Artificial photosynthesis devices using polarization-engineered nitride semiconductors for visible-light response and high durability

使用偏振工程氮化物半导体的人工光合作用装置,具有可见光响应和高耐用性

基本信息

  • 批准号:
    15H02238
  • 负责人:
  • 金额:
    $ 28.62万
  • 依托单位:
  • 依托单位国家:
    日本
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
  • 财政年份:
    2015
  • 资助国家:
    日本
  • 起止时间:
    2015-04-01 至 2018-03-31
  • 项目状态:
    已结题

项目摘要

项目成果

期刊论文数量(22)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
Impact of surface modification on photo-induced Open-Circuit-Potential (OCP) of GaN anode
表面改性对 GaN 阳极光致开路电位 (OCP) 的影响
  • DOI:
  • 发表时间:
    2016
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Y. Iwai;A. Nakamura;K. Koike;Y. Nakano;K. Fujii;and M. Sugiyama
  • 通讯作者:
    and M. Sugiyama
Low-Temperature Growth of Al(Ga)N/GaN Tunnel Junction with Abrupt Interfaces and Low Dislocation Density for Polarization Engineered Water Splitting Photocathode
用于偏振工程水分解光电阴极的具有突变界面和低位错密度的 Al(Ga)N/GaN 隧道结的低温生长
  • DOI:
  • 发表时间:
    2016
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    A. Nakamura;M. Suzuki;K. Fujii;Y. Nakano;and M. Sugiyama
  • 通讯作者:
    and M. Sugiyama
Photo-Induced Gain of Open-Circuit-Potential (OCP) in GaN Photoelectrodes for Characterizing Defects and Photoelectrochemical Activity
用于表征缺陷和光电化学活性的 GaN 光电极中的光致开路电位 (OCP) 增益
  • DOI:
  • 发表时间:
    2017
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Y. Imazeki;Y. Iwai;A. Nakamura;K. Koike;K. Watanabe;K. Fujii ;M. Sugiyama and Y. Nakano
  • 通讯作者:
    M. Sugiyama and Y. Nakano
Low-temperature growth of AlN and GaN by metal organic vapor phase epitaxy for polarization engineered water splitting photocathode
  • DOI:
    10.1016/j.jcrysgro.2016.12.005
  • 发表时间:
    2017-04
  • 期刊:
  • 影响因子:
    1.8
  • 作者:
    Akihiro Nakamura;M. Suzuki;K. Fujii;Y. Nakano;M. Sugiyama
  • 通讯作者:
    Akihiro Nakamura;M. Suzuki;K. Fujii;Y. Nakano;M. Sugiyama
Band Alignment at n-GaN/Electrolyte Interface Explored by Photo-Induced Offset of Open-Circuit Potential for Efficient Water Splitting
通过光致开路电势偏移探索 n-GaN/电解质界面的能带对准,以实现高效水分解
  • DOI:
  • 发表时间:
    2017
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Yuuki Imazeki;Yohei Iwai;Akihiro Nakamura;Kayo Koike;Shin-ichiro Sato;Takeshi Ohshima;Katsushi Fujii;Masakazu Sugiyama and Yoshiaki Nakano
  • 通讯作者:
    Masakazu Sugiyama and Yoshiaki Nakano
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Sugiyama Masakazu其他文献

A luminescence-based interpolation method for series resistance imaging in thin film solar cells
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  • DOI:
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  • 发表时间:
    2019-04
  • 期刊:
  • 影响因子:
    1.5
  • 作者:
    Ren Aobo;Lai Huagui;Liu Cai;Hao Xia;Zhang Jingquan;Wu Lili;Sugiyama Masakazu
  • 通讯作者:
    Sugiyama Masakazu
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  • DOI:
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  • 发表时间:
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  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Endo Tatsuro;Minegishi Tsutomu;Shizumi Soraya;Sugiyama Masakazu
  • 通讯作者:
    Sugiyama Masakazu
空気圧リザバーコンピューティングの性能向上に向けた管路ネットワークの周波数特性解析
管道网络频率特性分析以提高气动储层计算性能
  • DOI:
  • 发表时间:
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  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
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  • 通讯作者:
    川瀬利弘,宮嵜哲郎,曽我部舞奈,菅野貴皓,中島義和,川嶋健嗣
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  • DOI:
  • 发表时间:
    2017
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Wang Hongbo;Sodabanlu Hassanet;Daigo Yoshiaki;Seino Takuya;Nakagawa Takashi;Sugiyama Masakazu;萩原一郎
  • 通讯作者:
    萩原一郎
放射光イメージング ― 第2回「X線トモグラフィ(概論)」
同步辐射成像-第二届“X射线断层扫描(概述)”
  • DOI:
  • 发表时间:
    2021
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Endo Tatsuro;Minegishi Tsutomu;Shizumi Soraya;Sugiyama Masakazu;林滉之,川瀬利弘,宮嵜哲郎,曽我部舞奈,菅野貴皓,中島義和,川嶋健嗣;矢代航
  • 通讯作者:
    矢代航

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  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (A)

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    Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
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  • 批准号:
    EP/Y024184/1
  • 财政年份:
    2024
  • 资助金额:
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  • 项目类别:
    Research Grant
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    2888740
  • 财政年份:
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  • 资助金额:
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  • 项目类别:
    Studentship
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  • 批准号:
    2881704
  • 财政年份:
    2023
  • 资助金额:
    $ 28.62万
  • 项目类别:
    Studentship
CDT Compound Semiconductor Physics (PhD Progression 1+3)
CDT 化合物半导体物理(博士进修 1 3)
  • 批准号:
    2882476
  • 财政年份:
    2023
  • 资助金额:
    $ 28.62万
  • 项目类别:
    Studentship
CDT Compound Semiconductor Physics (PhD Progression 1+3)
CDT 化合物半导体物理(博士进修 1 3)
  • 批准号:
    2881702
  • 财政年份:
    2023
  • 资助金额:
    $ 28.62万
  • 项目类别:
    Studentship
Development and application of compound semiconductor monolithic advanced unitary conversion photonic integrated circuits
化合物半导体单片先进单一转换光子集成电路的开发与应用
  • 批准号:
    23H00272
  • 财政年份:
    2023
  • 资助金额:
    $ 28.62万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
Development of active gate drivers for compound-semiconductor-based Net Zero energy systems
为基于化合物半导体的净零能源系统开发有源栅极驱动器
  • 批准号:
    2888285
  • 财政年份:
    2023
  • 资助金额:
    $ 28.62万
  • 项目类别:
    Studentship
CDT Compound Semiconductor Physics (PhD Progression 1+3)
CDT 化合物半导体物理(博士进修 1 3)
  • 批准号:
    2882390
  • 财政年份:
    2023
  • 资助金额:
    $ 28.62万
  • 项目类别:
    Studentship
CDT Compound Semiconductor Physics (PhD Progression 1+3)
CDT 化合物半导体物理(博士进修 1 3)
  • 批准号:
    2882400
  • 财政年份:
    2023
  • 资助金额:
    $ 28.62万
  • 项目类别:
    Studentship
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知道了