Clarification of the guideline to improve SiC MOSFET performance based on the structural deformation analysis near the thermally-oxidized interface
Clarification of the guideline to improve SiC MOSFET performance based on the structural deformation analysis near the thermally-oxidized interface
基于热氧化界面附近的结构变形分析，明确提高SiC MOSFET性能的指南
批准号：
18H03771
负责人：
KITA KOJI
金额：
$28.54万
依托单位：
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
财政年份：
2018
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2018-04-01 至 2021-03-31
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SiC表面の酸化と窒化によるMOS界面形成の科学
SiC表面氧化和氮化形成MOS界面的科学
SiC表面氧化和氮化形成MOS界面的科学
DOI：
--
发表时间：
2022
期刊：
影响因子：
--
作者：
[喜多浩之]
通讯作者：
喜多浩之
Minimization of SiO2/4H-SiC (0001) Interface State Density by Low-Temperature Post-Oxidation-Annealing in Wet Ambient after Nitrogen Passivation
氮钝化后在湿环境中通过低温后氧化退火最小化 SiO2/4H-SiC (0001) 界面态密度
氮钝化后在湿环境中通过低温后氧化退火最小化 SiO2/4H-SiC (0001) 界面态密度
DOI：
10.1149/08602.0061ecst
发表时间：
2018
期刊：
ECS Transactions
影响因子：
--
作者：
[Kita Koji, Nishida Mizuki, Sakuta Ryota, Hirai Hirohisa]
通讯作者：
Hirai Hirohisa
高温アニールとγ線照射による4H-SiC/SiO2窒化界面構造の変化の違い
高温退火和γ射线照射导致4H-SiC/SiO2氮化物界面结构变化的差异
高温退火和γ射线照射导致4H-SiC/SiO2氮化物界面结构变化的差异
DOI：
--
发表时间：
2021
期刊：
影响因子：
--
作者：
[佐俣 勇祐, 増永 昌弘, 島 明生, 桑名 諒, 喜多 浩之]
通讯作者：
喜多 浩之
温度変動による界面ダイポール層強度の変化の環境発電への応用可能性の検討
检查将温度波动引起的界面偶极层强度变化应用于能量收集的可能性
检查将温度波动引起的界面偶极层强度变化应用于能量收集的可能性
DOI：
--
发表时间：
2018
期刊：
影响因子：
--
作者：
[S.Kato, T.Nakamoto, 濱口 高志，喜多 浩之]
通讯作者：
濱口 高志，喜多 浩之
結晶面の異なる 4H-SiC MOS 界面からのArアニールによるN原子脱離過程
不同晶面4H-SiC MOS界面Ar退火脱附N原子的过程
不同晶面4H-SiC MOS界面Ar退火脱附N原子的过程
DOI：
--
发表时间：
2019
期刊：
影响因子：
--
作者：
[藤田 拓実, 相場 遥佳, 西川 雅美, 野中 尋史, 石橋 隆幸, 河原 正美, 中嶋 智彦, 土屋 哲男, 佐俣勇祐，喜多浩之]
通讯作者：
佐俣勇祐，喜多浩之
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