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Research on vertical-type large-area high-power deep-UV LEDs fabricated on Si substrates

Research on vertical-type large-area high-power deep-UV LEDs fabricated on Si substrates
硅衬底垂直型大面积高功率深紫外LED研究
批准号：
24246010
负责人：
HIRAYAMA Hideki
金额：
$30.12万
依托单位：
The Institute of Physical and Chemical Research
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
财政年份：
2012
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2012-04-01 至 2015-03-31
来源：
https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-24246010/
关键词：
深紫外LEDAlGaNAlNMOCVDSi基板縦型LED光取りだし効率内部量子効率光取り出し効率貫通転位密度

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AlGaN基深紫外LED的进展与展望
DOI： --
发表时间： 2011
期刊： 応用物理
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作者： [平山秀樹, 藤川紗千恵, 塚田悠介, 鎌田憲彦]
通讯作者： 鎌田憲彦
深紫外LEDの開発と今後の展望
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发表时间： 2014
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作者： [栗本雄太, 猿山陽鏡, 大兼幹彦，永沼博，安藤康夫, 平山秀樹]
通讯作者： 平山秀樹
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DOI： 10.7567/jjap.53.100209
发表时间： 2014-10-01
期刊： JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS
影响因子： 1.5
作者： [Hirayama, Hideki, Maeda, Noritoshi, Kamata, Norihiko]
通讯作者： Kamata, Norihiko
共 74 条
    Research for Terahertz Quantum Cascade Lasers using Nitride-based Semiconductors
    Research for Far-infrared-Terahertz Quantum Cascade Lasers using Nitride-based Semiconductors
    Development of ultraviolet bright light-emitting diodes using quaternary InAlGaN
    • 批准号：
      14205006
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
    • 资助金额：
      $34.11万
    • 财政年份：
      2002
    • 负责人：
      HIRAYAMA Hideki
    • 依托单位：
      RIKEN
    Fabrication of high hole density p-type nitride semiconductor film crystal using alternating xrdoping techniques and its applications
    国内基金
    海外基金
    面向无人机应用的增强型p-gate AlGaN/GaN HEMT高功率微波辐射效应及 机理研究
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    • 批准号：
      2025JJ50043
    • 项目类别：
      省市级项目
    • 资助金额：
      --
    • 批准年份：
      2025
    • 负责人：
      王慧敏
    • 依托单位：
      湘潭大学
    AlGaN基自组织深紫外量子线阵列的辐射复合效率和出光模式协同调控