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マイクロ波を用いた高効率反応性熱プラズマ発生及び特性評価

使用微波进行高效反应热等离子体生成和特性评估

基本信息

批准号：
01632504
负责人：
吉田豊信
金额：
$ 1.92万
依托单位：
The University of Tokyo
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
财政年份：
1989
资助国家：
日本
起止时间：
1989 至无数据
项目状态：
已结题

项目摘要

旧来のト-チでは、プラズマ発生条件の範囲が狭く、特性評価が困難であるなどの短所があった為に、本年度は新しいト-チを設計試作した。立体回路素子部に改良を加えたことにより、ア-キングが抑制され、より広い領域でのプラズマ発生が実現し、特に減圧下でのプラズマ発生が可能となった。プラズマの安定性はガス組成、流量、圧力、電極間ギャップ等に強く依存し、プラズマジェットが安定に発生し得る圧給には、下限が存在することが判明した。更にチャンバ-との結合様式の変更により、ト-チノズル出口近傍の発光分析が可能となった。Ar-H_2-CH_4大気圧プラズマに関する発光分析により、ノズル出口近傍においてH原子のバルマ-系列の発光が検出され、その強度からH原子の励起温度はおよそ7000Kと求められた。H原子の発光はノズル出口から30mm程度で急激に減衰するが、C系ラジカルはより長範囲に分布し、基板近傍でも検出された。C_x系ラジカルの温度はC_2の振動準位について定義でき、そのswanバンドから、位置に関わらず約5000Kであることが判明した。また、基板ホルダ-を兼ねた二段差動排気ノズルを使用することにより、基板近傍の気相種を質量分析することが可能となり、基板近傍ではC_1,C_2系気相種が主であり、C_3系以上の種は殆ど存在しないことが確認された。減圧下においても上記方法により、気相種を分析した結果、大気圧下の場合に比較して励起種の軸方向分布が異なり、基板上ではC_1系気相種がより多く、C_2系気相種が減少することが判明した。今後、ガス組成、圧力、電極間ギャップ等の外部パラメ-タと気相種の分析結果とを総合的に検討することにより、基板上の気相種の組成、励起温度等を制御する技術を確立する必要がある。

The old version of the new version. The three-dimensional circuit element part is improved by adding, reducing and suppressing the voltage of the circuit element. The stability of the system depends on the composition, flow rate, pressure, and electrode gap. The stability of the system depends on the pressure and the lower limit. It is possible to analyze the light emission near the exit of the light source. Ar-H_2-CH_4 high-pressure emission analysis, near the exit of the H-series emission detection, intensity, excitation temperature of the H atom H atoms emit light from 30mm to 30 mm. C atoms emit light from 30mm to 30 mm. C atoms emit light from 30 mm to 30 mm. C_x system temperature is about 5000 K. C_x system vibration level is about 5000K. The mass analysis of C_1, C_2 and C_3 series phase species near the substrate is possible. The analysis results of gas phase species under pressure reduction show that the axial distribution of excitation species is different under high pressure, and the C_1-system gas phase species is more than that of C_2-system gas phase species. In the future, it is necessary to establish the technology for controlling the composition, excitation temperature, etc. of the gas phase species on the substrate by combining the analysis results of the external gas phase species, such as the composition, pressure, and electrode gap.