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半導体生産プロセスのフッ素完全除去と水循環利用

半导体生产过程中的完整除氟和水回收

基本信息

批准号：
09247227
负责人：
伊永隆史
金额：
$ 1.34万
依托单位：
The University of Tokushima
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
财政年份：
1997
资助国家：
日本
起止时间：
1997 至无数据
项目状态：
已结题

项目摘要

半導体生産関連プロセスのフッ化水素系洗浄排水のフッ素完全除去に適用可能なカラム処理技術の開発を目指し、CaF_2,フッ素アパタイト等をセラミック焼結時に含有させ、フッ素完全除去機能を持つセラミック焼結体を十数種類合成した。CaF_2含有セラミックの作製は、市販ホタル石(CaF_2)を粉砕紛糾したものとシリカ粉末(SiO_2)をそれぞれ組成を変えて結合した後、多孔質化材としてスチロール樹脂粉末、バインダーとしてサンサルを加える。ペレット状に抽出成形したり、球状に丸めたりした後、約1200℃で焼成して、均一形状のセラミック材料が得られた。フッ素アパタイト・骨粉等を混入した。同様に焼成したセラミック材料も加え、フッ素含有排水との反応特性の実験解析と特性評価を実施した。Caf_2沈殿反応系ヘリン酸態を共存させることによって、難溶性のフッ素アパタイトが容易に生成しフッ素アパタイト含有セラミック上に、エピタキシャルに新しいアパタイトが成長する。この反応は、歯の表面に歯石が蓄積する生体反応を模倣したものである。類似の結晶成長現象がセラミック表面で起こるので、充填カラムを用いたフッ素排水の通液実験では、破過が起こるのか否かの観察も含め、破過に至るまでの通液実験とセラミックの再生実験を種々実施する必要があることを認めた。また、今回行った実験結果から、カラム法の方がバッチ法に比べフッ素除去に効果的に働くことが明らかになったが、その理由は接触効率が良いことがあげられる。

In order to develop a treatment technology that may be applicable to the complete removal of phosphorus from washing and drainage water related to semiconductor production, more than ten types of sintered bodies have been synthesized that contain CaF_2, phosphorus, etc. during sintering to maintain the complete removal function of phosphorus. CaF_2 contains CaF_2, SiO_2, SiO_2, SiO_2, After being extracted and shaped in a spherical shape, the material is sintered at about 1200℃ and has a uniform shape. The white powder is mixed in. In the same way, the material is added to the surface of the material, and the surface of the material is analyzed and evaluated. Caf_2 is a new type of organic solvent that can be easily formed in the acidic state of the organic solvent. The surface of the tooth is covered by the surface of the tooth. Similar crystal growth phenomena such as the formation of crystals on the surface, the filling of crystals, the use of pristine drainage, the passage of liquids, the detection of impurities, the passage of liquids through the surface, and the regeneration of crystals are necessary. The result of this process is that the method is better than the method of removing the effect.