成8年3月期)予備実験として、NaCl結晶を対象にSLの観測を試みた。微弱ながらSLと思われるシグナルを観測することができた。しかし、シグナル強度を上げるため、印加する撃力を大きくするとサンプルが割れるなどのトラブルのため、再現性の良いデータを得るのが難しいことがわかった。この点を改善するため、ディスロケーションの少ない高品位のサンプルの育成・入手と光検出器の感度向上が当面の課題である。

The second project was implemented. (1)Production of Impact Generating Device (Heisei 7, June-October) Principle of Impact Generating Device The impact force is measured correctly. The maximum impact force is determined by NaCl crystallization. (2)Breeding of test samples (June 2007-March 2008) In the research laboratory, all crystals other than NaCl, KI, etc.(GaAs,AgBr,KCl) are bred using the Ikeirokashi method. The water solution of the crystal is evaporated and the crystal is grown. (3)Construction of the OMD system (November 2007-February 2008): The FFT-CCD system was purchased and the existing OMD system was replaced. For example, if you purchase a PMA model C5967-02, you will be able to analyze it and develop it. (4)Test of SL (December 2007-March 2008) Preparation of test of SL for NaCl crystallization A small number of people were killed in the attack. The strength of the attack is high, and the reproducibility of the attack is high. The problem of improving the sensitivity of optical detectors is to improve the quality of optical sensors.