Research on vertical-type large-area high-power deep-UV LEDs fabricated on Si substrates
Research on vertical-type large-area high-power deep-UV LEDs fabricated on Si substrates
批准号:
24246010
负责人:
HIRAYAMA Hideki
金额:
$30.12万
依托单位国家:
日本
项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
财政年份:
2012
资助国家:
日本
项目状态:
已结题
起止时间:
2012-04-01 至 2015-03-31
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光取出し改善による高効率AlGaN深紫外の実現
通过改善光提取实现高效率 AlGaN 深紫外
DOI:
--
发表时间:
期刊:
影响因子:
--
作者:
[藤川紗千恵, 平山秀樹]
通讯作者:
平山秀樹
深紫外LED用結合ピラーバッファーの改善
深紫外 LED 的键合柱缓冲器的改进
DOI:
--
发表时间:
2013
期刊:
影响因子:
--
作者:
[豊田史朗, 水澤克哉, 鎌田憲彦, 平山秀樹]
通讯作者:
平山秀樹
DOI:
10.7567/jjap.53.100209
发表时间:
2014-10-01
期刊:
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS
影响因子:
1.5
作者:
[Hirayama, Hideki, Maeda, Noritoshi, Kamata, Norihiko]
通讯作者:
Kamata, Norihiko
深紫外LEDの開発と今後の展望
深紫外LED的发展及未来展望
DOI:
--
发表时间:
2014
期刊:
影响因子:
--
作者:
[栗本雄太, 猿山陽鏡, 大兼幹彦,永沼博,安藤康夫, 平山秀樹]
通讯作者:
平山秀樹
超格子p型AlGaNホール拡散層を用いた深紫外LEDの動作
使用超晶格 p 型 AlGaN 空穴扩散层运行深紫外 LED
DOI:
--
发表时间:
2014
期刊:
信学技報
影响因子:
--
作者:
[前田哲利, 定昌史, 平山秀樹]
通讯作者:
平山秀樹
共 74 条
Research for Terahertz Quantum Cascade Lasers using Nitride-based Semiconductors
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批准号:21246005
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
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资助金额:$29.87万
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财政年份:2009
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负责人:HIRAYAMA Hideki
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依托单位:
Research for Far-infrared-Terahertz Quantum Cascade Lasers using Nitride-based Semiconductors
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批准号:19206004
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
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资助金额:$31.37万
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财政年份:2007
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负责人:HIRAYAMA Hideki
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依托单位:
Development of ultraviolet bright light-emitting diodes using quaternary InAlGaN
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批准号:14205006
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
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资助金额:$34.11万
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财政年份:2002
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负责人:HIRAYAMA Hideki
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依托单位:
Fabrication of high hole density p-type nitride semiconductor film crystal using alternating xrdoping techniques and its applications
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批准号:13355001
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
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资助金额:$33.78万
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财政年份:2001
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负责人:HIRAYAMA Hideki
-
依托单位:
国内基金
海外基金
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面向无人机应用的增强型p-gate
AlGaN/GaN HEMT高功率微波辐射效应及
机理研究
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批准号:
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项目类别:省市级项目
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资助金额:10.0万元
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批准年份:2025
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负责人:何亮
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依托单位:
N极性AlGaN基深紫外全固态光源的极化
调控及光效提升
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批准号:
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项目类别:省市级项目
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资助金额:10.0万元
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批准年份:2025
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负责人:王巧
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依托单位:
基于机器学习势的AlGaN合金中热输运的各向异性调控规律与机制研究
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批准号:2025JJ50043
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项目类别:省市级项目
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资助金额:--
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批准年份:2025
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负责人:王慧敏
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依托单位:
AlGaN基自组织深紫外量子线阵列的辐射复合效率和出光模式协同调控
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批准号:
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项目类别:省市级项目
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资助金额:30.0万元
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批准年份:2024
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负责人:何晨光
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依托单位:
AlGaN/GaN HEMT射频器件ESD应力下损伤机理研究
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批准号:
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项目类别:省市级项目
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资助金额:--
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批准年份:2024
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负责人:叶然
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依托单位:
AlGaN/InGaN基 LED 发光材料物性研究及优化设计
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批准号:2024JJ7377
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项目类别:省市级项目
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资助金额:--
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批准年份:2024
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负责人:张顺如
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依托单位:
基于p-GaN/p-AlGaN堆栈式异质结深亚微米鳍栅增强型GaN p-MOSFETs新结构研究
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批准号:
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项目类别:省市级项目
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资助金额:15.0万元
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批准年份:2024
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负责人:周琦
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依托单位:
面向无线光通信的表面微纳结构AlGaN基深紫外光电子器件研究
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批准号:
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项目类别:省市级项目
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资助金额:30.0万元
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批准年份:2024
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负责人:路慧敏
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依托单位:
基于AlGaN材料的全固态日盲紫外/近红外双色探测器研究
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批准号:62374163
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项目类别:面上项目
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资助金额:48.00万元
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批准年份:2023
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负责人:缪国庆
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依托单位:
基于界面修饰路径的p型AlGaN三维超晶格能级耦合及微通道输运调控
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批准号:
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项目类别:省市级项目
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资助金额:10.0万元
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批准年份:2023
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负责人:张康
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依托单位: