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レーザー蒸発法による高励起フリーラジカルの生成と振動ダイナミクス

激光蒸发法高激发自由基的产生及其振动动力学

基本信息

批准号：
05237205
负责人：
山内薫
金额：
$ 1.34万
依托单位：
The University of Tokyo
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
财政年份：
1993
资助国家：
日本
起止时间：
1993 至无数据
项目状态：
已结题

来源：
https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-05237205/
关键词：
レーザー蒸発法レーザー誘起ケイ光 Renner効果

项目摘要

(1)レーザー蒸発法によるフリーラジカル発生ノズルの制作と性能の最適化:フリーラジカルの生成のために、レーザー蒸発法を用いたフリーラジカル源を制作した。炭素原子を含むフリーラジカルを生成するために、カーボンロッドを試料として用いた。また、ケイ素原子を含むフリーラジカルを生成する場合には、シリコンロッドを資料として用いている。蒸発用のレーザーとしては、Nd:YAGレーザーの基本波(波長1064nm)を用い、その入射強度やキャリヤーガスの条件などを検討し、フリーラジカル生成のための最適の条件を突き止めた。(2)蛍光シグナルの観測のための計測システムの制作と最適化:レーザー誘起蛍光スペクトルを観測することにより、C原子、C_2(D-Xバンド)、C_3(A-XおよびB-X,C-Xバンド)の検出に成功し、それぞれのサイズのC_n型のフリーラジカルを効率良く生成するために、主にノズルの貯気槽圧や検出用レーザーと蒸発用レーザーのタイミングなどの諸条件の最適化を試みている。C_3のレーザー誘起蛍光スペクトルの測定においては、比較的低い分解能で広範囲のスペクトルを測定し振電バンドの全貌を明らかにするとともに、高分解能測定に基づいて回転構造を解析することによりその振電構造の解明に取り組んでいる。とくに、Renner効果による準位構造の分離を解析し、変角振動の量子数の帰属を高エネルギー側に延長した。この帰属に基づいた解析から、従来の一次の摂動論によるエネルギー順位の記述が不適切であり、ハミルトニアン行列の対角化が必要であることが明らかとなった。さらに、シリコンロッドを用いたレーザー蒸発法により、Si、Si_2、SiO、SiH_2などのラジカルの検出に成功している。

(1)The production and performance optimization of the production and production of the liquid crystal display method are as follows: Carbon atoms are produced in the form of carbon atoms. In the case where the element atom is contained in the matrix, the element atom is contained in the matrix. The fundamental wave (wavelength 1064nm) of Nd:YAG laser used for evaporation was investigated, and the optimum conditions for the generation of Nd: YAG laser were discussed. (2)The preparation and optimization of the measurement system for the light source detection are as follows: the successful detection of C atom, C_2(D-X), C_3(A-X) and B-X,C-X); the optimization of the conditions for the generation of C_n type light source detection system; the optimization of the conditions for the generation of C_n type light source detection system; and the optimization of the conditions for the generation of C_n type light source detection system. C_3-induced luminescence is measured by comparing the low and high resolution energies of the low and high resolution energies of the induced luminescence. The analysis of the quasi-position structure of the Renner and the quantum number of the angular vibration are carried out. The description of the sequence is not appropriate. In this paper, we discuss the successful development of silicon, Si_2, SiO and SiH_2 in the process of evaporation.