权益分类	功能权益	普通用户	{{item.name}}会员
{{category.name}}	{{benefitItem.name}}

金属ー半導体界面:マイクロエレクトロニクス発展への基礎研究

金属-半导体界面：微电子学发展的基础研究

基本信息

批准号：
63306033
负责人：
平木昭夫
金额：
--
依托单位：
Osaka University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Co-operative Research (B)
财政年份：
1988
资助国家：
日本
起止时间：
1988 至无数据
项目状态：
已结题

项目摘要

本研究は平成元年度よりスタートする重点領域研究「金属ー半導体界面:マイクロエレクトロニクス発展への基礎研究」を滞りなく遂行し、充実した研究成果を得るための準備研究であり、本研究では、そのための企画・調査や研究会・討論会を行なった。上記重点領域研究の目的は、21世紀に向けての超々LSIを中心とした、半導体マイクロエレクトロニクス発展の鍵を握る「金属ー半導体界面」を基礎的に解明し、その発展に必要な技術を開発することである。このために必要な学問分野を結集し、抜本的研究を遂行することにより、基礎学問および産業両面に貢献しようとするものである。そこで、本総合研究(B)の研究組織メンバーが中心となり、広い分野に亘る学界の研究者層および産業界の第一線の研究者層との間で討論を重ねることにより、問題点を整理し、研究方針の樹立に役立てた。中でも最も重要でかつ基本的問題は、「何故、例えば共有結合している強力な半導体の結合が、金属と接することにより、容易に破壊され、界面反応が生じるのか」と言うことであり、この解答を得ることにより、実用的には、例えばコンタクト特性の良い、制御された界面形成技術がもたらされることになる。新たに発足する重点領域研究の強力な研究遂行のため以下のような4つの主要研究課題をとりあげ、充実した実行的な研究体制と組織とを作り上げている:1.金属ー半導体積層界面の基礎、2.界面の作製とその精密制御、3.積層界面の評価と界面反応過程の解明、および4.界面反応の物理・化学。したがって、本総合研究(B)により、次年度からスタートする重点領域研究「金属ー半導体界面:マイクロエレクトロニクス発展への基礎研究」遂行の準備は滞りなく完了できた。

In this study, we focus on the key field of research on the interface of metal halves: the interface of metal halves, the interface of metal halves, the development of basic research, the preparation of the research results, the preparation of the research, the preparation of the research, the preparation of the research and the development of the project. In the last key fields, the purpose of research in the 21st century is to meet the requirements of the LSI center, the semi-metallic interface, and the necessary technology for the development of the "metal interface". It is necessary to make a summary of the academic field, and the research of this university will be conducted in the course of this study. In this joint study (B), the research organization