鎖間水素結合を利用した新規電導機構の設計

利用链间氢键设计新型导电机制

• 批准号: 03205117
• 负责人: 三谷 忠興
• 金额: $ 0.96万
• 依托单位: Okazaki National Research Institutes
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
• 财政年份: 1991
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 1991 至 无数据
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-03205117/
• 关键词: 一次元物質; 電荷移動; プロトン移動; 分子設計; 混合原子価; 水素結合; 電気伝導

鎖間水素結合を利用した機能性分子集合体を構成する一つのモデルとして、[M(H_2DAG)(HDAG)]TCNQ;H_2DAG;diaminoglyoxime,M=Pt,Pd,Ni錯体を取り上げた。ここでは、Mおよび配位子から成る一次元金属鎖とTCNQアクセプタ-分子層によって二つの一次元電子状態が共存しており、その間に水素結合が介在している。二つの電子状態の酸化還元電位が均衡したとすると、その間に部分的電子移動が生じて、系は金属状態に転移するることが期待される。その際、電子ープロトン相互作用を通じて、プロトン格子は無秩序状態もしくは量子的融解状態に移行するだろうし、他方、伝導電子はプロトン運動の強い影響の下で特異な電導機構をもつようになると予測される。実際、この錯体の赤外吸収スペクトルには、部分電荷移動に特徴的なスペクトル構造が観測された。また、M=Pd錯体が通常の有機金属に近い大きな常温電気電導度を(約10 Scm^<-1>)をもつこと、M=Ni錯体の場合には、常温付近で金属的な振舞いが見られることが注目される。さらには、XPS側定結果によれば、低温では、金属(M)がII価とIV価の混合原子価状態にあり、常温になるとII価に相転移することが判明した。このような相転移はこれまで観測された例はなく、大いに今後の研究の発展が期待される。以上のような実験事実から判断すると、このシステムにおいては、一次元鎖からアクセプタ-分子層への部分電荷移動が実現していることは明白であり、電子ープロトン相互作用を介した特異な電導機構が存在することを示している。現在、さらに、プロトンと電子が量子的に連動して運動する条件を満たすべく分子改良、とくに配位子の改良を進め、高温超電導の実現の可能性を追求している。

The combination of water and water between the two molecules was analyzed by the molecular assembly of functional molecules, and the [M (H_2DAG) (HDAG)] TCNQ;H_2DAG;diaminoglyoxime,M=Pt,Pd,Ni error was used to retrieve the data. The first-order metal, the second-order TCNQ, the second-order electrons, the first-order electrons, the second-order electrons, the first-order electrons, the second-order electrons, the first-order electrons, the second-order electrons, the first-order electrons Two-dimensional electronic state acidizing unit electric potential equalization equipment, electrical energy transfer equipment of electrical equipment, and metal state transfer equipment are expected to operate. The interaction between the Internet and the computer system, the melting state of the quantum in the grid, the melting state of the quantum, the transfer of the quantum, the other party, the lead computer, the operator, the operator and the operator. In the world, there is a high level of external absorption and some of the electric charge transfer equipment is used. Mechanical and M=Pd fault devices are usually used for high-temperature electrical equipment at room temperature (about 10 Scm ^ & lt;-1>) for high-temperature electrical equipment, for M=Ni fault-body electrical equipment, and for those who pay close attention to metal at room temperature. The results of temperature measurement and XPS test show that the temperature is low, the temperature is low, the metal (M) is II, the IV is mixed, the temperature is low, the temperature is low, the temperature is II, the phase shift is sensitive. In the future, we will study the exhibition and look forward to it. The above equipment is used to determine whether it is necessary to determine whether or not it is necessary to do so, and that some of the charges are transferred in the first place, and that some of the charge transfer is caused by the detection of partial charge shift. it is understood that there is an indication of the existence of a device in the organization of wireless communication. At present, the contact conditions of the electronic devices are improved, the molecular improvement, the improvement of the matching seats, and the realization of the possibility of high temperature superelectrics are in pursuit of high temperature superconductivity.