Research for Far-infrared-Terahertz Quantum Cascade Lasers using Nitride-based Semiconductors

使用氮化物半导体的远红外-太赫兹量子级联激光器的研究

• 批准号: 19206004
• 负责人: HIRAYAMA Hideki
• 金额: $ 31.37万
• 依托单位: The Institute of Physical and Chemical Research
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
• 财政年份: 2007
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2007 至 2008
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-19206004/
• 关键词: テラヘルツ; 量子カスケードレーザ; 窒化物半導体; 金属プラズモン導波路; 分子線エピタキシー; サブバンド間遷移; 自然放出光; 電流注入; MBE結晶成長; 超格子

窒化物半導体超格子を用いることにより、これまで未開拓周波数領域であった5-12THz帯量子カスケードレーザの開発を行った。原子層レベルで平坦なヘテロ界面を有するGaN/InAlGaN系無歪超格子量子カスケード構造の作製に成功した。また、GaN/AlGaN系量子カスケードレーザ構造を用い、世界で始めて電流注入による窒化物半導体からのテラヘルツ周波数帯のバンド内遷移発光を実現した。

5-12THz band quantum technology development The fabrication of GaN/InAlGaN asymmetric superlattice quantum structures with flat atomic layer interfaces was successful. The GaN/AlGaN quantum structure has been used in the world for the first time in the field of current injection, semiconductor and semiconductor.

项目成果

深紫外半導体発光素子及びTHz量子カスケードレーザの開発

深紫外半导体发光器件和太赫兹量子级联激光器的研制

• 发表时间: 2007
• 期刊: 電気学会、光・量子デバイス研究会資料 OQD-07-60
• 作者: Kazuki Yamada;Yuki Okazaki;Tomohiko Inomata;Keita Kuroiwa;Nobuo Kimizuka;Tomohiro Ozawa;Yasuhiro Funahashi;Hideki Masuda;平山 秀樹
• 通讯作者: 平山 秀樹

Ag-metal bonding condition for low-loss double-metal waveguide of terahertz quantum cascade laser

太赫兹量子级联激光器低损耗双金属波导Ag-金属键合条件

• 发表时间: 2008
• 期刊: Jap. J. Appl. Phys 47(10)
• 作者: L Ying;N. Horiuchi;H. Hirayama
• 通讯作者: H. Hirayama

Design and fabrication of terahertz quantum cascade structure based on III-Nitride semiconductors

基于III族氮化物半导体的太赫兹量子级联结构的设计与制备

• 发表时间: 2009
• 期刊: Phys. Status Solidi C
• 作者: N. Konishi;T. Tanaka;T. Fujibayashi;M. Okubo;W. Terashima and H. Hirayama
• 通讯作者: W. Terashima and H. Hirayama

深紫外半導体発光素子およびTHz量子カスケードレーザの開発

深紫外半导体发光器件和太赫兹量子级联激光器的研制

• 发表时间: 2007
• 作者: Tomohiro Shiraki;Masa-aki Morikawa;Nobuo Kimizuka;山田淳夫;平山 秀樹
• 通讯作者: 平山 秀樹

表面プラズモン導波路を用いたテラヘルツ半導体レーザ

使用表面等离子体波导的太赫兹半导体激光器

• 发表时间: 2007
• 作者: 平山 秀樹;他
• 通讯作者: 他