金属ー半導体積層界面の基礎
金属-半导体层压界面的基础知识
基本信息
- 批准号:02232103
- 负责人:
- 金额:$ 49.6万
- 依托单位:
- 依托单位国家:日本
- 项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
- 财政年份:1990
- 资助国家:日本
- 起止时间:1990 至 无数据
- 项目状态:已结题
- 来源:
- 关键词:
项目摘要
準ミクロおよび原子オ-ダ-サイズでの、金属ー半導体界面現象を正確・精密に把握するために、実験と理論とを複合的・相補的に結合し研究を遂行することにより、以下のような成果を得た。(1)結晶シリコンと種々の金属との反応過程を詳細にわたり調べるため、高速イオン散乱/チャネリング法、種々の電子分光法、電子顕微鏡法・回折法や赤外分光法を駆使することにより、結晶原子位置や電子状態の変化や原子拡散等の精密な測定を行なった結果、金属の蒸着法により界面の安定性が異なることが判明した。また、準整合界面に対する詳細な構造の知見を得た。一方、高速イオン散乱法において、より重い元素を使用することによって、より高分解能の3次元的非破壊分析が可能性となることを明らかにしたり、準ミクロ的にLaB_6ーシリコン界面の評価も行なった。(2)理論グル-プは、第一原理分子動力学法に基づいた、金属ーシリコン界面の電子状態を計算したり、界面の構造安定性を検討するための計算機プログラムの開発を行ない、シリコン上のアルカリ金属の振舞いに対し適用した。また所密度汎関数法に基づいた計算により、トンネル顕微鏡像の理論的検討も行った。(3)主としてMBE法を用い、GaAs,InGaAsやInP等の化合物半導体と金属との界面反応過程を(1)と同様に種々な方法で解析・評価し、安定な界面形成に関する知見を得た。また、種々のショットキ-障壁を作製し、その形成機構や物性を、新たに開発した表面電流測定装置を用いて調べた。また、水素やフォスフィンのプラズマ処理による化合物半導体の表面改質の効果とショットキ-障壁との関連も明かにした。(4)走査トンネル電子顕微鏡法により、清浄半導体表面の解析・評価を行ない、界面評価への応用を目指した基礎研究を行なった。また、トンネル分光法により、酸化物超伝導体ー接合電極系を評価し、電子状態に関する知見を得た。
In order to improve the accuracy and accuracy of the interface between atoms and metal semiconductors, we have completed the research on the combination of atomic and metal interfaces, and the following results have been obtained. (1) all kinds of metal samples were tested by scanning electron microscopy (XRD), high-speed scanning electron spectroscopy (HSS), electron microanalysis (EDS), infrared spectroscopy (EDS), electron microscopy, electron scattering, electron scattering, etc., and the results of precision tests, such as atomic dispersion, and so on. The metal steaming method is used to determine the stability of the interface. The integrated interface can be used to create knowledge and knowledge. On the one hand, the high-speed random method is used to analyze the possibility of three-dimensional non-destructive analysis of high-speed, high-resolution, high-speed, high-speed, high- (2) the theoretical theory, the first-principle molecular dynamics method, the basic theory, the interface of the metal alloy, the computer, the computer, the machine, the machine, The density is calculated on the basis of the numerical method, and it is like the theory of the theory. (3) the reaction process at the interface of semi-solid metal alloys of compounds such as GaAs,InGaAs and InP was used in the main MBE method. (1) the same methods were used to analyze the metal and stabilize the interface. The equipment for measuring surface current is used for measuring the surface current of new equipment. The surface of the compound half-body has been changed, the results show that the surface of the compound half-body has been changed, and the surface of the compound has been changed. (4) the computer micro-method is used to analyze the surface of the semi-solid, and the interface is used to study the interface. In the department of electricity and electricity, it is necessary to use the method of spectrophotometry, the combination of acid and acid, the department of electrical equipment and the state of electricity.
项目成果
期刊论文数量(76)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
T.Ito: "“Homoepitaxial Growth of Sillicon on Anodized Porous Silicon"" Appl.Surf.Sci.44. 96-102 (1990)
T.Ito:“硅在阳极氧化多孔硅上的同质外延生长”Appl.Surf.Sci.44 (1990)。
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- 发表时间:
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:
- 通讯作者:
A.Yamama: "“Silicidation of Patterned Narrow Area of Porous silicon"" Vacuum. 41. 1254-1257 (1990)
A. Yamama:“多孔硅图案化窄区域的硅化”,真空。 41. 1254-1257 (1990)
- DOI:
- 发表时间:
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:
- 通讯作者:
S.Baba: "“Island Structure of SputterーDeposited Ag Thin Films"" Vacuum. 42. 279-282 (1991)
S.Baba:“溅射沉积银薄膜的岛结构”,真空。 42. 279-282 (1991)
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- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:
- 通讯作者:
Y.Mori: "“Properties of CVD Diamond/Metal Interfaces"" Mat.Res.Soc.Symp.Proc.162. 353-358 (1990)
Y.Mori:“CVD 金刚石/金属界面的特性”Mat.Res.Soc.Symp.Proc.162 (1990)。
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- 发表时间:
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:
- 通讯作者:
H.Hasegawa: "“Relationship among Surface State Distribution,Recombination velocity and Photoluminescence Intensity on Compound Semiconductor surfaces"," Appl.Surf.Sci.(1991)
H.Hasekawa:“化合物半导体表面的表面状态分布、复合速度和光致发光强度之间的关系”,Appl.Surf.Sci.(1991)
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