金属-半導体界面:マイクロエレクトロニクス発展への基礎研究
金属-半導体界面:マイクロエレクトロニクス発展への基礎研究
批准号:
04299107
负责人:
平木 昭夫
金额:
$1.92万
依托单位:
依托单位国家:
日本
项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
财政年份:
1992
资助国家:
日本
项目状态:
已结题
起止时间:
1992 至 --
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英文摘要
平成元年度〜3年度に推進された重点領域研究「金属-半導体界面:マイクロエレクトロニクス発展への基礎研究」で得られた研究成果を取纏め、社会に還元するための会議を開催し、成果報告書の出版を行うことが本研究の目的であった。このため、本研究組織が中心となって、以下のことを遂行または計画している。1.今年度に開催された2度の応用物理学会でそれぞれシンポジウム「金属-半導体界面」を開催し、特に有用な研究成果を公表した。2.4班から構成された研究組織により得られた過去3年間の研究成果を、その内容により5章に取纏め、B5版(436頁)の成果報告書として出版した。3.得られた研究成果の主要部分を取纏め、6章より構成される英文の一般図書として出版する計画を進展させている。4.日本学術振興会第154委員会の主催で開催予定(1993年11月軽井沢:組織委員長は本重点領域代表者)の「第1回半導体の界面制御に関する国際会議」で、主要な研究成果を口答発表した後、プロシーディング(英文)を出版することにより、得られた研究成果を広く海外にも公表する計画を進めている。なお、本重点領域研究により、「金属-半導体」積層界面の固相反応とその電子状態とを、原子尺度で理論的・実験的に解明する糸口が得られ、「金属-半導体」界面の制御とその自在な設計を可能とする技術に関する重要な知見が得られた。また、X線を中心とする積層界面の評価技術の向上にも少なからぬ貢献をした。
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Yusuke Mori: "Effect of Ambient on the Surface Resistance of Diamond Films during Cooling after Deposition" Japanese Journal of Applied Physics. 31. 1718-1720 (1992)
Yusuke Mori:“沉积后冷却过程中环境对金刚石薄膜表面电阻的影响”日本应用物理学杂志。
DOI:
--
发表时间:
期刊:
影响因子:
--
作者:
[]
通讯作者:
Yusuke Mori: "Surface Characteristics of Synthesized Diamond and the Effect of Surface Treatment on Surface Transformations" Applied Surface Science. 56-58. 89-93 (1992)
Yusuke Mori:“合成金刚石的表面特性以及表面处理对表面转变的影响”应用表面科学。
DOI:
--
发表时间:
期刊:
影响因子:
--
作者:
[]
通讯作者:
I.Ohdomari: "A Model for Nucleation and Growth Mechanism of Si(III)7X7 Domains in the Si(III)-1X1 Matrix" Applied Surface Science. 56-58. 20-26 (1992)
I.Ohdomari:“Si(III)-1X1 基质中 Si(III)7X7 域的成核和生长机制的模型”应用表面科学。
DOI:
--
发表时间:
期刊:
影响因子:
--
作者:
[]
通讯作者:
T.Veno: "Quasi In-Situ Obervation of Si Lateral Solid Phase Epitaxy" Applied Surface Science. 56-58. 27-33 (1992)
T.Veno:“硅横向固相外延的准原位观察”应用表面科学。
DOI:
--
发表时间:
期刊:
影响因子:
--
作者:
[]
通讯作者:
M.Sakashita: "Observation of Si-SiO_2 Interface States within the Conduction Band by Tunneling Current Speetroscopy" Applied Surface Science. 56-58. 841-845 (1992)
M.Sakashita:“通过隧道电流光谱观察导带内的 Si-SiO_2 界面状态”应用表面科学。
DOI:
--
发表时间:
期刊:
影响因子:
--
作者:
[]
通讯作者:
共 14 条
ダイヤモンド気相合成におけるラジカルの計測と制御
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批准号:07217214
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$0.51万
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财政年份:1995
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负责人:平木 昭夫
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依托单位:
ダイヤモンド薄膜気相合成における活性種の測定
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批准号:06228221
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$1.28万
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财政年份:1994
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负责人:平木 昭夫
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依托单位:
金属ー半道体積層界面の基礎
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批准号:03216103
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$25.47万
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财政年份:1991
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负责人:平木 昭夫
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依托单位:
金属ー半導体界面:マイクロエレクトロニクス発展への基礎研究(総括班)
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批准号:03216104
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$2.37万
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财政年份:1991
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负责人:平木 昭夫
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依托单位:
金属ー半導体界面:マイクロエレクトロニクス発展への基礎研究
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批准号:02232104
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$2.5万
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财政年份:1990
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负责人:平木 昭夫
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依托单位:
金属ー半導体積層界面の基礎
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批准号:02232103
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$49.6万
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财政年份:1990
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负责人:平木 昭夫
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依托单位:
金属ー半導体積層界面の基礎
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批准号:01650003
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$51.58万
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财政年份:1989
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负责人:平木 昭夫
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依托单位:
金属ー半導体界面:マイクロエレクトロニクス発展への基礎研究(総括班)
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批准号:01650004
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$2.56万
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财政年份:1989
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负责人:平木 昭夫
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依托单位:
金属ー半導体界面:マイクロエレクトロニクス発展への基礎研究
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批准号:63306033
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项目类别:Grant-in-Aid for Co-operative Research (B)
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资助金额:$0.0万
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财政年份:1988
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负责人:平木 昭夫
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依托单位:
支え合い励まし合う人間関係を育てる学級経営の工夫
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批准号:61907042
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项目类别:Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (B)
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资助金额:$0.14万
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财政年份:1986
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负责人:平木 昭夫
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依托单位:
プラズマ化学的合成法による水素化シリコン微粒子からの水素放出特性
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批准号:57216017
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项目类别:Grant-in-Aid for Special Project Research
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资助金额:$1.15万
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财政年份:1982
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负责人:平木 昭夫
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依托单位:
アモルファス・シリコン=水素合金薄膜中の水素および不純物の分布分析
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批准号:57104015
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项目类别:Grant-in-Aid for Special Project Research
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资助金额:$3.84万
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财政年份:1982
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负责人:平木 昭夫
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依托单位:
イオン励起オージュ電子分光法を用いた固体中水素の新しい分析法の確立
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批准号:56850002
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项目类别:Grant-in-Aid for Developmental Scientific Research
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资助金额:$2.43万
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财政年份:1981
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负责人:平木 昭夫
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依托单位:
アモルファスシリコン-水素合金薄膜中の水素および不純物の分布分析
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批准号:56211038
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项目类别:Grant-in-Aid for Special Project Research
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资助金额:$4.48万
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财政年份:1981
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负责人:平木 昭夫
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依托单位:
高速イオン後方散乱法による重金属のトレース・キャラクタリゼーション
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批准号:X00040----421712
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项目类别:Grant-in-Aid for Special Project Research
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资助金额:$0.83万
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财政年份:1979
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负责人:平木 昭夫
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依托单位:
金属/半導体・接触界面に形成される新しいタイプの金属間化合物
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批准号:X00080----046108
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项目类别:Grant-in-Aid for General Scientific Research (B)
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资助金额:$4.8万
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财政年份:1975
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负责人:平木 昭夫
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依托单位:
海外基金