電子波エレクトロニクス

GaAs/AlGaAsヘテロ構造量子細線素子を作製し、十字路での曲がり電気抵抗をシミュレ-ションした。また、0.1μm以下の細線で、境界による散乱長の減少を明らかにした。(難波) GaAs段差基板上にGaAs/AlAs共鳴トンネリング構造、InGaAs/AlAs歪量子井戸構造をMBEで作製し、横方向にキャリアをコンファインできることを明らかにした。(冷水) 2次元束縛のうち、1次元が弱い周期的ポテンシャルである表面超格子系について界面凸凹散乱を理論的に解明し、実際の界面凸凹を量子井戸構造で評価した。(榊) MOCVDで作製したGaInAs/InPホットエレクトロントランジスタにおいて、200以上の電流利得を得、さらに、位相緩和時間が0.1psにオ-ダ以上であることを推定した。(古屋) 非線型光学応答の性能指数一定という壁を破る候補として、励起子光非線型性が有望であることを理論的に示した。(花村) 極微構造半導体の光による仮想励起キャリアとコヒ-レント伝導電子の相互作用を用いた新型光デバイスの実現への第1段階といて、仮想励起過程の超高高速性を実験的に示した。(山西) GaAs/AlGaAs二重量子井戸構造のフェムト秒ホトルミネセンスを測定し、トンネル遷移における散乱現象を明らかにし、トンネル遷移の時間を決定した。(赤崎) STMの発光特性を計測した。トンネル電子の時間的な相関関係の理論計算を行い、それが発光特性に反映されていることを見いだした。(潮田) 電子波干渉効果を起こす領域に電子をトンネル注入するために、トンネリングにおける電子波の波数の横方向成分の保存性を積極的に利用する方法を提案し、1TーTas_2においてこの波数保存性を実験的に確かめた。(尾崎) 微小間隙を用いた電子とレ-ザ-光(波長7800A^^°)との相互作用確率を理論的に計算し、この実験的観測が可能である事を明らかにした。(水野)

GaAs/AlGaAsヘテロ構造量子細線素子を作製し、十字路での曲がり電気抵抗をシミュレ-ションした。また、0.1μm以下の細線で、境界による散乱長の減少を明らかにした。(難波) GaAs段差基板上にGaAs/AlAs共鳴トンネリング構造、InGaAs/AlAs歪量子井戸構造をMBEで作製し、横方向にキャリアをコンファインできることを明らかにした。(冷水) 2次元束縛のうち、1次元が弱い周期的ポテンシャルである表面超格子系について界面凸凹散乱を理論的に解明し、実際の界面凸凹を量子井戸構造で評価した。(榊) MOCVDで作製したGaInAs/InPホットエレクトロントランジスタにおいて、200以上の電流利得を得、さらに、位相緩和時間が0.1psにオ-ダ以上であることを推定した。(古屋) 非線型光学応答の性能指数一定という壁を破る候補として、励起子光非線型性が有望であることを理論的に示した。(花村) 極微構造半導体の光による仮想励起キャリアとコヒ-レント伝導電子の相互作用を用いた新型光デバイスの実現への第1段階といて、仮想励起過程の超高高速性を実験的に示した。(山西) GaAs/AlGaAs二重量子井戸構造のフェムト秒ホトルミネセンスを測定し、トンネル遷移における散乱現象を明らかにし、トンネル遷移の時間を決定した。(赤崎) STMの発光特性を計測した。トンネル電子の時間的な相関関係の理論計算を行い、それが発光特性に反映されていることを見いだした。(潮田) 電子波干渉効果を起こす領域に電子をトンネル注入するために、トンネリングにおける電子波の波数の横方向成分の保存性を積極的に利用する方法を提案し、1TーTas_2においてこの波数保存性を実験的に確かめた。(尾崎) 微小間隙を用いた電子とレ-ザ-光(波長7800A^^°)との相互作用確率を理論的に計算し、この実験的観測が可能である事を明らかにした。(水野)