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シリコンクラスレートおよび関連する新規シリコンナノネットワークの構築と物性

硅包合物及相关新型硅纳米网络的结构和物理性质

基本信息

批准号：
11165229
负责人：
山中昭司
金额：
$ 4.93万
依托单位：
Hiroshima University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas (A)
财政年份：
1999
资助国家：
日本
起止时间：
1999 至 2000
项目状态：
已结题

项目摘要

当研究者らは、先に、バリウムを内包するタイプI型のシリコンクラスレートを合成し、Si-sp^3ネットワークを有する物質では、最初に超伝導体となることを発見した。本研究は、このようなシリコンクラスレートおよび類似のシリコンナノネットワークを有する物質を開発し、その物性を明らかにすることを目的とする。本年度の研究成果1.新規シリコンクラスレート化合物の高圧合成昨年に引き続き、高温・高圧条件下での新規化合物の合成を行った。ヨウ素を内包するシリコンクラスレートを単相で得ることに成功し、組成分析とX線Rietveld解析により、構造を決定した。得られたシリコンクラスレートはネットワークの一部がヨウ素で置換されたI_8Si_<46-x>I_x(x=0.5〜1.5)であることを明らかにした。2.Ba_8Si_<46-x>Ge_xの合成と超伝導特性Ba_8Si_<46>は超伝導体、Ba_8Ge_<43>は半導体である。三元系固溶体Ba_8Si_<46-x>Ge_xを合成し、超伝導特性を調べた。x<23まで、固溶体は超伝導を示し、TcはGeの増加と共に、減少した。Ba_8Si_<46>およびBa_8Ge_<43>については、単結晶を合成し、構造を解析した。Ba_8Si_<46>はBaサイトに欠陥があることを明らかにした。3.Si_<46>薄膜の合成を目的として、Si基板上に三元系シリコンクラスレートBa_8Au_xSi_<46-x>の合成を行った。超高真空装置を用いて、Si基板上にAuとBaを蒸着し、反応させた。500〜600℃の比較的低温で、三元系シリコンクラスレートが合成できることが分かった。引き続き、クラスレート薄膜を下地として、Si_<46>の合成を試みている。

When the researcher said, "first,"I", "I", I, The purpose of this study is to determine the physical properties and the physical properties of the material in this study. The results of this year's research are 1. The synthesis of new compounds under the conditions of high temperature and high temperature last year. In the package, you can make sure that you are successful, component analysis, X-ray Rietveld analysis, and decision making. I was told that I _ 8SiO _ I _ I _. 2. Bake8SiSiSiZOTTITTX 46murxGTX Geosynthetics synthesizes Ba_8Si_<46> superconducting bodies and Ba_8Ge_<43> semispherical bodies. Ternary solid solution Ba_8Si_<46-x>Ge_x "synthesis", superconductivity characteristic "synthesis". X-ray crystal 23, solid solution superlead, Tc Ge plus total, less. Ba_8Si_<46> instrument Ba _ 8 Geography instrument ltteristics 43GT; Microstructure, crystal synthesis, analysis and analysis. Ba_8Si_<46>