半導性ミクロポア多孔体ランタンロジウム酸塩の合成と特性評価
半導性ミクロポア多孔体ランタンロジウム酸塩の合成と特性評価
批准号:
02F00167
负责人:
山中 昭司
金额:
$1.22万
依托单位:
依托单位国家:
日本
项目类别:
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
财政年份:
2002
资助国家:
日本
项目状态:
已结题
起止时间:
2002 至 2003
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英文摘要
環境保全とエネルギー資源問題の解決に不可欠の材料として、ミクロボア多孔体が注目を集めている。選択性吸着剤、形状選択性触媒、触媒担体、水素吸蔵材としての機能性ミクロボア多孔体の開発が急務となっている。これまで、無機質のミクロボア多孔体は、ゼオライトに代表されるように、殆どが電気絶縁体であった。本研究では、電荷移動が可能な半導体としても機能を併せもつ新規な機能性ミクロボア多孔体を開発し、その応用について検討することを目的としている。層状ロジウム酸塩の層間架橋によるミクロボア多孔体の合成から研究をスタートさせたが、平成15年度は、新たに見出した分相ガラスを出発物質とするメソポア多孔体の、化学修飾による高機能化に集中した。研究概要は以下の通りである。1.イオン交換による細孔制御AlPO_4-B_2O_3-Na_2O分相ガラス(モル比組成=25:56:19)を合成し、温水処理により、殆どのB_2O_3成分と約60%のNa_2Oを溶出させ、メソポア多孔体を得た。このメソポア多孔体は長期間の保存によっても、細孔径が拡大するなどの経時変化を示した。そこで、イオン交換により、細孔径の制御と細孔の安定化について、調べた。その結果、水素イオンで交換し、Naイオン残存量を1%以下に減少させることにより、多孔体は、800℃の加熱に対しても安定に存在することを見出した。また、Naイオンをドデシルアンモニウムイオンで交換することにより、3nm付近に鋭い分布を有するメソポア多孔体が得られることを明らかにした。2.金属ニッケル微粒子を担持したメソポア多孔体の合成本研究で開発したイオン交換能を有するメソポア多孔体の特徴を活かして、水素付加や燃料電池の触媒に有用な金属ニッケル微粒子の担持を試みた。Niイオンで交換後、水素還元することにより、細孔径分布を保持したまま、約10nmの微細なニッケル粒子が高濃度に担持された多孔体が得られることを見出した。
期刊论文(1)
专著(0)
科研奖励(0)
会议论文
K.Kunii: "Template-free synthesis of AlPO_4-H1, H2, H3 with microwave heating"Microporous Mesoporous Mater.. 52. 159-167 (2002)
K.Kunii:“微波加热无模板合成AlPO_4-H1、H2、H3”微孔介孔材料.. 52. 159-167 (2002)
DOI:
--
发表时间:
期刊:
影响因子:
--
作者:
[]
通讯作者:
層状およびカゴ状構造を有するエキゾチック超伝導体の開発
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批准号:19014016
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$4.22万
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财政年份:2007
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负责人:山中 昭司
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依托单位:
層状およびカゴ状構造を有するエキゾチック超伝導体の開発
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批准号:17038020
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$4.03万
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财政年份:2005
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负责人:山中 昭司
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依托单位:
新規超伝導体および紫外線LEDホスト層としてのh-BNへのキャリアードーピング
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批准号:05F05412
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项目类别:Grant-in-Aid for JSPS Fellows
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资助金额:$1.54万
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财政年份:2005
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负责人:山中 昭司
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依托单位:
カーボンクラスレート超伝導体の高圧合成と特性評価
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批准号:04F04409
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项目类别:Grant-in-Aid for JSPS Fellows
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资助金额:$1.54万
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财政年份:2004
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负责人:山中 昭司
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依托单位:
シリコンクラスレートおよび関連する新規シリコンナノネットワークの構築と物性研究
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批准号:98F00252
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项目类别:Grant-in-Aid for JSPS Fellows
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资助金额:$0.58万
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财政年份:1999
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负责人:山中 昭司
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依托单位:
Zintl相より誘導されう新規シリコンネットワーク構造と機能性
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批准号:11120236
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas (A)
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资助金额:$1.28万
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财政年份:1999
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负责人:山中 昭司
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依托单位:
シリコンクラスレートおよび関連する新規シリコンナノネットワークの構築と物性
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批准号:11165229
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas (A)
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资助金额:$4.93万
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财政年份:1999
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负责人:山中 昭司
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依托单位:
Zintl相より誘導される新規シリコンネットワーク構造と機能性
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批准号:10133238
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas (A)
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资助金额:$1.28万
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财政年份:1998
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负责人:山中 昭司
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依托单位:
Zintl相より誘導される新規シリコンネットワーク構造と機能性
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批准号:09239236
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$1.28万
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财政年份:1997
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负责人:山中 昭司
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依托单位:
二次元無機高分子-有機ナノ組織体の設計と機能
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批准号:08246237
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$1.41万
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财政年份:1996
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负责人:山中 昭司
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依托单位:
層間架橋ミクロポーラス反応場を用いる触媒設計
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批准号:08232259
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$1.41万
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财政年份:1996
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负责人:山中 昭司
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依托单位:
新規無機アニオン交換体の開発
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批准号:08875168
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项目类别:Grant-in-Aid for Exploratory Research
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资助金额:$1.34万
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财政年份:1996
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负责人:山中 昭司
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依托单位:
層間架橋ミクロポーラス反応場を用いる触媒設計
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批准号:07242253
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$1.41万
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财政年份:1995
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负责人:山中 昭司
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依托单位:
層状構造を有するシリコン結晶薄膜の合成と特性
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批准号:61550578
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项目类别:Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)
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资助金额:$0.96万
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财政年份:1986
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负责人:山中 昭司
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依托单位:
層状無機包接格子の化学修飾と機能
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批准号:59212027
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项目类别:Grant-in-Aid for Special Project Research
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资助金额:$0.77万
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财政年份:1984
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负责人:山中 昭司
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依托单位:
粘土無機複合体の合成法の確立と利用
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批准号:56750552
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项目类别:Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
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资助金额:$0.51万
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财政年份:1981
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负责人:山中 昭司
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依托单位:
無機層状化合物結晶層間の架橋による多孔体の合成と吸着特性
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批准号:X00210----474271
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项目类别:Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
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资助金额:$0.45万
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财政年份:1979
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负责人:山中 昭司
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依托单位:
燐を含む層状硫化物の有機複合体の合成とその生成機構
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批准号:X00095----164172
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项目类别:Grant-in-Aid for General Scientific Research (D)
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资助金额:$0.26万
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财政年份:1976
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负责人:山中 昭司
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依托单位:
リン酸ジルコニウム有機誘導体を出発物質とする準安定相ZrO_2の合成とその熱的性質
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批准号:X00210----075410
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项目类别:Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
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资助金额:$0.21万
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财政年份:1975
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负责人:山中 昭司
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依托单位:
層状無機化合物の有機誘導体の合成とその物性に関する研究
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批准号:X00210----974189
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项目类别:Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
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资助金额:$0.19万
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财政年份:1974
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负责人:山中 昭司
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依托单位:
海外基金