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Research for Far-infrared-Terahertz Quantum Cascade Lasers using Nitride-based Semiconductors

Research for Far-infrared-Terahertz Quantum Cascade Lasers using Nitride-based Semiconductors
使用氮化物半导体的远红外-太赫兹量子级联激光器的研究
批准号：
19206004
负责人：
HIRAYAMA Hideki
金额：
$31.37万
依托单位：
The Institute of Physical and Chemical Research
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
财政年份：
2007
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2007 至 2008
来源：
https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-19206004/
关键词：
テラヘルツ量子カスケードレーザ窒化物半導体金属プラズモン導波路分子線エピタキシーサブバンド間遷移自然放出光電流注入MBE結晶成長超格子

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项目成果

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窒化物半導体超格子を用いることにより、これまで未開拓周波数領域であった5-12THz帯量子カスケードレーザの開発を行った。原子層レベルで平坦なヘテロ界面を有するGaN/InAlGaN系無歪超格子量子カスケード構造の作製に成功した。また、GaN/AlGaN系量子カスケードレーザ構造を用い、世界で始めて電流注入による窒化物半導体からのテラヘルツ周波数帯のバンド内遷移発光を実現した。
期刊论文(18)
专著(0)
科研奖励(0)
会议论文
深紫外半導体発光素子及びTHz量子カスケードレーザの開発
深紫外半导体发光器件和太赫兹量子级联激光器的研制
DOI： --
发表时间： 2007
期刊： 電気学会、光・量子デバイス研究会資料 OQD-07-60
影响因子： --
作者： [Kazuki Yamada, Yuki Okazaki, Tomohiko Inomata, Keita Kuroiwa, Nobuo Kimizuka, Tomohiro Ozawa, Yasuhiro Funahashi, Hideki Masuda, 平山 秀樹]
通讯作者： 平山 秀樹
Ag-metal bonding condition for low-loss double-metal waveguide of terahertz quantum cascade laser
太赫兹量子级联激光器低损耗双金属波导Ag-金属键合条件
DOI： --
发表时间： 2008
期刊： Jap. J. Appl. Phys 47(10)
影响因子： --
作者： [L Ying, N. Horiuchi, H. Hirayama]
通讯作者： H. Hirayama
Design and fabrication of terahertz quantum cascade structure based on III-Nitride semiconductors
基于III族氮化物半导体的太赫兹量子级联结构的设计与制备
DOI： --
发表时间： 2009
期刊： Phys. Status Solidi C
影响因子： --
作者： [N. Konishi, T. Tanaka, T. Fujibayashi, M. Okubo, W. Terashima and H. Hirayama]
通讯作者： W. Terashima and H. Hirayama
平成18年度光技術動向調査(量子カスケードレーザによる中赤外、テラヘルツ波の発生)
2006年光学技术趋势调查（量子级联激光器产生中红外和太赫兹波）
DOI： --
发表时间： 2007
期刊：
影响因子： --
作者： [K. Yuge, A. Seko, Y. Koyama, F. Oba, L. Tanaka, 平山秀樹]
通讯作者： 平山秀樹
共 17 条
    Research on vertical-type large-area high-power deep-UV LEDs fabricated on Si substrates
    Research for Terahertz Quantum Cascade Lasers using Nitride-based Semiconductors
    Development of ultraviolet bright light-emitting diodes using quaternary InAlGaN
    • 批准号：
      14205006
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
    • 资助金额：
      $34.11万
    • 财政年份：
      2002
    • 负责人：
      HIRAYAMA Hideki
    • 依托单位：
      RIKEN
    Fabrication of high hole density p-type nitride semiconductor film crystal using alternating xrdoping techniques and its applications
    海外基金