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シリコンクラスレートおよび関連する新規シリコンナノネットワークの構築と物性

シリコンクラスレートおよび関連する新規シリコンナノネットワークの構築と物性
硅包合物及相关新型硅纳米网络的结构和物理性质
批准号：
11165229
负责人：
山中 昭司
金额：
$4.93万
依托单位：
Hiroshima University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas (A)
财政年份：
1999
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
1999 至 2000
来源：
https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-11165229/
关键词：
シリコンクラスレート超伝導高圧合成薄膜ヨウ素Si_<46>シリコンナノネットワークゲルマニウム

项目摘要

项目成果

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当研究者らは、先に、バリウムを内包するタイプI型のシリコンクラスレートを合成し、Si-sp^3ネットワークを有する物質では、最初に超伝導体となることを発見した。本研究は、このようなシリコンクラスレートおよび類似のシリコンナノネットワークを有する物質を開発し、その物性を明らかにすることを目的とする。本年度の研究成果1.新規シリコンクラスレート化合物の高圧合成昨年に引き続き、高温・高圧条件下での新規化合物の合成を行った。ヨウ素を内包するシリコンクラスレートを単相で得ることに成功し、組成分析とX線Rietveld解析により、構造を決定した。得られたシリコンクラスレートはネットワークの一部がヨウ素で置換されたI_8Si_<46-x>I_x(x=0.5〜1.5)であることを明らかにした。2.Ba_8Si_<46-x>Ge_xの合成と超伝導特性Ba_8Si_<46>は超伝導体、Ba_8Ge_<43>は半導体である。三元系固溶体Ba_8Si_<46-x>Ge_xを合成し、超伝導特性を調べた。x<23まで、固溶体は超伝導を示し、TcはGeの増加と共に、減少した。Ba_8Si_<46>およびBa_8Ge_<43>については、単結晶を合成し、構造を解析した。Ba_8Si_<46>はBaサイトに欠陥があることを明らかにした。3.Si_<46>薄膜の合成を目的として、Si基板上に三元系シリコンクラスレートBa_8Au_xSi_<46-x>の合成を行った。超高真空装置を用いて、Si基板上にAuとBaを蒸着し、反応させた。500〜600℃の比較的低温で、三元系シリコンクラスレートが合成できることが分かった。引き続き、クラスレート薄膜を下地として、Si_<46>の合成を試みている。
期刊论文(19)
专著(0)
科研奖励(0)
会议论文
Y.Maniwa: "NMR Studies of Silicon Clathrate Compounds"Molecular Crystals and Liquid Crystals. 341. 497-502 (2000)
Y.Maniwa：“硅笼形化合物的核磁共振研究”分子晶体和液晶。
DOI： --
发表时间：
期刊：
影响因子： --
作者： []
通讯作者：
H.Fukuoka: "High Pressure Synthesis of a New Silicon Clathrate Ba_<24>Si_<100>"J.Organometal.Chem.. 611. 543-546 (2000)
H.Fukuoka：“新型硅包合物Ba_<24>Si_<100>的高压合成”J.Organometal.Chem.. 611. 543-546 (2000)
DOI： --
发表时间：
期刊：
影响因子： --
作者： []
通讯作者：
M.Yasukawa: "High Pressure Synthesis of Alkali Metal Doped C_<60> Polymers"Fullerene Sci.Tech.. 7. 795-806 (1999)
M.Yasukawa：“碱金属掺杂C_<60>聚合物的高压合成”Fullerene Sci.Tech.. 7. 795-806 (1999)
DOI： --
发表时间：
期刊：
影响因子： --
作者： []
通讯作者：
K.Moriguchi: "Electronic Structures of Na_8Si_<46> and Ba_8Si_<46>"Phys.Rev.B. 61. 9859-9862 (2000)
K.Moriguchi：“Na_8Si_<46> 和 Ba_8Si_<46> 的电子结构”Phys.Rev.B。
DOI： --
发表时间：
期刊：
影响因子： --
作者： []
通讯作者：
共 18 条
    層状およびカゴ状構造を有するエキゾチック超伝導体の開発
    • 批准号：
      19014016
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
    • 资助金额：
      $4.22万
    • 财政年份：
      2007
    • 负责人：
      山中 昭司
    • 依托单位：
      Hiroshima University
    層状およびカゴ状構造を有するエキゾチック超伝導体の開発
    • 批准号：
      17038020
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
    • 资助金额：
      $4.03万
    • 财政年份：
      2005
    • 负责人：
      山中 昭司
    • 依托单位：
      Hiroshima University
    新規超伝導体および紫外線LEDホスト層としてのh-BNへのキャリアードーピング
    • 批准号：
      05F05412
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for JSPS Fellows
    • 资助金额：
      $1.54万
    • 财政年份：
      2005
    • 负责人：
      山中 昭司
    • 依托单位：
      Hiroshima University
    カーボンクラスレート超伝導体の高圧合成と特性評価
    • 批准号：
      04F04409
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for JSPS Fellows
    • 资助金额：
      $1.54万
    • 财政年份：
      2004
    • 负责人：
      山中 昭司
    • 依托单位：
      Hiroshima University
    海外基金