分光法による反応性プラズマ内の非発光ラジカル密度測定法の開発

开发一种利用光谱测量反应等离子体中非发光自由基密度的方法

• 批准号: 01632006
• 负责人: 後藤 俊夫
• 金额: $ 11.14万
• 依托单位: Nagoya University
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
• 财政年份: 1989
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 1989 至 无数据
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-01632006/
• 关键词: シランプラズマ; 赤外レーザー吸収法; レーザー誘起蛍光法; SiHm非発光ラジカル; CF非発光ラジカル; 拡散係数; 反応速度定数; CF_4プラズマ

研究目的プロセス用反応性プラズマの定量的研究を行うには、薄膜形成の前駆物質として重要な非発光ラジカルの密度を知る必要がある。本研究ではシラン系ラジカルの赤外スペクトル、吸収のf値等を決定すると共に、赤外床び可視レーザ分光法を用いてSiH_m(m=0-3)非発光ラジカル密度(絶対値)測定法を開発し、RFシランプラズマ内のラジカル密度測定を行う。さらにエッチング系のCF_4系ラジカル計測も行い、それらの結果を基に計測法の簡便化を計る。また光イオン化質量分析法等による非発光ラジカルの反応速度定数の測定法の研究も行う。平成元年度研究成果63年度は赤外レーザー吸収法による直流パルスシランプラズマ内のラジカル密度及び拡散係数等の測定、可視レーザー分光法によるラジカル密度測定装置の製作を行った。それを発展させて本年度は次の成果を得た。1.シラン系ラジカルの計測(1)赤外レーザー吸収法を用いてSiH_2の赤外スペクトル(ν_3、ν_1バンド)の解明を行った。また薄膜作製条件下でRFシランプラズマ内のSiH_3非発光ラジカルの密度(絶対値)の空間分布を測定した。(2)ホローカソード光源を利用した紫外吸収法によりRFシランプラズマ内のSi原子密度を測定した。(3)飽和レーゾー誘起蛍光法によるラジカルの可視振動回転線のA係数測定法を確立した。2.赤外レーザー吸収法を用いてCR_4プラズマ内のCFラジカルの密度及び拡散係数を測定した。3.光イオン化質量分析法を用いて炭化水素系非発光ラジカルの反応速度定数を測定した。

Objective: To conduct quantitative research on the optical properties of thin films, it is necessary to know the density of optical properties of the precursors of thin film formation. In this study, we developed a method for the determination of the infrared spectrum, absorption f value, etc. of the infrared spectrum, infrared spectrum and visible spectrum, and developed a method for the determination of the infrared spectrum density (m=0-3) of the infrared spectrum. The CF_4 system of the system was designed to simplify the measurement method based on the results. A Study on the Determination Method of Non-luminous Velocity by Photochemical Mass Analysis Research results of the first year of Heisei, 1963. Production of a device for measuring the density and dispersion coefficient of a sample by direct current absorption spectroscopy and visible spectroscopy. This year's results were achieved by the company's development. 1. The measurement of SiH_2-SiO_2 system (v_3, v_1). The spatial distribution of SiH_3 non-emissive layer density (absolute value) under the condition of thin film fabrication was determined. (2)The atomic density of Si in the sample was determined by UV absorption method. (3)A method for determining the A coefficient of the visible vibration loop by the saturation induced light method 2. The density and dispersion coefficient of CF in CR_4 were determined by infrared absorption method. 3. The determination of the reaction velocity of the carbon water system by optical chemical mass analysis

项目成果

A.Miyoshi: "Reaction of acetaldehyde and acetyl radical with atomic and molecular oxygen" J.Phys.Chem.93. 5813 (1989)

A.Miyoshi：“乙醛和乙酰基与原子和分子氧的反应”J.Phys.Chem.93。

N.Itabashi: "Diffusion coefficient and reaction rate constant of the SiH_3 radical in silane plasma" Jpn.J.Appl.Phys.28. 325-328 (1989)

N.Itabashi：“硅烷等离子体中SiH_3自由基的扩散系数和反应速率常数”Jpn.J.Appl.Phys.28。

T.Goto: "Detection of radicals in processing plasmas" Proc.of 4th Int.Conf.on Laser Aided Plasma Diagnostics. November. 462-467 (1989)

T.Goto：“检测等离子体处理中的自由基”Proc.of 4th Int.Conf.on Laser Aided Plasma Diagnostics。

C.Yamada: "Detection of the silylene ν_2 band by infrared diode laser kinetic spectroscopy" J.Chem.Phys.91. 4582-4586 (1989)

C.Yamada：“通过红外二极管激光动力学光谱检测亚硅基 ν_2 谱带”J.Chem.Phys.91 (1989)。

M.Magane: "Measurements of the CF radical in DC pulsed CF_4/H_2 discharge plasma" Jph.J.Appl.Phys.

M.Magane：“直流脉冲 CF_4/H_2 放电等离子体中 CF 自由基的测量”Jph.J.Appl.Phys。