Clarification of the guideline to improve SiC MOSFET performance based on the structural deformation analysis near the thermally-oxidized interface

基于热氧化界面附近的结构变形分析，明确提高SiC MOSFET性能的指南

• 批准号: 18H03771
• 负责人: KITA KOJI
• 金额: $ 28.54万
• 依托单位: The University of Tokyo
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
• 财政年份: 2018
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2018-04-01 至 2021-03-31
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-18H03771/
• 关键词: 電子・電気材料; パワーデバイス; SiC; ゲート絶縁膜; 界面準位; 欠陥構造; 格子歪み; 閾値電圧; 窒化反応; 表面・界面物性; 半導体物性; 省エネルギー; 電子デバイス・機器; MOSFET; イオン打ち込み; 熱処理; 移動度

项目成果

Minimization of SiO2/4H-SiC (0001) Interface State Density by Low-Temperature Post-Oxidation-Annealing in Wet Ambient after Nitrogen Passivation

氮钝化后在湿环境中通过低温后氧化退火最小化 SiO2/4H-SiC (0001) 界面态密度

• DOI: 10.1149/08602.0061ecst
• 发表时间: 2018
• 期刊: ECS Transactions
• 作者: Kita Koji;Nishida Mizuki;Sakuta Ryota;Hirai Hirohisa
• 通讯作者: Hirai Hirohisa

高温アニールとγ線照射による4H-SiC/SiO2窒化界面構造の変化の違い

高温退火和γ射线照射导致4H-SiC/SiO2氮化物界面结构变化的差异

• 发表时间: 2021
• 作者: 佐俣 勇祐;増永 昌弘;島 明生;桑名 諒;喜多 浩之
• 通讯作者: 喜多 浩之

SiC表面の酸化と窒化によるMOS界面形成の科学

SiC表面氧化和氮化形成MOS界面的科学

• 发表时间: 2022
• 作者: 喜多浩之

結晶面の異なる 4H-SiC MOS 界面からのArアニールによるN原子脱離過程

不同晶面4H-SiC MOS界面Ar退火脱附N原子的过程

• 发表时间: 2019
• 作者: 藤田 拓実;相場 遥佳;西川 雅美;野中 尋史;石橋 隆幸;河原 正美;中嶋 智彦;土屋 哲男;佐俣勇祐，喜多浩之
• 通讯作者: 佐俣勇祐，喜多浩之

温度変動による界面ダイポール層強度の変化の環境発電への応用可能性の検討

检查将温度波动引起的界面偶极层强度变化应用于能量收集的可能性

• 发表时间: 2018
• 作者: S.Kato;T.Nakamoto;濱口 高志，喜多 浩之
• 通讯作者: 濱口 高志，喜多 浩之