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Zintl相より誘導される新規シリコンネットワーク構造と機能性

来自 Zintl 相的新型硅网络结构和功能

基本信息

批准号：
10133238
负责人：
山中昭司
金额：
$ 1.28万
依托单位：
Hiroshima University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas (A)
财政年份：
1998
资助国家：
日本
起止时间：
1998 至无数据
项目状态：
已结题

来源：
https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-10133238/
关键词：
シリコンクラスレート Zintl相超伝導ナノネットワーク

项目摘要

シリコン単体だけ作られるネットワーク構造の種類は限られるが、アルカリおよびアルカリ土類金属、希土類金属とシリコンとのZintl相(電気陽性金属元素と比較的弱い電気陰性元素間のインターエレメント化合物)には、種々のアニオンクラスターや一次元、二次元シリコンネットワーク構造が含まれる。本研究では、シリコンZintl相の多様性に着目し、これを出発物質として、種々の興味ある機能性を有する新規なシリコンネットワークを誘導することを目的とする。本年度は下記の研究成果を得た。1。バリウムを内包するシリコンクラスレートの高圧合成バリウムだけを内包する二元系シリコンクラスレート化合物は得られていなかった。本研究では、6面体加圧装置を用いて、Zintl相BaSi_2とSiを組成比に混合し、800℃、3GPaで処理することにより、Ba_8Si_<46>の合成に成功した。このクラスレートは8.0Kで超伝導体となった。2。層状シリコンネットワークの合成Si(111)基板上にCa金属を蒸着し、反応させることにより、層状結晶CaSi_2をエピタキシャル成長させることに成功した。この結晶を用いて、層状ポリシランの薄膜合成を目指す。3。三元系シリコンクラスレートの高圧合成Ba_8T_xSi_<46-x>(T=Ag,Au,Ni,Cu;0<x<6)固溶体の高圧合成を行い、バルク体を得ることに成功した。X<3ではすべて超伝導体となった。超伝導の臨界温度はx値の増加と共に減少する傾向が見られた。光反射スペクトルの測定により、x値の増大に伴い、フェルミ面での電子密度が低下することが明らかとなった。

The types of structures are limited to those of earth metals and rare earth metals, and the Zintl phase (electrically positive metal elements compared to weak and medium electric-negative elements) is limited to those of primary and secondary elements. This study is aimed at exploring the diversity of species and their functional properties. This year's research results were recorded. 1。High pressure synthesis of binary system compounds with high molecular weight and high molecular weight. In this study, the synthesis of Ba_8Si_(2 +) was successfully carried out at 800℃ and 3GPa<46>.このクラスレートは8.0Kで超伝导体となった。2。Layered crystal CaSi_2 was successfully grown on Si(111) substrate by evaporation and reverse crystallization of Ca metal. The synthesis of thin films with crystalline and layered structures is indicated. 3。High pressure synthesis of Ba_8T_xSi_<46-x>(T=Ag,Au,Ni,Cu;0<x<6) solid solution in ternary system was successfully carried out. X<3 The critical temperature of superconductivity tends to increase and decrease. The measurement of light reflectance, x value increases, electron density decreases, and so on.