量子干渉効果ディバイスの基礎

量子干涉效应装置的基础知识

• 批准号: 02251104
• 负责人: 邑瀬 和生
• 金额: $ 33.79万
• 依托单位: Osaka University
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
• 财政年份: 1990
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 1990 至 无数据
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-02251104/
• 关键词: 非局所的量子伝導; 量子細線; 超格子; 量子化ホ-ル効果; 有機伝導体; エッジ状態; AB効果; STM

(1)GaAs/AlGaAs細線の非局所的量子伝導を様々な端子配置で測定した。電流ー電圧端子分離距離の長いところでも、低温、強磁場でシブニコフ・ドハ-ス振動が観測された。この現象は測定端子抵抗に敏感であり、エッジ状態と深く関係する。ビスマスのメゾスコピック構造で、反局在、量子ゆらぎを研究した。 (邑瀬 和生)(2)STMの立ち上げを終了し、ソフトウエアを開発しつつある。(小林 俊一)(3)電子ビ-ム描画技術とMOCVD成長技術とを組み合わせることにより、300A^^°程度の寸法を有する埋め込み型GaAs細線構造を作製することに成功した。さらに量子細線のバンド構造の理論解析を行うとともに、マイクロ波内の光波と閉じ込め電子との相互作用を実験的に調べ、自然放出制御効果の存在を示した。 (荒川 泰彦)(4)いくつかの有機伝導体(αーBEDTーTTF_2I_3,(DMeーDCNQI)_2Cuなど)の低温磁気抵抗、比熱に異常を発見し、これと格子点が大きな有機分子であることとの関連を追求した。 (佐々木 亘)(5)量子化ホ-ル抵抗ならびにコンダクタンス測定用に、GaAs/AlGaAsヘテロ接合試料を作製した。15.6Tまでの磁場、0.5Kまでの低温で、0.01p.p.m以下の相対精度で量子化ホ-ル抵抗測定を可能にした。 (川路 紳治)(6)(GaAs)_n/(AlGaAs)_n超格子(n=1〜15)におけるフォトリフレクタンス測定から擬直接遷移の存在を見出した。GaAs/AlAsトンネル障壁における電子ーフォノン相互作用を取入れ、実験結果の解析を行った。 (浜口 智尋)(7)InAsタイプIIヘテロ構造をMBE成長により作製し、2次元電子輸送現象を調べた。電子ビ-ム露光による極微構造作製方法を研究した。 (井上 正崇)(8)PtSi薄膜と細線の低温における磁気抵抗測定を行い、超伝導転移温度、磁気散乱効果を研究した。 (石田 修一、邑瀬 和生)

(1) Non-local quantum conductivity of GaAs/AlGaAs thin wires is measured by terminal configuration. The long separation distance between the current and voltage terminals makes it possible to detect vibrations at low temperatures and strong magnetic fields. This phenomenon is related to the determination of terminal resistance sensitivity, state and depth. A study of structure, counter-structure and quantum structure. (2)STM's standing on the end of the line, soft it (Kobayashi Shunichi)(3) Electronic technology and MOCVD growth technology, the combination of the two, 300A^^degree method has been successfully developed into a thin GaAs wire structure. The theoretical analysis of quantum fine wire structure shows the existence of light wave and electron interaction. (Arakawa Yasuhiko)(4) Low temperature magnetic resistance and specific heat anomaly of organic conductor (α-BEDT-TTF_2I_3,(DMe-DCNQI)_2Cu), lattice point and organic molecule. (5) Preparation of GaAs/AlGaAs junction samples for quantization and resistance measurement It is possible to measure the quantized resistance with a magnetic field of 15.6 T, a low temperature of 0.5 K, and a phase accuracy of 0.01 p.p. m or less. (Kawaji Shinji)(6)(GaAs)_n/(AlGaAs)_n superlattice (n=1 ~ 15) GaAs/AlAs barrier electron interaction is introduced and the results are analyzed. (7)InAs II structure MBE growth control, two-dimensional electron transport phenomenon modulation Study on the fabrication method of electron beam structure (8) Measurement of magnetic resistance of PtSi thin films and thin wires at low temperature, study of transition temperature and magnetic scattering effect. (Shuichi Ishida, Kazuo Ishise)

项目成果

T.Matsuoka: "Temperature dependence of electron mobility in InGaAs/InAlAs heterostructures" Jpn.J.Appl.Phys.29. 2017-2025 (1990)

T.Matsuoka：“InGaAs/InAlAs 异质结构中电子迁移率的温度依赖性”Jpn.J.Appl.Phys.29。

M.Yano: "Photoluminescence Analysis of Ultrathin Quantum Wells" Proc.of SPIE. 1238. 221-228 (1990)

M.Yano：“超薄量子阱的光致发光分析”Proc.of SPIE。

C.Hamaguchi: "Zoneーfolding effect in short period (GaAs)_n/(AlAs)_n superlattices with n=1ー15" Proc.20th Int.Conf.Phys.Semicondctors,1990,Thessalonik,Greece (ed.by E.M.Anastassakis and J.D.Joannopoulos,World Scientific,Singapore,1990). 2. 1033-1036 (1990)

C.Hamaguchi：“短周期 (GaAs)_n/(AlAs)_n 超晶格中的区域折叠效应，n=1-15”Proc.20th Int.Conf.Phys.Semicondctors，1990，希腊塞萨洛尼克（E.M. 编辑） Anastassakis 和 J.D.Joannopoulos，《世界科学》，新加坡，1990 年 2. 1033-1036 (1990)。

T.Yamauchi: "Tightーbinding analysis for Quantum Wire Lasers and Quantum Wire Infrared Detectors" IEEE Journal of Quantum Electronics.

T. Yamauchi：“量子线激光器和量子线红外探测器的紧束缚分析”IEEE 量子电子杂志。

T.Takahashi: "Selective Growth by Electric Beam Induced MOCVD for Quantum Microstructures" 22nd Conf.on Solid State Devices and Materials 1990,Sendai,Japan. (1990)

T.Takahashi：“量子微结构的电束诱导 MOCVD 选择性生长”1990 年第 22 届固态器件和材料大会，日本仙台。