课题基金 / 基金详情

層間架橋ミクロポーラス反応場を用いる触媒設計

層間架橋ミクロポーラス反応場を用いる触媒設計
利用层间交联微孔反应场的催化剂设计
批准号:
07242253
负责人:
山中 昭司
金额:
$1.41万
依托单位:
依托单位国家:
日本
项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
财政年份:
1995
资助国家:
日本
项目状态:
已结题
起止时间:
1995 至 --

项目摘要

项目成果

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1.ウロコ鉄鉱型構造を有するイオン交換性層状結晶Rb_xMn_xTi_<2-x>O_4をホスト層とする層間架橋を行った.層間に存在するRbイオンを側鎖の長さの異なる種々のアルキルアンモニウムイオンで交換して,層間を拡げた後,ケイ酸テトラエチルを反応させ,加熱処理して層間にシリカ架橋を築くことに成功した.2.得られた層間架橋体は600℃まで500〜750m^2g^<-1>の高い比表面積を示し,ミクロポア多孔体に特徴的なLangmuir型吸着曲線を示した.また.吸脱着曲線にはほとんどヒステリシスがなく,細孔はゼオライトのように均質であることがわかった.3.種々の溶媒蒸気の吸着特性の比較から,シリカ架橋多孔体は疎水性を有すること,層間の細孔に分子ふるい機能があることがわかった.4.Rb_xMn_xTi_<2-x>O_4中のMn^<3+>はKMnO_4でMn^<4+>に酸化され,約90%のRbイオンを除いたホスト層を導くことがわかった.また.Mn^<3+>,Mn^<4+>の混合原子価を有する層状結晶についてもシリカによる層間架橋が可能なことを明らかにした.5.得られたシリカ架橋層状チタン酸塩ミクロ多孔体の光触媒特性を調べた.H_2OあるいはH_2O+CH_3OHと多孔体の懸濁液に高圧水銀灯(440W)で光照射すると水素が定常的に発生することがわかった.シリカ架橋層状チタン酸塩ミクロ多孔体は300〜400℃以上でアンモニアの酸素酸化に高い活性を示した.また,ほぼ100%の選択率で窒素が生成することを見出した.一方,層間架橋を施していない試料では反応は500℃においてさえ進行せず,層間が触媒反応場として利用されていることがわかった.
期刊论文(9)
专著(0)
科研奖励(0)
会议论文
H. Yahiro: "ESR Study of Radiation Induces Radicals Formed on Tetrafluoroethylene Adsorbed on Mordenite Zeolites" Chem. Lett.1995. 601-602 (1995)
H. Yahiro:“辐射诱导在丝光沸石吸附的四氟乙烯上形成自由基的 ESR 研究”Chem。
DOI: --
发表时间:
期刊:
影响因子: --
作者: []
通讯作者:
DOI: --
发表时间:
期刊:
影响因子: --
作者: []
通讯作者:
S.Yamanaka: ""Preparation and Properties of Clays Pillared with Al2O3-NiO Mixed Oxide"," Mat.Res.Soc.Symp.Proc.371. 157-162 (1995)
S.Yamanaka:“Al2O3-NiO 混合氧化物支撑粘土的制备和性能”,Mat.Res.Soc.Symp.Proc.371。
DOI: --
发表时间:
期刊:
影响因子: --
作者: []
通讯作者:
山中昭司(分担執筆): "物質は生きている、現代の物質観(好村滋洋、岡野正義、星野公三編)" 共立出版, 336 (1995)
Shoji Yamanaka(合著者):“物质是活的:物质的现代观点(吉村茂宏、冈野正义和星野幸三编辑)” Kyoritsu Shuppan,336 (1995)
DOI: --
发表时间:
期刊:
影响因子: --
作者: []
通讯作者:
7
    層状およびカゴ状構造を有するエキゾチック超伝導体の開発
    • 批准号:
      19014016
    • 项目类别:
      Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
    • 资助金额:
      $4.22万
    • 财政年份:
      2007
    • 负责人:
      山中 昭司
    • 依托单位:
    層状およびカゴ状構造を有するエキゾチック超伝導体の開発
    • 批准号:
      17038020
    • 项目类别:
      Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
    • 资助金额:
      $4.03万
    • 财政年份:
      2005
    • 负责人:
      山中 昭司
    • 依托单位:
    新規超伝導体および紫外線LEDホスト層としてのh-BNへのキャリアードーピング
    • 批准号:
      05F05412
    • 项目类别:
      Grant-in-Aid for JSPS Fellows
    • 资助金额:
      $1.54万
    • 财政年份:
      2005
    • 负责人:
      山中 昭司
    • 依托单位:
    カーボンクラスレート超伝導体の高圧合成と特性評価
    • 批准号:
      04F04409
    • 项目类别:
      Grant-in-Aid for JSPS Fellows
    • 资助金额:
      $1.54万
    • 财政年份:
      2004
    • 负责人:
      山中 昭司
    • 依托单位:
    海外基金