小分子活性化を目的とする金属クラスター錯体の合成

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Mo_3S_7Cl_4とPEt_3の反応生成物をマグネシウムで還元しdppeで安定化することにより最初の7電子3核モリブデンスルフィドクラスター[Mo_3S_4Cl_3(dppe)_2(PEt_3)]を合成単離した。またCrCl_2,PR_3,Na_2Seの反応により、6核クラスター[Cr_6Se_8(PR_3)_6]を合成した。6核クロムクラスター錯体はモリブデン類似体と異なり、温度依存性の常磁性を示すことを見出した。(齋藤)ルテニウム3核錯体を2、3、4個ピラジンで架橋した多量体の誘導体を多数合成し、酸化還元特性を検討した。(伊藤)ホスフィド架橋鉄錯体によるアセチレンおよびヒドロシランの活性化をおこない、それぞれの反応物が2個の鉄の間に挿入した生成物を得た。 またシリレンが架橋した初めての基底三重項錯体を単離した。(荻野)ニッケルを含む硫黄架橋モリブデン/タングステンクラスター錯体[M_3NiS_4(H_2O)_<10>]^<4+>がエチレンと反応することを見出したので、M_3=Mo_3,Mo_2W,MoW_2,W_3錯体について反応性の比較をおこなった。(柴原)架橋ヒドリドRu_3およびRu_3(μ_3-E)型錯体反応場での基質(S_8,O_2,MeI,MR_2,Me_3SiN_3,MeCN,EtCN,^tBuCN)の活性化をおこない、生成物を単離して構造解析した結果、基質は3個のルテニウムを架橋する形式で配位することが明らかになった。(鈴木) モリブデンとタングステンを含むヘテロバイメタリック錯体の新合成法を開発して新化合物の構造を解析した。(若槻)