量子干渉効果ディバイスの基礎

量子干涉效应装置的基础知识

• 批准号: 04221103
• 负责人: 邑瀬 和生
• 金额: $ 24.96万
• 依托单位: Osaka University
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
• 财政年份: 1990
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 1990 至 1992
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-04221103/
• 关键词: エッジ電流; 電荷KTB転移; 量子細線; 有機伝導体; 量子ホール効果; アンダーソン局在; 微粒子; 量子化コンダクタンス

(1)低温、強磁場下の2次元電子系のさまざまな量子伝導現象を測定し、それらの現象における、エッジ電流、測定端子、閉じこめポテンシャル、バリステック電子、アンダーソン局在のはたす役割について探究した。(邑瀬)(2)ヘテロ接合2次元電子系にフィボナッチ格子ポテンシャル変調を形成し、電気伝導度に準周期系特有の性質が現れることを確認した。また、銅の微粉子を並べた2次元的な膜の電荷KTB転移に起因することを明らかにした。(小林)(3)MOCVD選択成長によりGaAs量子細線およびGaAs量子ドットをそれぞれ形成することに成功した。(荒川)(4)有機伝導体α-(BEDT-TTF)_2I_3の金属ー絶縁体転移近傍では電気伝導度の異方性が不思議な振る舞いをする事を発見した。(梶田)(5)GaAs/AlGaAsヘテロ接合界面2次元電子系で、量子ホール効果のブレークダウン臨界電流が試料幅に比例することを観測した。(川路)(6)量子細線における磁気フォノン共鳴の理論とホットエレクトロン現象の解析を発表し、実験で磁気抵抗に極大を観測し、電子閉じ込めエネルギーを求めた。(浜口)(7)InAsヘテロ構造をMBE成長し、その物性を光学的および電気的測定により評価した。(井上)(8)PtSi薄膜および細線の超伝導とアンダーソン局在との競合を磁気抵抗の弱局在理論による解析を行って調べた。(石田)(9)ガス中蒸発法でGeおよびInSb微粒子を作製し、フォノンの非調和性が微粒子では増加すること、および電子・格子系の波数ベクトルの離散化に伴って電子格子相互作用が変化することを示した。(佐々木)(10)強磁場下の二次元電子系について、エッジ状態間、およびエッジ状態とバルク状態間の電子の非平衡分布に基因する非局所的伝導を観測した。(小宮山)

(1)Measurement of quantum conduction phenomena in two-dimensional electron systems at low temperatures and high magnetic fields, investigation of phenomena, measurement of current, measurement of terminals, detection of electrons, detection of defects in electron systems at low temperatures and high magnetic fields (2) The formation of quasi-periodic electron systems and their characteristic properties are confirmed. The cause of the charge shift of the two-dimensional film KTB due to the combination of copper particles and copper particles (3) GaAs quantum fine wire and GaAs quantum fine wire are successfully grown. (Arakawa)(4) The metal phase transition of organic conductor α-(BEDT-TTF)_2I_3 near the metal phase transition has been discovered. (5)GaAs/AlGaAs junction interface two-dimensional electron system, quantum structure, critical current, sample amplitude ratio (6) Quantum fine wire magnetic resonance theory and analysis of the phenomenon of magnetic resonance, the actual magnetic resistance of the maximum measurement, electronic closure of the generation of the problem. (7)InAs structure MBE growth, optical properties and electrical measurements (Inoue)(8)PtSi thin film thin wire ultra-conductivity analysis in theory (Ishida)(9) In the evaporation method, Ge and InSb particles are produced, and the non-harmonic properties of Ge and InSb particles are increased. The wave number of electron lattice system is discretized and accompanied by the electron lattice interaction. (10) Measurement of non-local conduction of non-equilibrium distribution of electrons between states and states in a quadratic electron system under strong magnetic field. (Komiyama)

项目成果

N.Mori: "Electron mobility in quantum wires at high temperatures" Proc.International Workshop on Computational Electronics. 261-264 (1992)

N.Mori：“高温下量子线中的电子迁移率”Proc.国际计算电子学研讨会。

J.Smoliner: "Electron Transport in Low Dimensional Systems at High Temperatures" Second International Symposium on New Phenomena in Mesoscopic Structures. 284-287 (1992)

J.Smoliner：“高温低维系统中的电子传输”第二届介观结构新现象国际研讨会。

K.Yoh: "Indium Arsenide Quantum Wires Fabricated by Electron Beam Lithography and Wet-Chemical Etching" Jpn.J.Appl.Phys. 31. 4515-4519 (1992)

K.Yoh：“通过电子束光刻和湿化学蚀刻制造的砷化铟量子线”Jpn.J.Appl.Phys。

K.Oto: "Nonlocal Shubnikov-de Haad Effect in Si-MOS FETs" Surface Science. 263. 303-306 (1992)

K.Oto：“Si-MOS FET 中的非局域 Shubnikov-de Haad 效应”表面科学。

S.Katsumoto: "Electron Propagation through a Fibonacci Lattice" Solid State Commun.85. 223-226 (1993)

S.Katsumoto：“通过斐波那契晶格的电子传播”固态Commun.85。