半導体リッジ型ナノ構造における近接場光の分布と光学遷移
半導体リッジ型ナノ構造における近接場光の分布と光学遷移
批准号:
09241207
负责人:
秋山 英文
金额:
$1.92万
依托单位:
依托单位国家:
日本
项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
财政年份:
1997
资助国家:
日本
项目状态:
已结题
起止时间:
1997 至 --
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マイクロボールレンズを加工した無収差のソリッドイマージョンレンズ(SIL)を用いて回折限界を超えるサブミクロンオーダーの高い空間分解能を実現し、CCDカメラ・走査画像計測技術・および画像データ記録処理技術と組合わせてパラレル計測型の2次元分光計測システムの開発を行った。そして、この方法を半導体リッジ型ナノ構造に適用し、そこでの近接場光の分布と光学遷移を調べる研究が進行中である。SILはマイクロボールを半球型もしくはレンズ中心からr/nの高さで底面加工したレンズ(ワイエルストラス球型)で理想的には球面収差はない。これを通常の光学顕微鏡の対物レンズと組み合わせて発光画像計測を室温および低温で行った。試料には4.8mm幅のストライプ状にメサエッチングした井戸幅11nm、30周期のGaAs/AlAs多重量井戸を用いた。最初に室温の測定を行いこのシステムの有効性を確認した。水銀ランプを分光した波長546nmの光を用いて励起し、発光像のストライプ方向に垂直な方向での発光強度断面をみると、キャリアの拡散効果のため試料の中央付近では差が見えないが、試料端において発光強度の増加が観測される。この効果はリッジ型細線構造の頂点からの発光強度の増大と共通の現象である。こうした現象が観測できたのは、SILにより高分解能での発光像が得られたためである。またN.A.の増加により発光の検出効率が8〜12倍増加したことも注目に値する。次に低温にて顕微発光像測定をおこなった。クライオスタット内の試料上にSILを置き光学窓を通して発光像を測定した。SILを用い低温(4K)から室温までの温度変化による多重量子井戸からの発光像の強度断面が観測された。発光像の温度変化はキャリアの拡散長の変化によると考えられる。
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T.Sasaki: "Application of Solid immersion lens to high-resolution photo luminescence imaging of patterned GaAs quahtum wells" Japanese Journal of Applied Physics,Part2. 36・7B. L962-L964 (1997)
T.Sasaki:“固体浸没透镜在图案化 GaAs 量子阱的高分辨率光致发光成像中的应用”日本应用物理学杂志,第 2 部分 L962-L964(1997 年)。
DOI:
--
发表时间:
期刊:
影响因子:
--
作者:
[]
通讯作者:
H.Akiyama: "Photoluminescence study of lateral confinement enrgy in T-shaped InGaAs quahtum wires" Physical Review B. 57・7. 3765-3768 (1998)
H.Akiyama:“T 形 InGaAs 量子线中横向限制能量的光致发光研究”物理评论 B. 57・7(1998)
DOI:
--
发表时间:
期刊:
影响因子:
--
作者:
[]
通讯作者:
H.Akiayma: "One-dimensional excitons in GaAs quautum wires" Journal of Physics:Condensed Matter. 10・(未定). (1998)
H.Akiayma:“砷化镓量子线中的一维激子”物理学杂志:凝聚态物质10·(待定)。
DOI:
--
发表时间:
期刊:
影响因子:
--
作者:
[]
通讯作者:
Y.Hanamaki: "Spontaneous-Emission-lifetime alternation in InGaAs/GaAs vertical-cavity surface-emitting laser structures" Physical Review B,Rapid Communications. 56・8. R4379-R4382 (1997)
Y. Hanamaki:“InGaAs/GaAs 垂直腔表面发射激光器结构中的自发发射寿命交替”,《物理评论 B》,快速通信 56・8(1997 年)。
DOI:
--
发表时间:
期刊:
影响因子:
--
作者:
[]
通讯作者:
H.Akiyama: "Speetroscopy of one-dimensional excitons in GaAs quautum wires" Material Science and Engineering B. 48. 126-130 (1997)
H.Akiyama:“GaAs 量子线中一维激子的光谱”材料科学与工程 B. 48. 126-130 (1997)
DOI:
--
发表时间:
期刊:
影响因子:
--
作者:
[]
通讯作者:
共 6 条
電流注入レーザーの極端非線形利得スイッチによる光子寿命限界を破る短パルス発生
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批准号:24K00919
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
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资助金额:$11.81万
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财政年份:2024
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负责人:秋山 英文
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依托单位:
電流注入利得スイッチレーザー活性層の限界駆動高速非線形性とその電気的制御
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批准号:21H01361
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
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资助金额:$11.48万
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财政年份:2021
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负责人:秋山 英文
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依托单位:
高品質半導体ナノ構造光デバイスの「ものづくり」と基礎物理研究
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批准号:14F04907
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项目类别:Grant-in-Aid for JSPS Fellows
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资助金额:$1.47万
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财政年份:2014
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负责人:秋山 英文
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依托单位:
利得スイッチングによる半導体量子構造レーザからの短光パルス発生
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批准号:10F00374
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项目类别:Grant-in-Aid for JSPS Fellows
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资助金额:$1.34万
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财政年份:2010
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负责人:秋山 英文
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依托单位:
クリーン量子井戸及び量子細線半導体レーザーにおける次元性とキャリア間相互作用
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批准号:09F09283
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项目类别:Grant-in-Aid for JSPS Fellows
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资助金额:$1.34万
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财政年份:2009
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负责人:秋山 英文
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依托单位:
生物発光スペクトル絶対定量分光計測とホタル発光色決定機構
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批准号:20654027
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项目类别:Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
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资助金额:$2.18万
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财政年份:2008
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负责人:秋山 英文
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依托单位:
超平坦ガリウム砒素MBEへき開再成長アニール表面の制御と理想2次元励起子系の顕微分光計測
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批准号:02F02307
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项目类别:Grant-in-Aid for JSPS Fellows
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资助金额:$0.58万
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财政年份:2002
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负责人:秋山 英文
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依托单位:
超平坦ガリウム砒素MBEへき開再成長アニール表面の制御と理想2次元励起子系の顕微分光計測
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批准号:02F00307
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项目类别:Grant-in-Aid for JSPS Fellows
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资助金额:$0.83万
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财政年份:2002
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负责人:秋山 英文
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依托单位:
半導体リッジ型ナノ構造における近接場光の分布と光学遷移
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批准号:11122205
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas (A)
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资助金额:$1.41万
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财政年份:1999
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负责人:秋山 英文
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依托单位:
ソリッドイマージョン蛍光顕微画像計測法
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批准号:10874058
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项目类别:Grant-in-Aid for Exploratory Research
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资助金额:$1.41万
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财政年份:1998
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负责人:秋山 英文
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依托单位:
半導体リッジ型ナノ構造における近接場光の分布と光学遷移
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批准号:10135206
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas (A)
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资助金额:$1.34万
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财政年份:1998
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负责人:秋山 英文
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依托单位:
海外基金