Nanoparticle surface design for device fabrication of low-toxic quantum dots

用于低毒量子点器件制造的纳米粒子表面设计

基本信息

  • 批准号:
    22H02168
  • 负责人:
  • 金额:
    $ 10.82万
  • 依托单位:
  • 依托单位国家:
    日本
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
  • 财政年份:
    2022
  • 资助国家:
    日本
  • 起止时间:
    2022-04-01 至 2025-03-31
  • 项目状态:
    未结题

项目摘要

多色化に向けた3元素系化合物量子ドットの作成:QDの発光色は粒径を変化させれば可能である。11-13-16族半導体の場合、元素の種類を変えるとバンドギャップが変化することできるので、AgInS2-AgGaS2、AgInS2-CuInS2などの固溶体QDを合成し組成を変化させることによる連続した発光色の変化を調査したところ、実際に可能であることを見出した。3成分化合物QDのマトリクスの工夫:QD表面を起点としてマトリクス材料がソフトに成長するための表面デザインとマトリクス材料の選択を行った。ゾル-ゲル法を中心に、無機と有機のハイブリッド材料としてはMOFを含む配位高分子(CP)から幅広く選別し、具体的にマトリクスとして機能する材料を見出した。光学固体デバイスの構築:合成した直後のコロイド状QDは、表面に有機分子リガンドが吸着している。これを基板等に塗布したQD膜の場合、リガンドの長さが短かければ外部から電子や正孔を注入できるが、それらはQD間を移動できてしまうため、濃度消光を引き起こしてしまった。リガンドを長くすれば濃度消光は抑えられるが、外部からの電子や正孔の注入がしにくくなるというトレードオフの関係にあることがわかった。Ⅱの手法でQDよりもバンドギャップの広いマトリクスでQDを固体素子化ができれば、マトリクスとQD間での整流性によって濃度消光を抑制しつつ、外部からの電子と正孔の注入が可能となった。これを作り上げることによって、輝度および効率の高いEL素子が作製できることを明らかとした。
The polychromatization of the 3-element compound is made of QD, photochromism, particle size, chemical composition, and possibility. 11-13-16 family hemispheres are used in the synthesis of solid solution QD. The chemical composition of the solid solution, such as AgInS2-AgGaS2, AgInS2-CuInS2, and so on, is sensitive to the chemical reaction. 3 component compound QD: the starting point of the QD surface, the growth of the material, the material. In the center of this method, there is no machine to check the material. The MOF contains the coordination polymer (CP). The amplitude of the material is different, and the specific machine can make the material out of the machine. Optical solid-state QD: synthesize a straight-back QD with organic molecules on the surface to absorb it. On the substrate and so on, the QD film is closed, the external electronic device is injected into the positive hole, the QD is moved, and the light extinction is introduced. The equipment is used for long periods of time, such as the extinction of light, the injection of the right hole of the external electrical equipment, and the injection of thermal energy into the positive hole. II. The technique, QD, QD, solid element, solid element, QD, rectifying temperature, extinction, suppression, and the injection of the positive hole of the external electric power supply, were detected. Please tell me that the temperature is very high, and that the temperature is very high. EL Suzi is very popular.

项目成果

期刊论文数量(13)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
バンド端発光するI-III-VI族半導体量子ドットの発光多色化および実用化に向けた課題克服
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  • DOI:
  • 发表时间:
    2022
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    上松 太郎;桑畑 進
  • 通讯作者:
    桑畑 進
Encapsulation of AgInS2/GaSx core/shell quantum dots in In-fumarate metal-organic frameworks for stability enhancement
将 AgInS2/GaSx 核/壳量子点封装在 In-富马酸盐金属有机框架中以增强稳定性
  • DOI:
    10.1039/d2ce00343k
  • 发表时间:
    2022
  • 期刊:
  • 影响因子:
    3.1
  • 作者:
    Tepakidareekul Manunya;Uematsu Taro;Torimoto Tsukasa;Kuwabata Susumu
  • 通讯作者:
    Kuwabata Susumu
酸化ガリウム電子輸送層を用いたAg-In-Ga-S系量子ドット電界発光(EL)素子の作製
使用氧化镓电子传输层制造Ag-In-Ga-S量子点电致发光(EL)器件
  • DOI:
  • 发表时间:
    2022
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    菅野 陸;泉 竜之介;上松 太郎;本村 玄一;鳥本 司;桑畑 進
  • 通讯作者:
    桑畑 進
Improvement of Luminescence Performances in AgInxGa1-xS2/GaSz Core/Shell Quantum Dots by Aluminum Doping
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  • DOI:
  • 发表时间:
    2022
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Tepakidareekul Mananya;Uematsu Taro;Torimoto Tsukasa;Kuwabata Susumu
  • 通讯作者:
    Kuwabata Susumu
半導体ナノ粒子及びその製造方法
半导体纳米粒子及其制造方法
  • DOI:
  • 发表时间:
    2023
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
  • 通讯作者:
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  • 通讯作者:
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  • 通讯作者:
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  • DOI:
  • 发表时间:
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  • 作者:
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知道了