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II-VI半導体超格子の層・界面歪と相互拡散の研究

II-VI族半导体超晶格层/界面应变和相互扩散研究

基本信息

批准号：
01604572
负责人：
邑瀬和生
金额：
$ 1.6万
依托单位：
Osaka University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
财政年份：
1989
资助国家：
日本
起止时间：
1989 至无数据
项目状态：
已结题

来源：
https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-01604572/
关键词：
II-VI族超格子ラマン散乱ルミネッセンス

项目摘要

可視光域の光エレクトロニクス材料として期待されている良質のII-VI半導体超格子作製には層と界面の歪と転位の実態をつかむことが重要である。本研究では、格子整合と歪や欠陥との関係を調べるために、ZnSxSe_<1-x>(x=0〜0.13、膜厚1.8〜3.4μm)を、GaAs上に成長させた試料(京都工芸繊維大・更実)のラマン散乱測定した。混晶にすることによって格子定数を5.67から5.63まで変化させることができる。室温ではX=0.06のときに、成長温度である40°Cではx=0.08のときに、基板の格子定数と一致する。ラマンスペクトルには、140cm^<-1>付近に幅広いDALA(Disorder Activated LA)モ-ドがみられ、ZnSeのTO,LOフォノンはそれぞれ、210、250cm^<-1>にみられる。ZnSeの2LOモ-ドが500cm^<-1>あたりにピ-クとしてみられる。これらのスペクトルから歪や欠陥の情報を読み取るには、おもにLOフォノンの位置と幅、およびDALAモ-ドの強度に注目すればよい。しかし、LOフォノンの位置は不整合歪ばかりでなくS-Seの混晶効果によってキシフトするので、本研究ではDALAの強度に注目した。DALA強度は組成に依存して変化するがx=0.088のところで比較的弱くなっていることが注目される。成長温度で格子が整合しているときには比較的格子欠陥の少ない膜ができるものと思われる。LO,2LOモ-ドの強度は励起波長に強く依存し、本研究で用いたアルゴンイオンレ-ザ-の発振波長領域に強く依存し、本研究で用いたアルゴンイオンレ-ザ-の発振波長領域では、高エネルギ-の光で励起するほど散乱強度が強くなる。そのとき発光も観測され、電子遷移による共鳴効果があるものと結論される。これまでの研究を通じて、超格子や薄膜における格子不整合歪を知るためにはラマン散乱が有効な測定手段となることがわかった。

The optical properties of II-VI semiconductor superlattices in the visible optical domain are expected to be of good quality, and the interface and the state of the interface are important. In this study, the relationship between lattice integration and distortion was adjusted. ZnSxSe_<1-x>(x=0 ~ 0.13, film thickness 1.8 ~ 3.4μm) and GaAs were grown on the samples (Kyoto Kokudo). The number of mixed crystals is 5.67 and 5.63. X=0.06 at room temperature, x=0.08 at 40°C at growth temperature, and x =0.08 at lattice size. DALA <-1>(Disorder Activated LA) is the most important component of the 140cm wavelength range<-1>. ZnSeの2LOモ-ドが500cm^<-1>あたりにピ-クとしてみられる。The location, amplitude, and intensity of the LO signal are noted. In this study, the intensity of DALA was focused on the effect of S-Se mixed crystals. The intensity of DALA depends on the composition of the sample. x=0.088. The growth temperature of the lattice is relatively low. LO,2LO intensity is strongly dependent on excitation wavelength. In this study, the intensity of LO, 2LO is strongly dependent on excitation wavelength domain. In this study, the intensity of LO, 2LO is strongly dependent on excitation wavelength domain. The results of electron migration and optical resonance were analyzed. The study of this problem is based on the understanding of lattice disconformity and the measurement of lattice disconformity.