金属ー半導体界面:マイクロエレクトロニクス発展への基礎研究(総括班)

金属-半导体界面:微电子学发展的基础研究(导师组)

基本信息

  • 批准号:
    03216104
  • 负责人:
  • 金额:
    $ 2.37万
  • 依托单位:
  • 依托单位国家:
    日本
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
  • 财政年份:
    1991
  • 资助国家:
    日本
  • 起止时间:
    1991 至 无数据
  • 项目状态:
    已结题

项目摘要

重点領域研究「金属ー半導体界面:マイクロエレクトロニクス発展への基礎研究」の目的は、半導体マイクロエレクトロニクス発展の鍵を握る「金属ー半導体界面」を原子尺度で解明することによって、「金属ー半導体界面」の制御と自在な設計を可能とするような基本技術確立に向けての指針を明らかにし、関連する基礎学問および産業の両面に貢献することである。このため、(1)金属ー半導体積層界面の基礎、(2)精密積層界面の作製とその精密制御、(3)積層界面の評価と界面反応過程の解明、および(4)界面反応の物理・化学、の研究課題を取り上げている。本総括班は、これら4つの研究課題について組織された4研究班の上位機構であり、本重点領域研究の戦略を樹立し、その円滑な推進を計るために、研究討論会や企画打合せ会を複数回開催した。また、各班で行なわれている個別の研究開発項目を把握・評価し、それらの研究や開発の遂行について助言や激励を与えるため、選定された個別の研究課題の研究成果の発表の場である全体会議を2度開催することにより、様々な学問分野の研究者と議論を行った。このようにして、産業界における主要な研究者や技術者と、関連技術の現状およびその本質的問題点について討論することにより、超LSIの現状や超々LSIを中心としたマイクロエレクトロニクスの発展に横たわる根本的問題点を認識し、これを各班に伝達した。また、文献調査および国際会議・国内会議における調査研究も併せて行い、その状況を各班に伝達した。さらに、現在この分野で最も盛んな我国の学会である応用物理学会において、「金属ー半導体界面」と題するシンポジウムを2回開催し、得られた研究成果を一般にも公表した。また、本研究の成果の一部は、ロ-マ(1991年5月)で開催された第3回半導体の界面形成に関する国際会議(ICFSIー3)で発表され、プロシ-ディングとして出版される。
Focus on the research in the field of "metal half-body interface: metal half-body interface: metal half-body interface", "atomic scale", "atomic scale", The "metal semi-body interface" is designed to make sure that the basic technology can be used to make sure that you can provide information and information to the students. (1) metal semiferrite active interface, (2) precision active interface, (3) active interface, (4) interface reflection, physics and chemistry, and research topics. This program includes classes, research programs, programs Students, each class, class, There are many problems in the field of research, technology, technology, Each class of the international conference, the national conference, the domestic conference, the national conference, the international conference, the domestic conference, the domestic conference, the international conference, the domestic conference, the international conference, the domestic conference, the international conference, the domestic conference, the international conference, the domestic conference, the international conference, the domestic conference, the international conference, the domestic conference, the international conference, the At present, the most important thing in the world is that the Institute of Science and Technology of our country, the Institute of Physics, the semi-solid Interface of Metallic Materials, and the results of the research are generally listed in the public table. The results of this study were published in May 1991 to urge the formation of the interface of the third half of the International International Conference (ICFSI).

项目成果

期刊论文数量(38)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
X.-J.Wu: "TEM Observation of a Piled Structure of Si/Ga/Si with Ga Monolayer" Jpn.J.Appl.Phys.31. L119-L122 (1992)
X.-J.Wu:“单层 Ga 的 Si/Ga/Si 堆积结构的 TEM 观察”Jpn.J.Appl.Phys.31。
  • DOI:
  • 发表时间:
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
  • 通讯作者:
T.Yamauchi: "Solid-phase reactions and crystallographic structures in Zr/Si systems" J.Appl.Phys.69. 7050-7056 (1991)
T.Yamauchi:“Zr/Si 系统中的固相反应和晶体结构”J.Appl.Phys.69。
  • DOI:
  • 发表时间:
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
  • 通讯作者:
A.Kinbara: "Growth Process of Wrinkles Generated in Deposited" Films J.Vac.Sci.Technol.4. 2494-2496 (1991)
A.Kinbara:“沉积中产生的皱纹的生长过程”J.Vac.Sci.Technol.4。
  • DOI:
  • 发表时间:
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
  • 通讯作者:
T.Ito: "Non-destructive and Quantitative Analysis of Buried Interfaces of Si-Related Crystalline Multilayers Using High-Energy Ion Scattering" Appl.Surf.Sci.(1992)
T.Ito:“利用高能离子散射对硅相关晶体多层的埋入界面进行无损定量分析”Appl.Surf.Sci.(1992)
  • DOI:
  • 发表时间:
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
  • 通讯作者:
A.Hiraki: "Recent Developments on Metal-Silicon Interfaces" Appl.Surf.Sci.(1992)
A.Hiraki:“金属-硅界面的最新进展”Appl.Surf.Sci.(1992)
  • DOI:
  • 发表时间:
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
  • 通讯作者:
{{ item.title }}
{{ item.translation_title }}
  • DOI:
    {{ item.doi }}
  • 发表时间:
    {{ item.publish_year }}
  • 期刊:
  • 影响因子:
    {{ item.factor }}
  • 作者:
    {{ item.authors }}
  • 通讯作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ journalArticles.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ monograph.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ sciAawards.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ conferencePapers.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ patent.updateTime }}

平木 昭夫其他文献

平木 昭夫的其他文献

{{ item.title }}
{{ item.translation_title }}
  • DOI:
    {{ item.doi }}
  • 发表时间:
    {{ item.publish_year }}
  • 期刊:
  • 影响因子:
    {{ item.factor }}
  • 作者:
    {{ item.authors }}
  • 通讯作者:
    {{ item.author }}

{{ truncateString('平木 昭夫', 18)}}的其他基金

ダイヤモンド気相合成におけるラジカルの計測と制御
金刚石气相合成中自由基的测量和控制
  • 批准号:
    07217214
  • 财政年份:
    1995
  • 资助金额:
    $ 2.37万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
ダイヤモンド薄膜気相合成における活性種の測定
金刚石薄膜气相合成中活性物质的测量
  • 批准号:
    06228221
  • 财政年份:
    1994
  • 资助金额:
    $ 2.37万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
金属-半導体界面:マイクロエレクトロニクス発展への基礎研究
金属-半导体界面:微电子学发展的基础研究
  • 批准号:
    04299107
  • 财政年份:
    1992
  • 资助金额:
    $ 2.37万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
金属ー半道体積層界面の基礎
金属-半导体层压界面的基础知识
  • 批准号:
    03216103
  • 财政年份:
    1991
  • 资助金额:
    $ 2.37万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
金属ー半導体界面:マイクロエレクトロニクス発展への基礎研究
金属-半导体界面:微电子学发展的基础研究
  • 批准号:
    02232104
  • 财政年份:
    1990
  • 资助金额:
    $ 2.37万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
金属ー半導体積層界面の基礎
金属-半导体层压界面的基础知识
  • 批准号:
    02232103
  • 财政年份:
    1990
  • 资助金额:
    $ 2.37万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
金属ー半導体積層界面の基礎
金属-半导体层压界面的基础知识
  • 批准号:
    01650003
  • 财政年份:
    1989
  • 资助金额:
    $ 2.37万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
金属ー半導体界面:マイクロエレクトロニクス発展への基礎研究(総括班)
金属-半导体界面:微电子学发展的基础研究(导师组)
  • 批准号:
    01650004
  • 财政年份:
    1989
  • 资助金额:
    $ 2.37万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
金属ー半導体界面:マイクロエレクトロニクス発展への基礎研究
金属-半导体界面:微电子学发展的基础研究
  • 批准号:
    63306033
  • 财政年份:
    1988
  • 资助金额:
    $ 2.37万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Co-operative Research (B)
支え合い励まし合う人間関係を育てる学級経営の工夫
培养相互支持和鼓励的人际关系的课堂管理理念
  • 批准号:
    61907042
  • 财政年份:
    1986
  • 资助金额:
    $ 2.37万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (B)

相似海外基金

次世代超LSI材料SiGeを拡散源としたSi中への不純物拡散の研究
以下一代超大规模集成电路材料SiGe为扩散源进行Si杂质扩散研究
  • 批准号:
    09650034
  • 财政年份:
    1997
  • 资助金额:
    $ 2.37万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
超LSI生産システムにおけるテスト工程のコスト評価
VLSI生产系统测试过程的成本评估
  • 批准号:
    07650396
  • 财政年份:
    1995
  • 资助金额:
    $ 2.37万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)
超LSIの完全ドライ・トータル低温製造ラインシステムの試作研究
超大规模集成电路全干式全低温生产线系统原型研究
  • 批准号:
    04505002
  • 财政年份:
    1992
  • 资助金额:
    $ 2.37万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Developmental Scientific Research (A)
超LSIの微小部位毎の放射線耐性評価技術に関する研究
超大规模集成电路各微小部件耐辐射评估技术研究
  • 批准号:
    03555064
  • 财政年份:
    1991
  • 资助金额:
    $ 2.37万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Developmental Scientific Research (B)
熱CVDによるタングステンシリサイド膜の生成機構と次世代超LSIプロセスへの対応
热CVD硅化钨薄膜的生成机理及对下一代VLSI工艺的支持
  • 批准号:
    02750680
  • 财政年份:
    1990
  • 资助金额:
    $ 2.37万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
超LSIメタライゼ-ション技術へのアルミニウム金属間化合物膜の適用に関する研究
铝金属间化合物薄膜在超大规模集成电路金属化技术中的应用研究
  • 批准号:
    02232202
  • 财政年份:
    1990
  • 资助金额:
    $ 2.37万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
雷子線による超LSI内部の絶対電位測定のための基礎的研究
利用闪电束测量超大规模集成电路内部绝对电势的基础研究
  • 批准号:
    02750320
  • 财政年份:
    1990
  • 资助金额:
    $ 2.37万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
電子線による超LSI内部電位の絶対測定のための基礎的研究
利用电子束绝对测量VLSI内部电势的基础研究
  • 批准号:
    01750367
  • 财政年份:
    1989
  • 资助金额:
    $ 2.37万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
超LSIメタライゼ-ション技術へのアルミニウム金属間化合物膜の適用に関する研究
铝金属间化合物薄膜在超大规模集成电路金属化技术中的应用研究
  • 批准号:
    01650503
  • 财政年份:
    1989
  • 资助金额:
    $ 2.37万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
電子線による保護膜付超LSIの評価技術の基礎的研究
带保护膜的超大规模集成电路电子束评价技术基础研究
  • 批准号:
    63750376
  • 财政年份:
    1988
  • 资助金额:
    $ 2.37万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
{{ showInfoDetail.title }}

作者:{{ showInfoDetail.author }}

知道了