多層膜を用いた可とう性X線導波路の作成と評価

使用多层膜创建和评估柔性 X 射线波导

• 批准号: 03217205
• 负责人: 中山 喜萬
• 金额: $ 1.6万
• 依托单位: Osaka Prefecture University
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
• 财政年份: 1991
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 1991 至 无数据
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-03217205/
• 关键词: X線導波路; Si; Sn多層膜; 熱CVD; X線全反射; X線小角散乱

本研究は、可とう性中空管の内壁に多層膜を形成するプロセスを確立し、多層膜構造の最適化を図り、X線導波路を作成、その特性について実験的、理論的に評価することを目的とする。これまで、熱応答性の優れた熱CVD装置を構成し、材料としてSiおよびSnを選び、これらの平板上への超薄膜作成条件を調べてきた。本年度は、多層膜構造とその作成プロセスの最適化、石英管内壁への多層膜作成技術の確立を計画し、次の結果を得た。(1)SiとSnの積層膜によるX線(10.44AÅ)の全反射特性は、全反射領域における高い反射率(Siの特性)と大きな全反射臨界角(Snの特性)を同時に満足できることをシミュレ-ションにより明らかにした。(2)Si_2H_6の熱分解によるSi薄膜堆積の活性化エネルギ-は2.33eVで、500℃以下で1Å/s程度の制御性が確保できた。Sn層との多層膜を構成したときのSi層は非晶質であった。(3)Snの原料にSn(CH_3)_4を用いたが、その解離エネルギ-は2.6eVと高く、Snの堆積には600℃以上の温度を必要とした。ただし、Snは、初期に1〜2原子層程度のラミナ-成長をし、その後島状成長をすることが明らかになった。島状成長したSnは真球状の形状をしたβーSnである。(4)SiとSnを5周期堆積した試料は、X線小角散乱の計測から周期構造を有することがわかった。シミュレ-ション結果との比較から、Si層は設計通り、Snの厚みは3Å、界面粗さ3Åであることがわかった。球状のSn粒子が堆積する条件でも多層膜が形成されていることが明かとなった。(5)Snの数百Åの薄膜は得られないが、Si層とSi/Sn多層膜の積層を用いることにより殺波路の作成が可能との見通しを得た。

は, this study can be と う sex in atc の wall を に multi-layers formation す る プ ロ セ ス を establish の し, multilayer membrane structure optimization を 図 り, X-ray guided wave road, そ を の features に つ い て be 験, theory に review 価 す る こ と を purpose と す る. こ れ ま で, hot 応 answer の optimal れ た を constitute し thermal CVD device, material と し て Si お よ び Sn を び, こ れ ら の tablet on へ の ultrathin membrane made conditions を adjustable べ て き た. This year は, multilayer structure と そ の made プ ロ セ ス の optimization, quartz tube wall へ の multilayer membrane made technology の の results establish を plan し, times を た. (1) Si と Sn の laminated membrane に よ る X-ray (AA) 10.44 の total reflection features は, total reflection に お け る い high reflectivity (Si の features) と big き な total reflection critical Angle (Sn の features) を に at the same time its foot で き る こ と を シ ミ ュ レ - シ ョ ン に よ り Ming ら か に し た. (2) Si_2H_6 の pyrolysis に よ る Si thin film stack の activeness エ ネ ル ギ - 2.33 eV は で, degree of below 500 ℃ で 1 a/s royal sex が の system ensure で き た. The Sn layer と <s:1> multilayer film を constitutes the <s:1> たと <e:1> <s:1> Si layer <s:1> amorphous であった. (3) the Sn の materials に Sn (CH_3) _4 を with い た が, そ の dissociation エ ネ ル ギ - 2.6 eV は と く, Sn の accumulation に は temperature above 600 ℃ の を necessary と し た. た だ し に early, Sn は, 1 ~ 2 degree of atomic layer の ラ ミ ナ - growth を し, そ の island growth after を す る こ と が Ming ら か に な っ た. Island-like growth たSn た true spherical <s:1> shape を たβ たSn である. (4)SiとSnを 5-period accumulated <s:1> た sample, X-ray small-angle scattered <s:1> measurement ら ら periodic structure を has する する とがわ った った った った った った. Results シ ミ ュ レ - シ ョ ン と の is か ら り, Sn, Si layer は design の thick み は 3 a, coarse interface さ 3 a で あ る こ と が わ か っ た. Spherical Sn particles が stacking する conditions で <s:1> multilayer films が form されて る る とが とが bright となった. (5) Sn の hundreds A の film は must ら れ な い が の と Si, Si layer/Sn multi-layer laminated を with い る こ と に よ り kill wave road の made が may と の see tong し を た.

项目成果

今村 寛,中山 喜萬,河村 孝夫: "熱CVDによるSi/Sn多層膜の作成" 1992年春季 第39回応用物理学関係連合講演会予稿集.

Hiroshi Imamura、Yoshiman Nakayama、Takao Kawamura：“通过热 CVD 制备 Si/Sn 多层薄膜”第 39 届应用物理协会会议论文集，1992 年春季。

中山 喜萬,脇田 和樹,今村 寛: "多層膜を用いた可とう性X線導波路の作成と評価" 平成3年度文部省科学研究費 重点領域研究『X線結像光学』 第3回公開シンポジウム資料集. 22. 123-127 (1992)

Yoshiman Nakayama、Kazuki Wakita、Hiroshi Imamura：“使用多层膜的柔性 X 射线波导的创建和评估”1991 年第 3 次文部科学省优先领域研究补助金公开研讨会“X射线成像光学》资料集. 22. 123-127 (1992)

中山 喜萬,脇田 和樹,今村 寛: "多層膜を用いた可とう性X線導波路の作成と評価" 平成3年度文部省科学研究費 重点領域研究『X線結像光学』 第13回研究会講演資料集. 18. 46-51 (1991)

Yoshiman Nakayama、Kazuki Wakita、Hiroshi Imamura：“使用多层膜的柔性 X 射线波导的创建和评估” 1991 年文部科学省资助优先领域研究“X 射线成像光学”第十三届研究会议讲义资料集 18. 46-51 (1991)。