Electron density and chemical bonding in intermetallic borides and structural analogues

Eingehende测试和weesentliche Verbesserungen一个unserem dediziertenRöntgendiffraktometer haben die Sammlung hochaufgelöster Daten für ScB 2，VB 2，V3 B4 undVB ermöglicht.基于VB 2的电子数据库的实验重构最大限度地发挥了实验室的潜力，从而使VB的数据库变得更加强大。对于另一个水晶来说，它是一个没有意义的洞。由于V2 B3的特点，需要一个VB -V2 B3-V3 B4-VB 2的版本。因此，可以使用韦尔登，在电子电路中使用相同的拓扑结构来进行互连。二硼化锆和铌在YGa 2中的溶解度比在RuAl 2中的溶解度高，并且在RuAl 2中的溶解度比在YGa 2中的溶解度高。Als eine weitere Gruppe von Verbindungen sollen Defektvarianten der AlB 2-Strukturuntersucht韦尔登.在Aluminiumdiborid本身是Al-Position统计数据的90%中，Hingegen是Yb 3Si 5结构中的缺陷，其中Yb 3Si 5 = 3 YbSi 2-x（x = 1/3）geordnet。Für jede der untersuchten Verbindungen wird die experimentellbestimmte Elektronenchiete mit nach verbedenen Methoden theoretisch berechneten Dichten verglichen.通过结合实验和理论研究，提出了一种在AlB 2-结构中进行化学结合的通用模型，可用于结构的韦尔登。

Eingehende Tests und wesentliche Verbesserungen an unserem dediziertenRöntgendiffraktometer haben die Sammlung hochaufgelöster Daten für ScB2, VB2, V3B4 undVB ermöglicht. Die erfolgreiche Rekonstruktion der Elektronendichte aus den Beugungsdatenvon VB2 bestätigt das Potential des experimentellen Aufbaus, zumal gerade erst gemesseneDaten an VB noch vielversprechender aussehen. Für die anderen Kristalle erscheint eineWiederholung der Messung notwendig. Da bereits gute Einkristalle von V2B3 gezüchtetwerden konnten, sollte ein eingehender Vergleich entlang der Reihe VB - V2B3 - V3B4 - VB2bereits in naher Zukunft möglich sein. Danach kann untersucht werden, inwieweit dieähnliche Topologie gemeinsamer Baueinheiten in der Elektronendichte der Verbindungenwiedergespiegelt wird. Die Untersuchungen einfacher Diboride sollen über ZrB2 und NbB2zum YGa2 und schließlich zum in einer anderen Struktur kristallisierenden RuAl2 ausgedehntwerden. Als eine weitere Gruppe von Verbindungen sollen Defektvarianten der AlB2-Strukturuntersucht werden. In Aluminiumdiborid selbst ist die Al-Position statistisch nur zu 90%besetzt, hingegen sind die Defekte in der Struktur von Yb3Si5 entsprechend Yb3Si5 = 3 YbSi2-x (x = 1/3) geordnet. Für jede der untersuchten Verbindungen wird die experimentellbestimmte Elektronendichte mit nach verschiedenen Methoden theoretisch berechnetenDichten verglichen. Aus der Kombination experimenteller mit theoretischen Untersuchungensoll ein allgemeineres Modell der Chemischen Bindung im AlB2- Strukturtyp sowie fürabgeleitete Strukturen entwickelt werden.