モット転移系3d遷移金属化合物における光磁気機能性の開拓

Mott 基 3D 过渡金属化合物磁光功能的开发

• 批准号: 08227222
• 负责人: 佐藤 勝昭
• 金额: $ 0.96万
• 依托单位: Tokyo University of Agriculture and Technology
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
• 财政年份: 1996
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 1996 至 无数据
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-08227222/
• 关键词: MnSb; MnAs; La0.8Sr0.2Mn03; Bi2Sr2CaCu20x; 磁気光学効果; 光学定数; 異方性電気伝導; 固有ジョセフソン効果

遷移金属化合物MnSb,MnAsをホットウォール法で化合物半導体 GaAs基板上にエピタキシャル成長し、その磁気光学スペクトルを1-6eVの領域において評価するとともに、その反射率を0.5-7eVの範囲で測定しクラマ-スクローニヒの関係式を用いて光学定数を求めた。これらの測定結果に基づき、導電率テンソルの対角及び非対角成分を計算した。磁気光学効果の異方性が電子構造の異方性から生じていることを明らかにした。LaSrMn03系ペロブスカイト型Mn酸化物薄膜をRFマグネトロンスパッタ法で成膜しアニールにより良質のエピタキシャル薄膜を作製した。特に相転移が起きる組成であるSr濃度0.2の場合について磁気光学カー効果のスペクトルを測定した。結果は、これまでに報告されている磁気光学効果にほぼ対応したが、使用した電磁石の制約のため充分な磁気飽和に達しなかったため、磁気光学効果の絶対値は、やや小さな値であった。Bi系超伝導酸化物(2212相)のエピタキシャル薄膜をMBE法で作製した。STO傾斜基板上に方位のはっきりした超伝導膜を作製することに成功した。傾斜基板を使うことによって双晶のないab面がSTO(100)基板に対してきちんと定まった膜が得られ、b方向にステップが存在することによって、b方向にはc方向の成分が含まれるため、a方向とb'(cを含むb方向)とで、抵抗率に17倍におよぶ明確な異方性が見られることを明らかにした。この膜を用いて固有ジョセフソン効果によるマイクロ波発振を検出した。

Migration metal compound MnSb, MnAs compound semiconductor On the GaAs substrate, the growth of the magnetic field and the magnetic and optical field of the 1-6eV field have been evaluated. The reflectivity of もに and その is within the range of 0.5-7eV. The measurement of the しクラマ-スクローニヒの relational expression is calculated using the いて optical definite number. Calculation of the measurement results of これらのにbaseづき, conductivity テンソルの対angle and びnon-column angle components. The anisotropy of the magneto-optical effect and the anisotropy of the electronic structure are the same. LaSrMn03 series ペロブスカイト type Mn acid compound film をRFマグネトロンThe スパッタ method is used to form films and high-quality films are produced. The characteristics of the special phase change are the composition and the magnetic and optical properties of the Sr concentration of 0.2. Result, report on magnetic field and optical effect, use of electromagnetic magnet, restriction on useため Full magnetic 気 saturated に达 しなかったため, Magnetic 気 optical effect のJu対値は, やや小さな値であった. Bi-based superconducting acid compound (2212 phase) is produced by the MBE method of a thin film of the same type. The directional super conductive film on the STO inclined substrate was successfully produced. Tilted substrate うことによって Twin crystal のないab surface がSTO (100) substrate に対してきちんと定まった片が得られ、b direction にステップがexistent することによって, b direction and the component of the c direction are included in the direction, a direction is b' (c is included in the b direction)とで, resistance rate に17 times におよぶclear and heterotropic が见られることを明らかにした.この影を Uses いて inherent ジョセフソン effect によるマイクロ波発智を検出した.

项目成果

H.Ikekame,K.Sato: "Magneto-Optical Characterization of Epitaxially Grown Manganese Pnictides" J.Magn.Soc.Jpn. 20・S1. 153-156 (1996)

H.Ikekame、K.Sato：“外延生长的锰磷氮化物的磁光表征”J.Magn.Soc.Jpn 20・S1 (1996)。

T.Ishibashi,K.Sato,K.Lee,I.Iguchi,H.Soutome,M.Kawabe: "Crystallographic and anisotropic transport properties in untwinned Bi2Sr2Cu20y thin films (LN-3) ;" Proc.9th International Symposium on Superconductivity. (1997)

T.Ishibashi、K.Sato、K.Lee、I.Iguchi、H.Soutome、M.Kawabe：“非孪生 Bi2Sr2Cu20y 薄膜 (LN-3) 中的晶体学和各向异性输运特性；”

K.Lee,I.Iguchi,T.Ishibashi,K.Sato,H.Soutome,M.Kawabe: "Josephson Junction Properties of Bi2Sr2CaCu20y Bicrystal Junctions Grown by Sequential Deposition Technique Using Molecular Beam Epitaxy" Proc.9th International Symposium on Superconductivity. (1997)

K.Lee,I.Iguchi,T.Ishibashi,K.Sato,H.Soutome,M.Kawabe：“使用分子束外延的顺序沉积技术生长的 Bi2Sr2CaCu20y 双晶结的约瑟夫森结特性”Proc.第九届国际超导研讨会。

H.Ikekame,Y.Yanase,T.Ishibashi,T.Saito,Y.Morishita,K.Sato :"Effect of Atomic Hydrogen Assistance on Hot-Wall Epitaxy Growth of MnSb/GaA" J.Cryst.Growth. (1997)

H.Ikekame、Y.Yanase、T.Ishibashi、T.Saito、Y.Morishita、K.Sato：“原子氢辅助对 MnSb/GaA 热壁外延生长的影响”J.Cryst.Growth。