Single phonon control by dopant atoms in silicon
Single phonon control by dopant atoms in silicon
批准号:
16H02339
负责人:
ONO YUKINORI
金额:
$29.2万
依托单位:
依托单位国家:
日本
项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
财政年份:
2016
资助国家:
日本
项目状态:
已结题
起止时间:
2016-04-01 至 2020-03-31
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シリコンにおけるチャージポンプー電荷とスピンの室温極限操作に向けてー
硅电荷泵 - 实现电荷和自旋的室温极限操纵 -
DOI:
--
发表时间:
2017
期刊:
影响因子:
--
作者:
[小野 行徳, 堀 匡寛, 土屋 敏章]
通讯作者:
土屋 敏章
Study of Electron Localization Effects in Donor-Acceptor Pairs in Low-Dimensional Si Tunnel Diodes
低维硅隧道二极管施主-受主对电子局域化效应研究
DOI:
--
发表时间:
2017
期刊:
影响因子:
--
作者:
[G. Prabhudesai, T. Anh, M. Shibuya, M. Manoharan, M. Hori, Y. Ono, H. Mizuta, M. Tabe, D. Moraru]
通讯作者:
D. Moraru
Real-time Monitoring of Charge-pumping Process for SiO2/Si Interface Analysis
实时监测 SiO2/Si 界面分析的电荷泵过程
DOI:
10.1109/qir.2017.8168450
发表时间:
2017
期刊:
Intl. Symp. Elec. and Com. Eng
影响因子:
--
作者:
[M. Hori, T. Watanabe and Y. Ono]
通讯作者:
T. Watanabe and Y. Ono
Si electron nano-aspirator en-route for energy-efficient hydro-electronic devices
用于节能水力电子设备的硅电子纳米吸气器
DOI:
--
发表时间:
2019
期刊:
影响因子:
--
作者:
[M. Rasanoelina, H. Firdaus, T. Watanabe, M. Hori, D. Moraru, Y. Takahashi, A. Fujiwara, Y. Ono]
通讯作者:
Y. Ono
シリコンMOS界面におけるチャージポンピングEDMR
硅 MOS 接口的电荷泵 EDMR
DOI:
--
发表时间:
2019
期刊:
影响因子:
--
作者:
[堀匡寛, 土屋敏章, 小野行徳]
通讯作者:
小野行徳
共 58 条
Development of high-speed electron-lattice energy-conversion method for future electronics
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批准号:20K20289
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项目类别:Grant-in-Aid for Challenging Research (Pioneering)
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资助金额:$16.47万
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财政年份:2017
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负责人:ONO YUKINORI
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依托单位:
Development of sensitive charge-pumping spin-resonance method and its application to spin control in electron-pair recombination process
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批准号:15K13970
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项目类别:Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
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资助金额:$2.41万
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财政年份:2015
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负责人:ONO YUKINORI
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依托单位:
海外基金