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II-IV半導体超格子の層・界面歪と相互拡散の研究

II-IV 半导体超晶格中层/界面应变和相互扩散的研究

基本信息

批准号：
63604565
负责人：
邑瀬和生
金额：
$ 1.79万
依托单位：
Osaka University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
财政年份：
1988
资助国家：
日本
起止时间：
1988 至无数据
项目状态：
已结题

来源：
https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-63604565/
关键词：
II-IV族超格子ラマン散乱ルミネッセンス

项目摘要

可視光領域の光エレクトロニクス材料として有用なII-IV半導体超格子における層および界面歪の詳細を明らかにするため、GaAs基板上に成長させたZnSe-ZnS歪超格子について、ラマン散乱分光法およびフォトルミネッセンス法を用いて研究を行った。ラマン散乱スペクトルにはZnS層とZnSe層のLOフォノンによるピークがみられ、それらはバルクの位置から少しずれている。そのずれから歪の大きさを見つもることができる。その結果、層歪はほとんどZnS層にあることがわかった。このことはこの超格子において基板の影響が大きいことを示している。即ち基板のGaAsの格子定数(5.65〓)はZnSの格子定数(5.41〓)よりもZnSeの格子定数(5.67〓)に近いため、薄い超格子ではZnSe層の方が歪が小さくなる。ラマン散乱の激起波長を短くすると、共鳴効果によりZnSe層のLOフォノンの散乱強度増大がみられる。共鳴の立ち上がりはZnSe層の薄い超格子の方が高エネルギー側にずれる傾向がみられる。層の薄い超格子では閉じ込め効果によってサブバンドレベルが高くなり、共鳴準位が高エネルギー側にずれるためと考えられる。フォトルミネッセンススペクトルにおいて、層の薄い超格子では短波長側に対して顕著な鋭いピークがみられるが、これはZnSe層のバンド端発光である。この発光はZnSe層が薄くなるにつれ高エネルギー側にずれ、サブバンドレベルのシフトを示している。超格子の臨界層厚を越えると、ルミネッセンススペクトルにいろいろな発光が観測される。今後は分子層超格子についてラマン散乱とフォトルミネッセンスの両面から研究を進める予定である。

The optical fiber materials in the visible light field have been studied in detail by using II-IV semiconductor superlattice layers and interfaces grown on GaAs substrates, ZnSe-ZnS superlattice layers, and scattering spectroscopy. The position of the ZnS layer and the ZnSe layer is different. It's the first time I've seen you. As a result, the layer of ZnS is distorted. The influence of the lattice on the substrate is great. That is, the lattice number of GaAs on the substrate (5.65) is opposite to the lattice number of ZnS (5.41) and the lattice number of ZnSe (5.67) is close to the middle, thin and super lattice is opposite to the square of ZnSe layer. The excitation wavelength of the ZnSe layer is shorter, the resonance effect is larger, and the scattering intensity of the ZnSe layer is larger. The resonance of the ZnSe layer is very high. The layer is thin and the lattice is closed. The effect is high. The resonance level is high. The thin, medium and superlattice layers of ZnSe layer emit light at the opposite end of the short wavelength side. The light emitting ZnSe layer is thin and thin, and the light emitting ZnSe layer is thin and thin, and the light emitting ZnSe layer is thin and thin. The critical layer thickness of the lattice is increased, and the light emission is measured. In the future, the molecular layer superlattice will be studied in detail.