バイアスECR型プラズマCVD法によるアモルファスダイヤモンド膜の合成と評価

偏压ECR型等离子体CVD法非晶金刚石薄膜的合成与评价

基本信息

  • 批准号:
    02205051
  • 负责人:
  • 金额:
    $ 1.09万
  • 依托单位:
  • 依托单位国家:
    日本
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
  • 财政年份:
    1990
  • 资助国家:
    日本
  • 起止时间:
    1990 至 无数据
  • 项目状态:
    已结题

项目摘要

本研究では,バイアスを印加したECR型プラズマCVD法によりアモルファスダイヤモンド膜を合成し,その基礎的特性の評価と合成プロセスの解明を試みた。ECR型プラズマCVD装置を用いて、メタン及び水素ガスの混合ガスをプラズマ中に送り込み、200℃の基板温度でアモルファスカ-ボン膜を合成した。基板には、Siまたはガラスを用いた。マイクロ波出力を300Wに固定し、チャンバ-と基板間に直流バイアスを印加したところ,茶褐色の硬い膜が生成した。膜の析出速度は,基板に印加した負のバイアスの増加に伴い徐々に増加する結果となった。これは印加バイアスが、気相中でメタンや水素から生成する陽イオンの周囲への散逸を防ぐと同時に、陽イオンや分子の基板への拡散速度を増大させるため析出速度の増大をもたらしたと思われる。膜の硬度もバイアスの増加と共に増大し,印加電圧ー200Vにおいて最大30GPaを越える程度の硬いカ-ボン膜の生成が見られた。これは、これまでに通常のECRプラズマCVDで得られたカ-ボン膜の8.5GPaに較べて大幅な硬度の上昇を示しており、印加電圧の上昇に伴い加速された高エネルギ-イオンの衝撃による膜の緻密化等により高硬度が達成されたものと思われる。また、赤外吸収スペクトルよりCーH吸収ピ-クが印加電圧の増加に伴い減少しているのが観察され、膜中の水素含量の低下を示している。これは、水素含量の低下に伴いCーC結合が増大し、ダイヤモンド構造に近い構造が実現しているためと思われる。さらに、SEM観察の結果からアモルファス特有の平滑な表面組織を持ち,バイアスの印加に伴いその表面平滑性も増加することが判明した。これらの膜中の内部応力は、0.05〜0.07GPaの弱い圧縮応力であった。
In this study, we try to evaluate the basic characteristics of ECR-type films synthesized by CVD method. ECR-type CVD devices are used to synthesize films of different temperatures, such as temperatures of 200℃ and temperatures of 200℃. substrate, Si, Si. 300W fixed power, dark brown hard film The deposition rate of the film increases with the increase of the deposition rate. In addition, the diffusion rate of the organic phase increases. The hardness of the film increases, and the maximum voltage is 30GPa. The hardness of the film increases. However, the 8.5GPa hardness of the typical ECR plasma CVD film shows a significant increase in hardness compared to the previous one. The increase in the Inca voltage is accompanied by acceleration and the densification of the film due to the impact of high electro-thermal energy. This is the ideal way to achieve high hardness. The increase of the electric voltage is accompanied by the decrease of the water content in the membrane. The water content is low, and the C-C combination is increased. The results of SEM observation show that the smooth surface texture of the film is stable, and the smooth surface texture of the film is increased. The internal pressure in the membrane is 0.05 ~ 0.07GPa and the pressure is weak.

项目成果

期刊论文数量(16)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
Kiichiro KAMATA: "“ADDITIONAL BIAS EFFECTS ON THE FORMATION OF AMORPHOUS HYDROGENATED CARBON FILMS BY ECR"" JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS. 29. L1203-L1205 (1990)
Kiichiro Kamata:“通过 ECR 对非晶态氢化碳薄膜形成的额外偏差影响”,日本应用物理学杂志 29. L1203-L1205 (1990)。
  • DOI:
  • 发表时间:
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
  • 通讯作者:
Minoru MORIYAMA: "“MECHANICAL PROPERTIES OF SiNXCy CERAMICS FILMS PREPARED BY PLASMA CVD"" JOURNAL OF MATERIALS SCIENCE. 26. 1287-1294 (1991)
Minoru MORIYAMA:““等离子 CVD 制备的 SiNXCy 陶瓷薄膜的机械性能””材料科学杂志 26. 1287-1294 (1991)
  • DOI:
  • 发表时间:
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
  • 通讯作者:
丸山 一典: "“ECR型プラズマCVD法により作製した炭素薄膜の表面組織形態とプラズマの発光スペクトル"" 日本セラミックス協会学術論文誌.
Kazunori Maruyama:““ECR型等离子体CVD法制备的碳薄膜的表面结构形貌和等离子体发射光谱””《日本陶瓷学会杂志》。
  • DOI:
  • 发表时间:
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
  • 通讯作者:
Kiichiro KAMATA: "“RAPID FORMATION OF TiO_2 FILMS BY A CONVENTIONAL CVD METHOD"" JOURNAL OF MATERIALS SCIENCE LETTERS. 9. 316-319 (1990)
Kiichiro KAMATA:“通过传统 CVD 方法快速形成 TiO_2 薄膜”,《材料科学快报》9. 316-319 (1990)。
  • DOI:
  • 发表时间:
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
  • 通讯作者:
Masatoshi NAKAYAMA: "PHOTOELECTRON EMISSION STUDY OF AMORPHOUS CARBON FILMS PREPARED BY PLASMA CVD" JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS.
Masatoshi NAKAYAMA:“等离子体 CVD 制备的非晶碳薄膜的光电发射研究”日本应用物理学杂志。
  • DOI:
  • 发表时间:
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
  • 通讯作者:
{{ item.title }}
{{ item.translation_title }}
  • DOI:
    {{ item.doi }}
  • 发表时间:
    {{ item.publish_year }}
  • 期刊:
  • 影响因子:
    {{ item.factor }}
  • 作者:
    {{ item.authors }}
  • 通讯作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ journalArticles.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ monograph.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ sciAawards.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ conferencePapers.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ patent.updateTime }}

鎌田 喜一郎其他文献

鎌田 喜一郎的其他文献

{{ item.title }}
{{ item.translation_title }}
  • DOI:
    {{ item.doi }}
  • 发表时间:
    {{ item.publish_year }}
  • 期刊:
  • 影响因子:
    {{ item.factor }}
  • 作者:
    {{ item.authors }}
  • 通讯作者:
    {{ item.author }}

{{ truncateString('鎌田 喜一郎', 18)}}的其他基金

各種プラズマによるアモルファスダイヤモンド膜の合成と評価
使用各种等离子体合成和评估非晶金刚石薄膜
  • 批准号:
    04205056
  • 财政年份:
    1992
  • 资助金额:
    $ 1.09万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
各種ブラズマによるアモルファスダイヤモンド膜の合成と評価
使用各种等离子体合成和评估非晶金刚石薄膜
  • 批准号:
    03205052
  • 财政年份:
    1991
  • 资助金额:
    $ 1.09万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
プラズマCVD法によるアモルファスセラミックス薄膜の合成と評価
等离子体CVD法非晶陶瓷薄膜的合成与评价
  • 批准号:
    63604541
  • 财政年份:
    1988
  • 资助金额:
    $ 1.09万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
プラズマCVD法によるアモルファスセラミックス薄膜の合成と評価
等离子体CVD法非晶陶瓷薄膜的合成与评价
  • 批准号:
    62604552
  • 财政年份:
    1987
  • 资助金额:
    $ 1.09万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
化学気相析出法による酸化物薄膜センサーの作製とその評価
化学气相沉积法氧化物薄膜传感器的制备与评价
  • 批准号:
    58208009
  • 财政年份:
    1983
  • 资助金额:
    $ 1.09万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Special Project Research
遷移金属酸化物の原子価変化とその電気的磁気的性質および構造に関する研究
过渡金属氧化物的价态变化、电学、磁学性质及结构研究
  • 批准号:
    X00210----175427
  • 财政年份:
    1976
  • 资助金额:
    $ 1.09万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)

相似海外基金

High precision texturing of micro shape with ultrasonic vibration assisted indentation
超声波振动辅助压痕对微形状进行高精度纹理化
  • 批准号:
    20H02486
  • 财政年份:
    2020
  • 资助金额:
    $ 1.09万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
Investigation of microstructural changes on DLC films by heating to improve heat resistance
研究通过加热来提高耐热性的 DLC 薄膜的微观结构变化
  • 批准号:
    17KK0111
  • 财政年份:
    2018
  • 资助金额:
    $ 1.09万
  • 项目类别:
    Fund for the Promotion of Joint International Research (Fostering Joint International Research)
Investigation of thermal decomposition reaction on DLC films and improvement of heat-resisting property
DLC薄膜热分解反应及耐热性能改善的研究
  • 批准号:
    17H03142
  • 财政年份:
    2017
  • 资助金额:
    $ 1.09万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
Room temperature bonding of diamond to Si for power device application and clarification of bonding mechanism
用于功率器件应用的金刚石与硅的室温键合及键合机理的阐明
  • 批准号:
    16K13676
  • 财政年份:
    2016
  • 资助金额:
    $ 1.09万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
Laser assisted nano material synthesis and morphological control by controling physical property of supercritical fluid
激光辅助纳米材料合成及通过控制超临界流体物理性质控制形貌
  • 批准号:
    15K06540
  • 财政年份:
    2015
  • 资助金额:
    $ 1.09万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
Investigation of nano-scale order structure of amorphous carbon material
非晶碳材料纳米级有序结构的研究
  • 批准号:
    23710135
  • 财政年份:
    2011
  • 资助金额:
    $ 1.09万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
A study on the generation of new carbon materials by piling up non-equilibrium conditions with defects
缺陷堆积非平衡条件生成新型碳材料的研究
  • 批准号:
    23560787
  • 财政年份:
    2011
  • 资助金额:
    $ 1.09万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
Fabrication of photovoltaic cells using amorphous carbon films
使用非晶碳薄膜制造光伏电池
  • 批准号:
    22360302
  • 财政年份:
    2010
  • 资助金额:
    $ 1.09万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
ダイヤモンド状炭素膜を利用した太陽光発電素子の試作
使用类金刚石碳膜的太阳能发电元件的试制
  • 批准号:
    14655268
  • 财政年份:
    2002
  • 资助金额:
    $ 1.09万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Exploratory Research
Development of mechanical micro-fabrication system using pencil-shape electroformed tool
使用铅笔形电铸工具开发机械微加工系统
  • 批准号:
    13450061
  • 财政年份:
    2001
  • 资助金额:
    $ 1.09万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
{{ showInfoDetail.title }}

作者:{{ showInfoDetail.author }}

知道了