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プラズマ・フラッシュ蒸発法による高Jc高温酸化物超伝導膜の高速堆積

プラズマ・フラッシュ蒸発法による高Jc高温酸化物超伝導膜の高速堆積
等离子体闪蒸法高速沉积高Jc高温氧化物超导薄膜
批准号：
03211208
负责人：
吉田 豊信
金额：
$1.28万
依托单位：
The University of Tokyo
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
财政年份：
1991
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
1991 至 --
来源：
https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-03211208/
关键词：
プラズマ・フラッシュ蒸発法原料供給機成膜温度制御高酸素雰囲気双晶

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[1.熱プラズマナノプロセスの開発]高Jcの酸化物超伝導膜の実用化プロセス開発を目標に、超伝導特性の制御の必要とされる数℃オ-ダ-の成膜温度制御及び原料粉体の超微量定常供給を達成し、その結果得られた膜のTc、配向性、結晶定数などの基板温度依存性、堆積速度依存性を調べた。1.基板温度依存性基板温度を600℃から700℃まで10℃程度で変化させ堆積を行った結果、MgO(100)基板上ではa軸配向→c軸配向し、SrTiO_3(100)基板上ではすべてC軸配向しTcは690℃で堆積した膜の値が最も高かった。2.堆積速度依存性特殊な原料供給機を開発し、凝集性の非常に強いYBCO原料粉体を数mg/min程度でプラズマ中に供給できた。その結果、基板温度が690℃で堆積速度が0.04μm/min〜0.1μm/minまで変化することでMgO(100)基板上ではa軸配向→c軸配向し、SrTiO_3(100)基板上ではすべてc軸配向した。この結果は、基板と超伝導膜との結晶格子の整合性に起因していると考えられるが、MgOなどのように比較的整合性の悪い基板でも堆積初期段階に低速で堆積し、c軸配向の膜を数層形成し、その後堆積速度を速くすることで、一般に高Jcを示すとされるc軸配向の膜を高速堆積することが可能なことを示していると考えられる。[2.新物質の開発及び組織の制御]本プロセスは200Torrという高酸素雰囲気でのプロセスであり、新しい物質の開発等が期待できる。今回その一例として斜方晶を直接合成することにより双晶のないYBa_2Cu_3O_<7-x>膜を得ることに成功した。
期刊论文(10)
专著(0)
科研奖励(0)
会议论文
K.Terashima,M.Kondoh,Y.Takamura,H.Komaki,and T.Yoshida: "Surface modification of Bi‐Sr‐Ca‐Cu‐O films deposited in situ by radio frequency plasma flash evaporation with a scanning tunneling microscope" Appl.Phys.Lett.59. 644-646 (1991)
K. Terashima、M. Kondoh、Y. Takamura、H. Komaki 和 T. Yoshida：“使用扫描隧道显微镜通过射频等离子体闪光蒸发原位沉积的 Bi-Sr-Ca-Cu-O 薄膜的表面改性”应用物理学快报 59。644-646 (1991)
DOI： --
发表时间：
期刊：
影响因子： --
作者： []
通讯作者：
Y.Takamura,Y.Hirokawa,H.Komaki,K.Terashima,and T.Yoshida: "Synthesis of high‐Tc superconductive oxide films by plasma flash evaporation" Physica C. 190. 122-123 (1991)
Y. Takamura、Y. Hirokawa、H. Komaki、K. Terashima 和 T. Yoshida：“通过等离子体闪光蒸发合成高温超导氧化物薄膜” Physica C. 190. 122-123 (1991)
DOI： --
发表时间：
期刊：
影响因子： --
作者： []
通讯作者：
K.Terashima,T.Akagi,H.Komaki,and T.Yoshida: "As‐grown preparation of high‐critical‐temperature superconducting Y_1Ba_2Cu_3O_<7-x> films by radio‐frequency plasma flash evaporation" J.Appl.Phys.71. 4 (1992)
K. Terashima、T. Akagi、H. Komaki 和 T. Yoshida：“通过射频等离子体闪蒸蒸发制备高临界温度超导 Y_1Ba_2Cu_3O_<7-x> 薄膜”J.Appl.Phys。 71.4（1992）
DOI： --
发表时间：
期刊：
影响因子： --
作者： []
通讯作者：
寺嶋 和夫,吉田 豊信: "熱プラズマフラッシュ蒸発法による超伝導薄膜の作製" 表面技術. 42. 496-499 (1991)
Kazuo Terashima、Toyonobu Yoshida：“通过热等离子体闪蒸法制备超导薄膜”表面技术 42. 496-499 (1991)。
DOI： --
发表时间：
期刊：
影响因子： --
作者： []
通讯作者：
新規プラズマスプレーによる遮熱ナノコーィング開発
  • 批准号：
    04F04105
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for JSPS Fellows
  • 资助金额：
    $1.54万
  • 财政年份：
    2004
  • 负责人：
    吉田 豊信
  • 依托单位：
    The University of Tokyo
立方晶窒化ホウ素のエピタキシャル成長を目指した新規プラズマプロセシング開発
  • 批准号：
    03F03055
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for JSPS Fellows
  • 资助金额：
    $0.77万
  • 财政年份：
    2003
  • 负责人：
    吉田 豊信
  • 依托单位：
    The University of Tokyo
立方晶窒化ホウ素のヘテロエピタキシャル成長を目指した新規プラズマプロセシング開発
  • 批准号：
    03F00055
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for JSPS Fellows
  • 资助金额：
    $0.77万
  • 财政年份：
    2003
  • 负责人：
    吉田 豊信
  • 依托单位：
    The University of Tokyo
プラズマ蒸発プロセシングにおける気相核生成及びクラスター生成の数値モデリング
  • 批准号：
    00F00086
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for JSPS Fellows
  • 资助金额：
    $1.22万
  • 财政年份：
    2000
  • 负责人：
    吉田 豊信
  • 依托单位：
    The University of Tokyo