金属ー半導体界面:マイクロエレクトロニクス発展への基礎研究(総括班)

金属-半导体界面:微电子学发展的基础研究(导师组)

基本信息

  • 批准号:
    01650004
  • 负责人:
  • 金额:
    $ 2.56万
  • 依托单位:
  • 依托单位国家:
    日本
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
  • 财政年份:
    1989
  • 资助国家:
    日本
  • 起止时间:
    1989 至 无数据
  • 项目状态:
    已结题

项目摘要

重点領域研究「金属ー半導体界面:マイクロエレクトロニクス発展への基礎研究」の目的は、21世紀に向けての超LSIを中心とした、半導体マイクロエレクトロニクス発展の鍵を握る「金属ー半導体界面」を原子尺度で解明することによって、界面の制御と自在な設計が可能となる技術を開発し、基礎学問および産業両面に貢献することである。このため、次の4つの主要研究課題すなわち、1.金属ー半導体積層界面の基礎、2.精密積層界面の作製とその精密制御、3.積層界面の評価と界面反応過程の解明、および4.界面反応の物理・化学を取り上げている。本総括班は、これら4つの研究課題について組織された4研究班の上位機構であり、研究推進の目的と戦略作りに沿った研究会、調査会、討論会や企画打ち合わせ会を開催した。さらに、各班で行なわれている研究開発項目を把握・評価し、重点領域研究に関する研究・開発の遂行についての助言.激励を与えるため、1・産業界における主要な研究者・技術者と、関連技術の現状とその本質的問題点について討論し、超LSIの現状や超々LSIを中心とした、マイクロエレクトロニクスの発展に横たわる問題点を認識し、これを各班に伝達し、2.新しい学問的・技術的発展に対して、貢献しうる分野を結集することを目指し、様々な学問分野の研究者と議論を行った。また、文献調査および国際会議・国内会議における調査も併せて行ない、各班に伝達した。今後は基礎から応用まで、理論から実験までの幅広い学問分野の結集を更に有機的に行ない、本重点領域研究の推進に役立てる予定である。
Focus Areas Research "Metal semiconductor interface: basic research for development" aims to contribute to the development of technologies, basic knowledge, and industrial development of ultra-LSI in the 21st century. 4. Main research topics: 1. Fundamentals of metal-semiconductor multilayer interface 2. Precision manufacturing of multilayer interface 3. Evaluation of multilayer interface and explanation of interface reaction process 4. Physical and chemical analysis of interface reaction This seminar includes four research topics, one organization, one research organization, one research promotion organization, and one project cooperation organization. In addition, each shift will conduct research and development projects to grasp, evaluate, and focus on research and development related to the implementation of guidance. 1. Key researchers and engineers in the industry, current status of related technologies and essential problems, discussion, current status of ultra-LSI, development of ultra-LSI, understanding of horizontal problems, discussion of each class, 2. New knowledge, development of technology, contribution, and focus The researcher of the division of knowledge and discussion. International and domestic conferences, literature surveys, and surveys are conducted by each class. In the future, the foundation will be applied, the theory will be implemented, the scope of knowledge will be divided, and the research in this key field will be carried out organically.

项目成果

期刊论文数量(16)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
A.Yamama: "Silicidation of Patterned Narrow Area of Anodized Porous Silicon" Vacuum. (1990)
A.Yamama:“阳极氧化多孔硅图案化窄区域的硅化”真空。
  • DOI:
  • 发表时间:
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
  • 通讯作者:
Y.Koide: "Initial Stage of Growth of Ge on(100)Si y Gas Source Molecular Beam Epitaxy Using GeH_4" Jpn.J.Appl.Phys.28. 690-693 (1989)
Y.Koide:“使用 GeH_4 在 (100)Si y 气源分子束外延上生长 Ge 的初始阶段”Jpn.J.Appl.Phys.28。
  • DOI:
  • 发表时间:
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
  • 通讯作者:
Shigeru Baba: "Island Structure of Sputter Deposited Silver Films" Vacunm. (1990)
Shigeru Baba:“溅射沉积银膜的岛结构”真空。
  • DOI:
  • 发表时间:
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
  • 通讯作者:
T.Ueno: "A Mechanism of Dislocation Formation during Vertical Solid Phase Epitaxy" J.Cryst.Growth. (1990)
T.Ueno:“垂直固相外延过程中位错形成的机制”J.Cryst.Growth。
  • DOI:
  • 发表时间:
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
  • 通讯作者:
Fumito Kimura: "Adhesion of Optical Coatings on Quaratz Substrate" Thin Solid Films. 181. 435-441 (1989)
Fumito Kimura:“光学涂层在石英基底上的粘附”固体薄膜。
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  • 发表时间:
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
  • 通讯作者:
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知道了