权益分类	功能权益	普通用户	{{item.name}}会员
{{category.name}}	{{benefitItem.name}}

金属ー半導体積層界面の基礎

金属-半导体层压界面的基础知识

基本信息

批准号：
01650003
负责人：
平木昭夫
金额：
$ 51.58万
依托单位：
Osaka University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
财政年份：
1989
资助国家：
日本
起止时间：
1989 至无数据
项目状态：
已结题

项目摘要

準ミクロおよび原子オーダーサイズでの、金属ー半導体界面現象を正確・精密に把握するために、実験と理論とを以下のように複合的、相補的に結合し研究を遂行することを目指し、本年度は特に基礎データの収集を行なった。1.結晶シリコンと種々の金属との反応の初期過程を詳細にわたり正確に調べるため、高速イオン散乱/チャネリング法、種々の電子分光法や電子顕微鏡法・回折法を駆使することにより、結晶原子位置や電子状態の変化の精密な測定を行なうための基礎データを収集した。また、3次元的非破壊分析法の可能性を明らかにしたり、準ミクロ的に金属ーシリコン界面の評価を行なった。2.理論グループは、第一原理からの理論的考察に基づいた、金属ーシリコン界面の電子状態を計算したり、界面の構造安定性を検討するための計算機プログラムの開発を行なった。また、それを利用して、種々の物性値を計算機シミュレーションにより算出した。3.MBE法を用い、GaAs,InGaAsやInP等の化合物半導体と金属との界面反応初期過程を1.とほぼ同様な方法で調べた。また、表面改質の実体とショットキー障壁との関連を明かにした。4.化合物半導体を中心とした種々のショットキー障壁を作製し、その形成機構や物性を調べたり、圧力を印加した場合の電子状態の変化も明かにした。5.金属ー半導体界面の電子状態に対する金属の影響を調べるため、酸化物超伝導体結晶内の金属層と分極性半導体との積層界面におけるスクリーニング効果を伴った電子間相互作用を調べるための基礎実験を行なった。次年度以降は、本年度得た基礎データを基にして、上記の主要な項目に関し、より広範囲の系を対象にし、より精密な研究を行なう予定である。

In order to improve the accuracy of the study of the interface of the metal semiconductors, we are going to make sure that the interface between the atoms and the metal is accurate and accurate, and that the interface of the metal semiconductors is accurate and accurate. In the following theoretical theories, the complex and coherent combination research has been carried out in accordance with this year's special information collection. 1. The results show that in the early stage of the reaction of all kinds of metallic materials, it is correct to make sure that the transmission lines, the high-speed transmission lines, the electron microanalysis method, and the electron microanalysis method are used to determine the precision measurement of the temperature field, the atomic position and the atomic position of the electron in the bank. The possibility of three-dimensional non-destructive analysis is clear, and the preparation of the metal interface is accurate. two。 A review of the theory and the first-principle theory, the basic theory, the interface of the metal alloy, the electronic state calculation, the stability, the computer, the computer. The calculation is carried out by using the computer of the physical properties of the two kinds of materials, which can be calculated by using the computer. The 3.MBE method is based on the initial process of the interface reaction of semi-bulk metal alloys of compounds such as GaAs,InGaAs, GaAs,InGaAs and InP. The method is the same as the method. Surface modification, surface modification and surface modification. 4. In the center of the compound hemisomers, a variety of chemical barriers are used, the physical properties of the physical properties are affected, and the electronic devices are used to improve the physical properties of the compounds. 5. The metal semimetallic interface is characterized by electrical interaction between the metal and the metal, the metal superalloy, the acidified superalloy, the metal alloy, the metal, the interface, the temperature, and the temperature. In the next year, we will receive information on the basis of the current year, the major projects of the previous year, the information system, and the precision of the study.