Nanoparticle surface design for device fabrication of low-toxic quantum dots
Nanoparticle surface design for device fabrication of low-toxic quantum dots
批准号:
22H02168
负责人:
桑畑 進
金额:
$10.82万
依托单位:
依托单位国家:
日本
项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
财政年份:
2022
资助国家:
日本
项目状态:
未结题
起止时间:
2022-04-01 至 2025-03-31
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英文摘要
多色化に向けた3元素系化合物量子ドットの作成:QDの発光色は粒径を変化させれば可能である。11-13-16族半導体の場合、元素の種類を変えるとバンドギャップが変化することできるので、AgInS2-AgGaS2、AgInS2-CuInS2などの固溶体QDを合成し組成を変化させることによる連続した発光色の変化を調査したところ、実際に可能であることを見出した。3成分化合物QDのマトリクスの工夫:QD表面を起点としてマトリクス材料がソフトに成長するための表面デザインとマトリクス材料の選択を行った。ゾル-ゲル法を中心に、無機と有機のハイブリッド材料としてはMOFを含む配位高分子(CP)から幅広く選別し、具体的にマトリクスとして機能する材料を見出した。光学固体デバイスの構築:合成した直後のコロイド状QDは、表面に有機分子リガンドが吸着している。これを基板等に塗布したQD膜の場合、リガンドの長さが短かければ外部から電子や正孔を注入できるが、それらはQD間を移動できてしまうため、濃度消光を引き起こしてしまった。リガンドを長くすれば濃度消光は抑えられるが、外部からの電子や正孔の注入がしにくくなるというトレードオフの関係にあることがわかった。Ⅱの手法でQDよりもバンドギャップの広いマトリクスでQDを固体素子化ができれば、マトリクスとQD間での整流性によって濃度消光を抑制しつつ、外部からの電子と正孔の注入が可能となった。これを作り上げることによって、輝度および効率の高いEL素子が作製できることを明らかとした。
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バンド端発光するI-III-VI族半導体量子ドットの発光多色化および実用化に向けた課題克服
克服多色发射挑战及发射带边光的I-III-VI族半导体量子点的实际应用
DOI:
--
发表时间:
2022
期刊:
影响因子:
--
作者:
[上松 太郎, 桑畑 進]
通讯作者:
桑畑 進
Encapsulation of AgInS2/GaSx core/shell quantum dots in In-fumarate metal-organic frameworks for stability enhancement
将 AgInS2/GaSx 核/壳量子点封装在 In-富马酸盐金属有机框架中以增强稳定性
DOI:
10.1039/d2ce00343k
发表时间:
2022
期刊:
CrystEngComm
影响因子:
3.1
作者:
[Tepakidareekul Manunya, Uematsu Taro, Torimoto Tsukasa, Kuwabata Susumu]
通讯作者:
Kuwabata Susumu
酸化ガリウム電子輸送層を用いたAg-In-Ga-S系量子ドット電界発光(EL)素子の作製
使用氧化镓电子传输层制造Ag-In-Ga-S量子点电致发光(EL)器件
DOI:
--
发表时间:
2022
期刊:
影响因子:
--
作者:
[菅野 陸, 泉 竜之介, 上松 太郎, 本村 玄一, 鳥本 司, 桑畑 進]
通讯作者:
桑畑 進
Improvement of Luminescence Performances in AgInxGa1-xS2/GaSz Core/Shell Quantum Dots by Aluminum Doping
铝掺杂提高AgInxGa1-xS2/GaSz核/壳量子点发光性能
DOI:
--
发表时间:
2022
期刊:
影响因子:
--
作者:
[Tepakidareekul Mananya, Uematsu Taro, Torimoto Tsukasa, Kuwabata Susumu]
通讯作者:
Kuwabata Susumu
半導体ナノ粒子及びその製造方法
半导体纳米粒子及其制造方法
DOI:
--
发表时间:
2023
期刊:
影响因子:
--
作者:
[]
通讯作者:
共 10 条
低毒性量子ドットのデバイス化のためのナノ粒子表面デザイン
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批准号:23K23436
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
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资助金额:$3.49万
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财政年份:2024
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负责人:桑畑 進
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依托单位:
Chalenge to use of six-electron redox reaction of sulfur for Al-S batteries
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批准号:22K19085
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项目类别:Grant-in-Aid for Challenging Research (Exploratory)
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资助金额:$4.16万
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财政年份:2022
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负责人:桑畑 進
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依托单位:
イオン液体による電子顕微鏡画像の可視化
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批准号:18655005
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项目类别:Grant-in-Aid for Exploratory Research
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资助金额:$2.11万
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财政年份:2006
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负责人:桑畑 進
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依托单位:
イオン性液体のイオンのマニピュレーション
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批准号:16655058
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项目类别:Grant-in-Aid for Exploratory Research
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资助金额:$2.37万
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财政年份:2004
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负责人:桑畑 進
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依托单位:
Cu_2O被覆Cu電極の光電気化学特性
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批准号:14050058
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$1.86万
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财政年份:2002
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负责人:桑畑 進
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依托单位:
チオール自己集合単分子膜を被覆した電極への金属のUPD反応によるナノ構造体の創製
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批准号:11118242
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas (A)
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资助金额:$1.47万
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财政年份:1999
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负责人:桑畑 進
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依托单位:
単独で機能する酵素電極触媒の創成
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批准号:08875167
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项目类别:Grant-in-Aid for Exploratory Research
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资助金额:$1.41万
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财政年份:1996
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负责人:桑畑 進
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依托单位:
半導体超微粒子を固定した電極の調製とその光電気化学特性
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批准号:07228245
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$1.34万
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财政年份:1995
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负责人:桑畑 進
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依托单位:
半導体超微粒子を固定した電極の調製とその光電気化学特性
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批准号:06239247
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$1.54万
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财政年份:1994
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负责人:桑畑 進
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依托单位:
チオール類の自己集合単分子膜を用いたマイクロ電極集合体の調製と電気化学特性
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批准号:06750848
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项目类别:Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
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资助金额:$0.58万
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财政年份:1994
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负责人:桑畑 進
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依托单位:
酵素を触媒として用いた二酸化炭素の有機分子への電気化学的固定反応
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批准号:02750594
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项目类别:Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
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资助金额:$0.58万
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财政年份:1990
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负责人:桑畑 進
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依托单位:
電気活性種をブレンドした汎用性高分子を修飾した電極の電気化学特性
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批准号:01750760
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项目类别:Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
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资助金额:$0.58万
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财政年份:1989
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负责人:桑畑 進
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依托单位:
界面活性剤および電気活性種を混合した汎用性高分子を修飾した電極の電気化学特性
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批准号:63750792
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项目类别:Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
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资助金额:$0.58万
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财政年份:1988
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负责人:桑畑 進
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依托单位:
電解酸化重合法による導電性高分子共重合膜の作成とその特性
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批准号:62750761
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项目类别:Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
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资助金额:$0.58万
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财政年份:1987
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负责人:桑畑 進
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依托单位:
海外基金