量子干渉効果ディバイスの基礎

量子干涉效应装置的基础知识

基本信息

  • 批准号:
    03237104
  • 负责人:
  • 金额:
    $ 32万
  • 依托单位:
  • 依托单位国家:
    日本
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
  • 财政年份:
    1990
  • 资助国家:
    日本
  • 起止时间:
    1990 至 1992
  • 项目状态:
    已结题

项目摘要

(1)GaAs/AlGaAsメゾスコピック構造素子で、電流ー電圧端子分離経路上の電子濃度による非局所磁気抵抗の変化を調べた。バリステックな運動による電子フォ-カス効果により、電子の緩和距離や界面反射係数の電子濃度依存性を測定した。(邑瀬)(2)半導体量子細線における磁気フォノン共鳴による磁気抵抗を計算し、バルク物質や2次元系ではみられない新しい共鳴成分を見出した。(浜口)(3)100オ-ム標準抵抗器の抵抗値と量子化ホ-ル抵抗値R_H(i)=h/ie^2,(i=2,4)を短時間で高精度(相対精度0.01ppm以下)の測定を行うために、極低温電流比較器を試作した。さらに、抵抗標準試料として用いられる4.2Kにおける電子移動度が約20m^2/V_sのGaAs/AlGaAsウエハ-から製作したサイヅが異なる試料について、温度1.5Kと0.5Kでホ-ル抵抗R_H(2),R_H(4)と対角抵抗R_<xx>のレコ-ダ-トレ-スによる電流依存性の測定を行い、プラト-の磁場範囲は中央部における電流密度に依存して変化することが判った。(川路)(4)量子ポイントコンタクトを使い、電子波の位相を静電圧による干渉パタンを測定した。また、微小接合列中の一電子トンネル電圧振動を観測し、一電子ソリトンが重要であることを明らかにした。(小林)(5)MOCVD選択成長を用いてGaAs量子細線を作製するとともに、そのPL特性、磁気PL特性等を測定することにより量子細線効果の存在を確認した。(荒川)(6)InAsヘテロ構造を原子層制御によるMBE成長により作製し、基礎物性を評価した。電子ビ-ム露光により作製した2端子素子において、77Kで初めて1次元量子化電流およびク-ロンブロッケイドによる階段波形が観測された。(井上)(7)αー(BEDTーTTE) _2I_3の金属ー非金属転移は細かい転移の集合であることなどが明らかになった。(梶田)(8)ptSi超薄膜の超伝導とアンダ-ソン局在との競合を低温の磁気抵抗効果により調べた。(石田)
(1)GaAs/AlGaAs crystal structure element, current-voltage terminal separation circuit electron concentration, non-local magnetic resistance change modulation. Measurement of electron density dependence of electron reflection coefficient and electron relaxation distance (2) Calculation of magnetic resistance of semiconductor quantum fine wires due to magnetic resonance, and discovery of new resonance components in two-dimensional systems. (3)100 °-standard resistor resistance value quantized resistance value R_H(i)=h/ie ^2,(i=2,4) high accuracy (relative accuracy below 0.01ppm) measurement in a short time, extremely low temperature current comparator test. The electron mobility of GaAs/AlGaAs samples was about 20 m2/V_s at 4.2 K. The electron mobility of GaAs/AlGaAs samples was about 20 m2/V_s. The electron mobility of GaAs/AlGaAs samples was about 20 m2/V_s. The electron mobility of GaAs/AlGaAs samples was about 20 m2/V_s. The electron mobility of GaAs/AlGaAs samples was about 20 m2/V_s<xx>. (4) quantum quantum particle size, phase of electron wave, electrostatic voltage, dry particle size measurement An electron in a microjunction array is electrically sensitive to vibration, and an electron in an array is electrically sensitive to vibration. (Kobayashi)(5)MOCVD selection and growth of GaAs quantum fine wire, PL characteristics, magnetic PL characteristics, etc. to determine the existence of quantum fine wire. (Arakawa)(6)InAs structure, atomic layer control, MBE growth, basic physical properties evaluation The first phase waveform of 1-dimensional quantized current at 77K was measured. (Inoue)(7)α-(BEDT-TTE) _2I_3 metallic and nonmetallic shift (8) Superconductivity of ptSi Ultrathin Films- (Ishida)

项目成果

期刊论文数量(60)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
T.Matsuoka: "Zone-Folding Effect in Short-Period (GaAs)_n/(AlAs)_n Superlattices with n in the Range 3-15" Phys.Rev.B15. 43. 11798-11805 (1991)
T.Matsuoka:“n 在 3-15 范围内的短周期 (GaAs)_n/(AlAs)_n 超晶格中的区域折叠效应”Phys.Rev.B15。
  • DOI:
  • 发表时间:
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
  • 通讯作者:
T.Takahashi: "In Situ Patterning of Contamination Resists in Metalorganic Chemical Vapor Deposition for Fabrication of Qantum Wires" Appl.Phys.Lett.58. (1991)
T.Takahashi:“用于制造量子线的金属有机化学气相沉积中的抗污染原位图案化”Appl.Phys.Lett.58。
  • DOI:
  • 发表时间:
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
  • 通讯作者:
M.Inoue: "High Speed Transport and Optoelectronic Properties of InAs Heterostructures" Proc.IEEE/Cornell Conf.on Advanced Concepts in High Spped Semicond.Devices. CH3092. 403-411 (1991)
M.Inoue:“InAs 异质结构的高速传输和光电特性”Proc.IEEE/康奈尔会议关于高速半导体器件的先进概念。
  • DOI:
  • 发表时间:
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
  • 通讯作者:
S.Takaoka: "Influence of Edge Current and Contact Resistance on Nonlocal Shubnikov-de Haas Oscillations in Macroscopic GaAs/AlGaAs Wire" Solid State Commun.80. 571-574 (1991)
S.Takaoka:“边缘电流和接触电阻对宏观 GaAs/AlGaAs 线中非局域 Shubnikov-de Haas 振荡的影响”Solid State Commun.80。
  • DOI:
  • 发表时间:
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
  • 通讯作者:
N.Mori: "Effects of Electron-Interface-Phonon Interaction on Resonant Tunneling in Double-Barrrier Heterostructures" Semiconductor Science and Technology. 7. (1992)
N.Mori:“电子-界面-声子相互作用对双势垒异质结构谐振隧道的影响”半导体科学与技术。
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  • 发表时间:
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  • 影响因子:
    0
  • 作者:
  • 通讯作者:
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