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Research on vertical-type large-area high-power deep-UV LEDs fabricated on Si substrates
硅衬底垂直型大面积高功率深紫外LED研究
基本信息
- 批准号：24246010
- 负责人：
- 金额：$ 30.12万
- 依托单位：
- 依托单位国家：日本
- 项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
- 财政年份：2012
- 资助国家：日本
- 起止时间：2012-04-01 至 2015-03-31
- 项目状态：已结题
- 来源：
- 关键词：
项目摘要
项目成果
期刊论文数量（89）
专著数量（0）
科研奖励数量（0）
会议论文数量（0）
专利数量（0）
Recent progress and future prospects of AlGaN-based high-efficiency deep-ultraviolet light-emitting diodes
- DOI：10.7567/jjap.53.100209
- 发表时间：2014-10-01
- 期刊：
- 影响因子：1.5
- 作者：Hirayama, Hideki;Maeda, Noritoshi;Kamata, Norihiko
- 通讯作者：Kamata, Norihiko
超格子p型AlGaNホール拡散層を用いた深紫外LEDの動作
使用超晶格 p 型 AlGaN 空穴扩散层运行深紫外 LED
- DOI：
- 发表时间：2014
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：前田哲利;定昌史;平山秀樹
- 通讯作者：平山秀樹
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{{ truncateString('HIRAYAMA Hideki', 18)}}的其他基金
Research for Terahertz Quantum Cascade Lasers using Nitride-based Semiconductors
使用氮化物半导体的太赫兹量子级联激光器的研究
- 批准号：
21246005 - 财政年份：2009
- 资助金额：
$ 30.12万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
Research for Far-infrared-Terahertz Quantum Cascade Lasers using Nitride-based Semiconductors
使用氮化物半导体的远红外-太赫兹量子级联激光器的研究
- 批准号：
19206004 - 财政年份：2007
- 资助金额：
$ 30.12万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
Development of ultraviolet bright light-emitting diodes using quaternary InAlGaN
使用四元InAlGaN开发紫外光亮发光二极管
- 批准号：
14205006 - 财政年份：2002
- 资助金额：
$ 30.12万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
Fabrication of high hole density p-type nitride semiconductor film crystal using alternating xrdoping techniques and its applications
交替xr掺杂技术制备高空穴密度p型氮化物半导体薄膜晶体及其应用
- 批准号：
13355001 - 财政年份：2001
- 资助金额：
$ 30.12万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
相似国自然基金
面向无人机应用的增强型p-gate
AlGaN/GaN HEMT高功率微波辐射效应及
机理研究
- 批准号：
- 批准年份：2025
- 资助金额：10.0 万元
- 项目类别：省市级项目
N极性AlGaN基深紫外全固态光源的极化
调控及光效提升
- 批准号：
- 批准年份：2025
- 资助金额：10.0 万元
- 项目类别：省市级项目
基于机器学习势的AlGaN合金中热输运的各向异性调控规律与机制研究
- 批准号：2025JJ50043
- 批准年份：2025
- 资助金额：0.0 万元
- 项目类别：省市级项目
AlGaN基自组织深紫外量子线阵列的辐射复合效率和出光模式协同调控
- 批准号：
- 批准年份：2024
- 资助金额：30.0 万元
- 项目类别：省市级项目
AlGaN/GaN HEMT射频器件ESD应力下损伤机理研究
- 批准号：
- 批准年份：2024
- 资助金额：0.0 万元
- 项目类别：省市级项目
AlGaN/InGaN基 LED 发光材料物性研究及优化设计
- 批准号：2024JJ7377
- 批准年份：2024
- 资助金额：0.0 万元
- 项目类别：省市级项目
基于p-GaN/p-AlGaN堆栈式异质结深亚微米鳍栅增强型GaN p-MOSFETs新结构研究
- 批准号：
- 批准年份：2024
- 资助金额：15.0 万元
- 项目类别：省市级项目
面向无线光通信的表面微纳结构AlGaN基深紫外光电子器件研究
- 批准号：
- 批准年份：2024
- 资助金额：30.0 万元
- 项目类别：省市级项目
基于AlGaN材料的全固态日盲紫外/近红外双色探测器研究
- 批准号：62374163
- 批准年份：2023
- 资助金额：48.00 万元
- 项目类别：面上项目
基于界面修饰路径的p型AlGaN三维超晶格能级耦合及微通道输运调控
- 批准号：
- 批准年份：2023
- 资助金额：10.0 万元
- 项目类别：省市级项目
相似海外基金
縮退窒化物のMB効果を用いたAlGaN二次元電子ガスへのコンタクトとHEMT応用
利用简并氮化物的MB效应和HEMT应用接触AlGaN二维电子气
- 批准号：
24H00310 - 财政年份：2024
- 资助金额：
$ 30.12万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
窒化物半導体AlGaNの非極性面成長と深紫外LED応用
氮化物半导体AlGaN的非极性面生长及深紫外LED应用
- 批准号：
23K23238 - 财政年份：2024
- 资助金额：
$ 30.12万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
Ultrawide Bandgap AlGaN Power Electronics - Transforming Solid-State Circuit Breakers (ULTRAlGaN)
超宽带隙 AlGaN 电力电子 - 改造固态断路器 (ULTRAlGaN)
- 批准号：
EP/X035360/1 - 财政年份：2024
- 资助金额：
$ 30.12万 - 项目类别：
Research Grant
Far-UV C AlGaN-based electron beam pumped laser
远紫外 C AlGaN 电子束泵浦激光器
- 批准号：
22H00304 - 财政年份：2022
- 资助金额：
$ 30.12万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
Local emission and defect of AlGaN ternary alloy by microscopic spectroscopy and efficiency reduction mechanism
通过显微光谱和效率降低机制研究 AlGaN 三元合金的局域发射和缺陷
- 批准号：
22K04184 - 财政年份：2022
- 资助金额：
$ 30.12万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
Non-polar plane growth of AlGaN nitride semiconductors and its application to deep UV LED
AlGaN氮化物半导体非极性面生长及其在深紫外LED中的应用
- 批准号：
22H01970 - 财政年份：2022
- 资助金额：
$ 30.12万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
点欠陥制御による非輻射再結合中心の抑制と低抵抗p型AlGaNの実現
通过点缺陷控制抑制非辐射复合中心并实现低电阻p型AlGaN
- 批准号：
21J15559 - 财政年份：2021
- 资助金额：
$ 30.12万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
Tunnel Junction Based AlGaN Ultraviolet Lasers
基于隧道结的 AlGaN 紫外激光器
- 批准号：
2034140 - 财政年份：2020
- 资助金额：
$ 30.12万 - 项目类别：
Standard Grant
Electrically Injected Ultraviolet AlGaN Photonic Nanocrystal Surface Emitting Lasers
电注入紫外 AlGaN 光子纳米晶体表面发射激光器
- 批准号：
2026484 - 财政年份：2020
- 资助金额：
$ 30.12万 - 项目类别：
Standard Grant
Advanced doping techniques for AlGaN-based power devices
用于 AlGaN 功率器件的先进掺杂技术
- 批准号：
1916800 - 财政年份：2019
- 资助金额：
$ 30.12万 - 项目类别：
Standard Grant