メゾスコピック領域における電子波干渉効果

介观区电子波干涉效应

• 批准号: 04221105
• 负责人: 難波 進
• 金额: $ 4.8万
• 依托单位: Nagasaki Institute of Applied Science
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
• 财政年份: 1993
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 1993 至 无数据
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-04221105/
• 关键词: メゾスコピック現象; 電子波デバイス; 量子干渉効果; 電子波エレクトロニクス; 超格子; ヘテロ接合; 超微細加工

半導体超LSIデバイスの高密度集積化が限界に近づきつつあり、メゾスコピック領域における電子波の振舞いの解明と電子波デバイスへの応用につながる電子波干渉効果の探索および原子オーダーの加工技術の実現に向けた研究がますます重要となってきた。このような背景のもとで、重点領域研究「メゾスコピック領域における電子波干渉効果の基礎」が平成2年度より組織され、3年間にわたって研究を推進し多くの新しい成果を得た。本研究は、この新しい成果を社会に広く公表し、関連する学問分野および工学的応用の発展に寄与することを目的として進めてきた。これによって1)「メゾスコピック領域における電子波の干渉効果の基礎」と題して平成5年12月早稲田大学(東京)においてシンポジウムを開催し、重点領域研究で得られた成果を公表した。シンポジウムには、国公立および民間研究機関の研究者にも広く参加を求め、広い成果の広報と情報交換を行い、今後の関連分野の発展に寄与するように努めた。2)重点領域研究によって発表した論文を集めて、成果報告書を作製し、関連研究機関および一般の関心のある研究者に広く配布して成果の波及と今後の発展に寄与するよう努めた。

Semiconductor ultra LSI デ バ イ ス の high-density set product change が limit に nearly づ き つ つ あ り, メ ゾ ス コ ピ ッ ク field に お け る electron wave vibration の dance い の interpret と electron wave デ バ イ ス へ の 応 with に つ な が る electron wave dry involved working fruit の explore お よ び atomic オ ー ダ ー の processing technology の be am に to け た research が ま す ま す important と な っ て き た. こ の よ う な background の も と で, key research "メ ゾ ス コ ピ ッ ク field に お け る electron wave dry involved working fruit based" の が pp.47-53 2 year よ り organization さ れ, 3 years に わ た っ て research を propulsion し more く の new し た を い achievements. New し は, this study こ の い results を social に hiroo く male table し, masato す る learning eset お よ び engineering 応 with の 発 exhibition に send す る こ と を purpose と し て in め て き た. "こ れ に よ っ て 1) メ ゾ ス コ ピ ッ ク field に お け る electron wave の dry involved working fruit based" の と topic し て pp.47-53 early December 5 稲 Tian Daxue (Tokyo) に お い て シ ン ポ ジ ウ ム を open し, key areas study で ら れ た results を male table し た. シ ン ポ ジ ウ ム に は, national public お よ び folk study machine masato の researchers に も hiroo く attend を め, hiroo い results の hiroo と を line い exchange of information, the future の masato even eset の 発 exhibition に send す る よ う に Mr め た. 2) the key field of research に よ っ て 発 table し た paper を set め て, achievement report を し, masato even study machine masato お よ び general の masato heart の あ る researchers に hiroo く with cloth し て results の affected と future の 発 exhibition に send す る よ う Mr め た.

项目成果

K.Gamo: "Electron,Ion and Photon Beam Processing" Mat.Res.Soc.Symp.Proc.286. 523 (1992)

K.Gamo：“电子、离子和光子束处理”Mat.Res.Soc.Symp.Proc.286。

T.Ando: "Localization and fluctaations in quautum hall regime" Phys,Rev.B. in press.

T.Ando：“量子霍尔体系中的定位和波动”Phys，Rev.B。

K.Tsukagoshi,S.Takaoka,K.Otao,K.Murase,Y.Takagaki,K.Gamo,S.Namba: "Role of Edge and Bulk Currents through a Gate Barrier in Nonlocal Resistence of GaAs/Al_xGa_<1-x>As" Phys.Rev.B46. 5016 (1992)

K.Tsukagoshi、S.Takaoka、K.Otao、K.Murase、Y.Takagaki、K.Gamo、S.Namba：“通过栅极势垒的边缘电流和体电流在 GaAs/Al_xGa_<1-x 非局域电阻中的作用

S.Takaoka,K.Tsukagoshi,S.Wakayama,K.Murase,K.Gamo,S.Namba: "Balistic and Elastic Mean-Free Path in GaAs/AlGaAs by Magnetic Electron Focusing Effect" Solid State Commun.83. 775 (1992)

S.Takaoka，K.Tsukagoshi，S.Wakayama，K.Murase，K.Gamo，S.Namba：“磁电子聚焦效应在 GaAs/AlGaAs 中的弹道和弹性平均自由路径”固态Commun.83。

K.Gamo: "Nanofabrication using focused ion beams" Proc.3rd IUMRS-ICAM(Elsevier). (1994)

K.Gamo：“使用聚焦离子束进行纳米加工”Proc.3rd IUMRS-ICAM（Elsevier）。