金属ー半導体界面:マイクロエレクトロニクス発展への基礎研究(総括班)

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重点領域研究「金属ー半導体界面:マイクロエレクトロニクス発展への基礎研究」の目的は、21世紀に向けての超LSIを中心とした、半導体マイクロエレクトロニクス発展の鍵を握る「金属ー半導体界面」を原子尺度で解明することによって、界面の制御と自在な設計が可能となる技術を開発し、基礎学問および産業両面に貢献することである。このため、次の4つの主要研究課題すなわち、1.金属ー半導体積層界面の基礎、2.精密積層界面の作製とその精密制御、3.積層界面の評価と界面反応過程の解明、および4.界面反応の物理・化学を取り上げている。本総括班は、これら4つの研究課題について組織された4研究班の上位機構であり、研究推進の目的と戦略作りに沿った研究会、調査会、討論会や企画打ち合わせ会を開催した。さらに、各班で行なわれている研究開発項目を把握・評価し、重点領域研究に関する研究・開発の遂行についての助言.激励を与えるため、1・産業界における主要な研究者・技術者と、関連技術の現状とその本質的問題点について討論し、超LSIの現状や超々LSIを中心とした、マイクロエレクトロニクスの発展に横たわる問題点を認識し、これを各班に伝達し、2.新しい学問的・技術的発展に対して、貢献しうる分野を結集することを目指し、様々な学問分野の研究者と議論を行った。また、文献調査および国際会議・国内会議における調査も併せて行ない、各班に伝達した。今後は基礎から応用まで、理論から実験までの幅広い学問分野の結集を更に有機的に行ない、本重点領域研究の推進に役立てる予定である。