メゾスコピック領域における電子波干渉効果
メゾスコピック領域における電子波干渉効果
批准号:
02251106
负责人:
難波 進
金额:
$2.43万
依托单位:
依托单位国家:
日本
项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
财政年份:
1990
资助国家:
日本
项目状态:
已结题
起止时间:
1990 至 --
中文摘要
重点領域研究「メゾスコピック領域における電子波干渉効果の基礎」は電子のドブロイ波長,平均自由行程,コヒ-レンス長などの種々の特性長と同程度またはそれ以下の寸法すなわちメゾスコピック領域における新しい物理学の開拓と重要な工学的応用につながるメゾスコピック領域における電子波干渉効果の解明と探索を行うもので,理学および工学の研究者を集めて組織された。この研究を効率よく進めるには,それぞれ異なる分野の研究者の密接な協力が必要である。このため,本研究は,専門の異なる研究分担者間の研究協力,情報の交換を円滑に進め,全体的な研究の調整を行なうものである。このため本年度は,1)重点領域研究「メゾスコピック領域における電子波の干渉効果の基礎」の研究例会を2回シンポジウムを2回企画,主催して本重点領域参加者相互の情報交換,研究連絡を促進した。2)2回本研究組織の会合を開き,研究組織全体の活動予定を決め,各研究グル-プの研究成果を進め,これを総合的に検討し,その結果を各研究班の研究方針に反映させ,研究の効率的な進展を図った。3)年度末に全員の参加を求めて成果報告会を開き,研究成果の批評,総括を行い,また今後の展開について検討を加えた。4)上記重点領域研究の研究計画書,研究会資料,研究成果報告書およびニュ-スレタ-を4回編集,印刷,配布した。5)研究例会,シンポジウム,成果報告会には,本研究分担者以外の参加も求め,また研究会資料,成果報告書は,本研究分担者以外にも広く配布して,成果の批評を求め,これを研究方針に反映させるように努めた。
英文摘要
重点領域研究「メゾスコピック領域における電子波干渉効果の基礎」は電子のドブロイ波長,平均自由行程,コヒ-レンス長などの種々の特性長と同程度またはそれ以下の寸法すなわちメゾスコピック領域における新しい物理学の開拓と重要な工学的応用につながるメゾスコピック領域における電子波干渉効果の解明と探索を行うもので,理学および工学の研究者を集めて組織された。この研究を効率よく進めるには,それぞれ異なる分野の研究者の密接な協力が必要である。このため,本研究は,専門の異なる研究分担者間の研究協力,情報の交換を円滑に進め,全体的な研究の調整を行なうものである。このため本年度は,1)重点領域研究「メゾスコピック領域における電子波の干渉効果の基礎」の研究例会を2回シンポジウムを2回企画,主催して本重点領域参加者相互の情報交換,研究連絡を促進した。2)2回本研究組織の会合を開き,研究組織全体の活動予定を決め,各研究グル-プの研究成果を進め,これを総合的に検討し,その結果を各研究班の研究方針に反映させ,研究の効率的な進展を図った。3)年度末に全員の参加を求めて成果報告会を開き,研究成果の批評,総括を行い,また今後の展開について検討を加えた。4)上記重点領域研究の研究計画書,研究会資料,研究成果報告書およびニュ-スレタ-を4回編集,印刷,配布した。5)研究例会,シンポジウム,成果報告会には,本研究分担者以外の参加も求め,また研究会資料,成果報告書は,本研究分担者以外にも広く配布して,成果の批評を求め,これを研究方針に反映させるように努めた。
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JongーLam Lee,H.Kobayashi S.Tanigawa and M.Kawabe: "Reduction of dislocation density in impurity doped GaAs Grown on Si Substrate by molecular beam epitaxy" Jpn.J.Appl.Phys.29. L860-L863 (1990)
Jong-Lam Lee、H.Kobayashi S.Tanikawa 和 M.Kawabe:“通过分子束外延在 Si 衬底上生长的杂质掺杂 GaAs 中位错密度的降低”Jpn.J.Appl.Phys.29 (1990)。
DOI:
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发表时间:
期刊:
影响因子:
--
作者:
[]
通讯作者:
S.Iwai,T.Meguro,Y.Aoyagi: "Patterned crystal growth of GaAs by laser scanning in atomic layer epitaxy" J.Cryst.Growth.
S.Iwai、T.Meguro、Y.Aoyagi:“通过原子层外延中的激光扫描进行 GaAs 图案化晶体生长”J.Cryst.Growth。
DOI:
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发表时间:
期刊:
影响因子:
--
作者:
[]
通讯作者:
H.Akera and T.Ando: "Current distribution and Hall resistance in quantum wires" Sur.Sci.229. 268-270 (1990)
H.Akera 和 T.Ando:“量子线中的电流分布和霍尔电阻”Sur.Sci.229。
DOI:
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发表时间:
期刊:
影响因子:
--
作者:
[]
通讯作者:
T.Kosugi,R.Mimura,R.Aihara,K.Gamo,S.Namba: "Low energy focused ion beam system and application to low damage Microprocess" Jpn.J.Appl.Phys.29. 2295-2298 (1990)
T.Kosugi,R.Mimura,R.Aihara,K.Gamo,S.Namba:“低能量聚焦离子束系统及其在低损伤微加工中的应用”Jpn.J.Appl.Phys.29。
DOI:
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发表时间:
期刊:
影响因子:
--
作者:
[]
通讯作者:
Y.Takagaki,K.Gamo,S.Namba,S.Takaoka,K.Murase: "Transfer resistance in GaAsーAlGaAs electron waveguide" Solid State Commun.75. 873-876 (1990)
Y.Takagaki、K.Gamo、S.Namba、S.Takaoka、K.Murase:“GaAsーAlGaAs 电子波导中的传输电阻”Solid State Commun.75 (1990)。
DOI:
--
发表时间:
期刊:
影响因子:
--
作者:
[]
通讯作者:
共 6 条
メゾスコピック領域における電子波干渉効果
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批准号:04221105
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$4.8万
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财政年份:1993
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负责人:難波 進
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依托单位:
電子波エレクトロニクス
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批准号:04221104
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$25.6万
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财政年份:1992
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负责人:難波 進
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依托单位:
電子波エレクトロニクス
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批准号:03237105
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$32.0万
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财政年份:1991
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负责人:難波 進
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依托单位:
メゾスコピック領域における電子波干渉効果
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批准号:03237106
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$2.18万
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财政年份:1991
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负责人:難波 進
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依托单位:
電子波エレクトロニクス
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批准号:02251105
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$34.3万
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财政年份:1990
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负责人:難波 進
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依托单位:
メゾスコピック領域における電子波干渉効果に関する総合的研究
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批准号:01306034
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项目类别:Grant-in-Aid for Co-operative Research (B)
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资助金额:$0.0万
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财政年份:1989
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负责人:難波 進
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依托单位:
一次元極微構造半導体中の量子干渉効果と電子波エレクトロニクス
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批准号:63306017
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项目类别:Grant-in-Aid for Co-operative Research (B)
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资助金额:$1.28万
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财政年份:1988
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负责人:難波 進
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依托单位:
極限構造の量子効果と応用
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批准号:62306016
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项目类别:Grant-in-Aid for Co-operative Research (B)
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资助金额:$1.15万
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财政年份:1987
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负责人:難波 進
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依托单位:
極微構造エレクトロニクスに関する研究
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批准号:60128005
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项目类别:Grant-in-Aid for Special Project Research
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资助金额:$6.14万
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财政年份:1985
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负责人:難波 進
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依托单位:
ナノメートルリソグラフィー技術の研究
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批准号:59103011
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项目类别:Grant-in-Aid for Special Project Research
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资助金额:$26.56万
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财政年份:1984
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负责人:難波 進
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依托单位:
極微構造エレクトロニクスに関する研究
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批准号:59103010
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项目类别:Grant-in-Aid for Special Project Research
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资助金额:$2.62万
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财政年份:1984
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负责人:難波 進
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依托单位:
ナノメートルリソグラフィー技術の研究
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批准号:58209036
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项目类别:Grant-in-Aid for Special Project Research
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资助金额:$24.32万
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财政年份:1983
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负责人:難波 進
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依托单位:
極微構造エレクトロニクスに関する研究
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批准号:58109006
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项目类别:Grant-in-Aid for Special Project Research
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资助金额:$2.56万
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财政年份:1983
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负责人:難波 進
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依托单位:
スキャンニングマイクロプラズマ超微細加工技術の研究
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批准号:58850007
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项目类别:Grant-in-Aid for Developmental Scientific Research
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资助金额:$3.84万
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财政年份:1983
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负责人:難波 進
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依托单位:
極微構造エレクトロニクスに関する研究
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批准号:57117005
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项目类别:Grant-in-Aid for Special Project Research
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资助金额:$2.56万
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财政年份:1982
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负责人:難波 進
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依托单位:
ナノメートルリソグラフィー技術の研究
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批准号:57217028
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项目类别:Grant-in-Aid for Special Project Research
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资助金额:$14.72万
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财政年份:1982
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负责人:難波 進
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依托单位:
電界電離形気体高輝度イオン源の試作とその基礎特性の研究
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批准号:56850034
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项目类别:Grant-in-Aid for Developmental Scientific Research
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资助金额:$2.24万
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财政年份:1981
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负责人:難波 進
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依托单位:
極微構造エレクトロニクスに関する総合的研究
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批准号:56306041
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项目类别:Grant-in-Aid for Co-operative Research (B)
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资助金额:$0.96万
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财政年份:1981
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负责人:難波 進
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依托单位:
安定なジョセフソン接合素子の製作とその論理回路への応用
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批准号:56203011
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项目类别:Grant-in-Aid for Special Project Research
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资助金额:$4.29万
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财政年份:1981
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负责人:難波 進
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依托单位:
ビームプロセス技術に関する総合的研究
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批准号:56350001
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项目类别:Grant-in-Aid for Co-operative Research (A)
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资助金额:$5.82万
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财政年份:1981
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负责人:難波 進
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依托单位:
海外基金