课题基金 / 基金详情

Zintl相より誘導されう新規シリコンネットワーク構造と機能性

Zintl相より誘導されう新規シリコンネットワーク構造と機能性
来自 Zintl 相的新型硅网络结构和功能
批准号:
11120236
负责人:
山中 昭司
金额:
$1.28万
依托单位:
依托单位国家:
日本
项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas (A)
财政年份:
1999
资助国家:
日本
项目状态:
已结题
起止时间:
1999 至 --

项目摘要

项目成果

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シリコン単体だけでは作られるネットワーク構造の種類は限られるが、アルカリおよびアルカリ土類金属、希土類金属とシリコンとのZintl相(電気陽性金属元素と比較的弱い電気陰性元素間のインターエレメント化合物)には、種々のアニオンクラスターや一次元、二次元シリコンネットワーク構造が含まれる。本研究では、シリコンZintl相の多様性に着目し、これを出発物質として、種々の興味ある機能性を有する新規なシリコンネットワークを誘導することを目的とする。本年度は下記の研究成果を得た。1.Ba_<24>Ge_<100>クラスレートの合成と構造解析Zintl相から誘導されるシリコンクラスレートの中間体を単離し、構造を調べるため、ゲルマニウムを用いて研究した。BaGe_4組成のアーク炉溶融によって単結晶を合成し、構造解析を行った。中間体はBa@Ge_<20>の12面体が面を共有して連結した新規クラスレート構造であることを明らかにした。2。新規クラスレートネットワークを有するBa_<24>Si_<100>の高圧合成と構造解析Ba24Ge100と同形のシリコンクラスレートを高圧を用いることにより合成することに成功した。電気伝導度測定から、金属伝導を示すことを明らかにした。3。ヨウ素原子を内包する新規シリコンクラスレートの合成これまで知られているシリコンクラスレート化合物は金属原子しか内包されていなかったが、電気吸引性のヨウ素原子をドープすることに成功した。物性的に興味ある新物質として、研究の新しい展開が期待できる。
期刊论文(10)
专著(0)
科研奖励(0)
会议论文
DOI: --
发表时间:
期刊:
影响因子: --
作者: []
通讯作者:
M.Yasukawa: "High Pressure Synthesis of Alkali Metal Doped C_<60> Polymers"Fullerene Sci.Tech.. 7. 795-806 (1999)
M.Yasukawa:“碱金属掺杂C_<60>聚合物的高压合成”Fullerene Sci.Tech.. 7. 795-806 (1999)
DOI: --
发表时间:
期刊:
影响因子: --
作者: []
通讯作者:
I.M.Gat: "Muon spin relaxation mesurements of magnetic-field penetration depth in Ba8Si46"Physica B,. (in press). (2000)
I.M.Gat:“Ba8Si46 中磁场穿透深度的 μ 子自旋弛豫测量”Physica B,。
DOI: --
发表时间:
期刊:
影响因子: --
作者: []
通讯作者:
H.Fukuoka: "Preparation and Structure of a New Germanium Clathrate Ba_<24>Ge_<100>"J.Solid State Chem.. (in press). (2000)
H.Fukuoka:“新型锗包合物 Ba_<24>Ge_<100> 的制备和结构”J.Solid State Chem..(印刷中)。
DOI: --
发表时间:
期刊:
影响因子: --
作者: []
通讯作者:
10
    層状およびカゴ状構造を有するエキゾチック超伝導体の開発
    • 批准号:
      19014016
    • 项目类别:
      Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
    • 资助金额:
      $4.22万
    • 财政年份:
      2007
    • 负责人:
      山中 昭司
    • 依托单位:
    層状およびカゴ状構造を有するエキゾチック超伝導体の開発
    • 批准号:
      17038020
    • 项目类别:
      Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
    • 资助金额:
      $4.03万
    • 财政年份:
      2005
    • 负责人:
      山中 昭司
    • 依托单位:
    新規超伝導体および紫外線LEDホスト層としてのh-BNへのキャリアードーピング
    • 批准号:
      05F05412
    • 项目类别:
      Grant-in-Aid for JSPS Fellows
    • 资助金额:
      $1.54万
    • 财政年份:
      2005
    • 负责人:
      山中 昭司
    • 依托单位:
    カーボンクラスレート超伝導体の高圧合成と特性評価
    • 批准号:
      04F04409
    • 项目类别:
      Grant-in-Aid for JSPS Fellows
    • 资助金额:
      $1.54万
    • 财政年份:
      2004
    • 负责人:
      山中 昭司
    • 依托单位:
    海外基金