プラズマ-表面相互作用の制御

等离子体-表面相互作用的控制

基本信息

  • 批准号:
    02214109
  • 负责人:
  • 金额:
    $ 6.4万
  • 依托单位:
  • 依托单位国家:
    日本
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
  • 财政年份:
    1990
  • 资助国家:
    日本
  • 起止时间:
    1990 至 无数据
  • 项目状态:
    已结题

项目摘要

プラズマと固体表面の相互作用はラジカル/表面反応及びイオン/表面反応、UVフォトン/表面反応の複合システムととらえることができる。そこで本研究では、まずラジカル/表面、イオン/表面反応を調べるため、SiH_4のDCグロ-放電プラズマ中で発生したラジカルのみを〜ー40℃に冷却したSi基板上に輸送し、SiH_x吸着層を形成した後、H_2及びArの電子サイクロトロン共鳴放電によって生成した水素ラジカル・イオンビ-ム及びArイオンビ-ムをこれに照射し、表面反応生成物を四重極質量分析計で検出した。その結果、基板に負バイアス(≦ー50V)印加時には、イオン誘起表面反応によるH_2,SiH_4,Si_2H_6の生成・脱離が観測された。またアルゴンイオンビ-ムを加速照射した場合には、シリコンのスパッタリングも観測された。つまり、膜形成過程において、膜中結合水素の離脱反応、凝縮層の表面でのイオン誘起エッチング反応、物理的スパッタリグ現象が共存することが判った。更に、フォトン/表面反応における素過程を調べるために、基板表面に吸着した有機金属ガスのレ-ザ有機光化学反応を調べた。Si(111)基板上のIn(CH_3)_3単層吸着層に波長193nmの光照射すると、光化学分解反応が進行し、金属InやCH_n基が生成されることがX線光電子分光分析により明らかになった。また、プラズマCVDによるシリコン及びシリコン酸化膜の形成において、成膜表面での熱反応及びイオン誘起反応を抑制すると、高次シラン及びシロキサン系の流動性の高い膜形成前駆体を通して堆積が生じ、トレンチ埋め込み、平坦化が可能であることを明らかにした。冷却Si基板(ー120℃〜ー180℃)上へのフッ素原子の吸着と低エネルギイオン照射を繰り返すことで実現されるSiの単原子層エッチングにおいて、マイクロロ-デング効果が大幅に緩和されることを明らかにした。
The interaction between solid surface and UV light/UV light/UV light In this study, the electron resonance of SiH_2 and Ar was generated after the formation of SiH_x adsorption layer on Si substrate, and the formation of SiH_4 and SiH_4 in the DC/surface and Ar/surface reactions. Surface reflection products were detected by quadruple mass analyzer As a result, the formation and separation of H_2, SiH_4, Si_2H_6 from the substrate induced by negative voltage (≤ 50V) were measured. The system is designed to accelerate the field combination of light and sound. This is due to the following factors: film formation process, dissociation and reflection of bound water elements in the film, surface induced dissociation of condensed layers, and blue shift of physical separation phenomena. In addition, the organic photochemical reaction of organic metals on the surface of the substrate is modulated. In(CH_3)_3 monolayer on Si(111) substrate was irradiated with 193nm light, photochemical decomposition reaction was carried out, and formation of metal In and CH_n groups was carried out by X-ray photoelectron spectroscopy. In the process of forming an acidified film, thermal reflection and thermal induced reflection on the film forming surface are suppressed, and the fluidity of the high order CVD and high order CVD systems is suppressed. Cooling Si substrate (-120 ℃ ~-180 ℃) on the absorption of silicon atoms, low temperature radiation, and the realization of the Si single atomic layer, the effect is greatly reduced.

项目成果

期刊论文数量(24)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
S.Shougen,M.Kawasaki,Y.Matsumi,I.Toyoshima and H.Okabe: "Pyrolytic and Photolytic Dissociation of Trimethylgallium on Si,Al and Au Substrates." J.Appl.Phys.(1991)
S.Shougen、M.Kawasaki、Y.Matsumi、I.Toyoshima 和 H.Okabe:“三甲基镓在硅、铝和金基材上的热解和光解离解”。
  • DOI:
  • 发表时间:
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
  • 通讯作者:
S.Iseda,K.Asami,H.Sakaue and Y.Horiike: "Digital Etching of Silicon" Digest of Papers 1990 3rd MicroProcess Conference.112-113 (1990)
S.Iseda、K.Asami、H.Sakaue 和 Y.Horiike:“硅的数字蚀刻”文摘 1990 年第 3 届微处理会议.112-113 (1990)
  • DOI:
  • 发表时间:
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
  • 通讯作者:
A.Kishimoto,I.Suemune,K.Hamaoka,T.Koui,Y.Honda and M.Yamanishi: "InーSitu RHEED Monitoring of Hydrogen Plasma Cleaning on Semiconductor Surfaces." Jpn.J.Appl.Phys.29. 2273-2276 (1990)
A. Kishimoto、I. Suemune、K. Hamaoka、T. Koui、Y. Honda 和 M. Yamanishi:“半导体表面氢等离子体清洁的原位 RHEED 监测”Jpn.J.Appl.Phys.29。 -2276 (1990)
  • DOI:
  • 发表时间:
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  • 影响因子:
    0
  • 作者:
  • 通讯作者:
H.Sakaue,S.Iseda,K.Asami,J.Yamamoto,M.Hirose and Y.Horiike: "Atomic Layer Controlled Digital Etching of Silicon." Jpn.J.Appl.Phys.2648-2652 (1990)
H.Sakaue、S.Iseda、K.Asami、J.Yamamoto、M.Hirose 和 Y.Horiike:“原子层控制硅数字蚀刻”。
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  • 作者:
  • 通讯作者:
M.Kawasaki and N.Nishi: "Laser Photodissociation of Organometallic Compounds on a Cryosubstrate." Appl.Organomet.Chem.(1991)
M.Kawasaki 和 N.Nishi:“有机金属化合物在低温基质上的激光光解”。
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