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Research on vertical-type large-area high-power deep-UV LEDs fabricated on Si substrates

Research on vertical-type large-area high-power deep-UV LEDs fabricated on Si substrates
硅衬底垂直型大面积高功率深紫外LED研究
批准号:
24246010
负责人:
HIRAYAMA Hideki
金额:
$30.12万
依托单位国家:
日本
项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
财政年份:
2012
资助国家:
日本
项目状态:
已结题
起止时间:
2012-04-01 至 2015-03-31

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    Research for Terahertz Quantum Cascade Lasers using Nitride-based Semiconductors
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    Development of ultraviolet bright light-emitting diodes using quaternary InAlGaN
    • 批准号:
      14205006
    • 项目类别:
      Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
    • 资助金额:
      $34.11万
    • 财政年份:
      2002
    • 负责人:
      HIRAYAMA Hideki
    • 依托单位:
    Fabrication of high hole density p-type nitride semiconductor film crystal using alternating xrdoping techniques and its applications
    国内基金
    海外基金
    面向无人机应用的增强型p-gate AlGaN/GaN HEMT高功率微波辐射效应及 机理研究
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    • 批准号:
      2025JJ50043
    • 项目类别:
      省市级项目
    • 资助金额:
      --
    • 批准年份:
      2025
    • 负责人:
      王慧敏
    • 依托单位:
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